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正社員
| 仕事内容 | 【川崎】GaNパワー半導体のデバイス開発・プロセスエンジニア◆最先端技術領域で活躍／研修・福利厚生◎ |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： 半導体デバイス開発またはプロセスインテグレーションの実務経験（Si半導体のご経験にて問題ございません） ■歓迎条件： GaNに関する知見 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～1,000万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【神奈川】赤色半導体レーザーチップの設計・プロセス開発 ◆HUAWEI日本法人／開発費2兆円超 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆必須要件： 1. 大学卒以上 2. 赤色半導体のチップ設計、エピタキシャル成長またはプロセス開発の実績 ◆歓迎要件： 1. 高出力の赤色レーザーチップの大量生産の経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜】IMU／ジャイロスコープの設計開発 ◆HUAWEIの日本法人／研究開発の投資額世界トップ級 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆必須要件： 1、産業または学術経験ので長年の経験を持ち、MEMS IMU／ジャイロチップの主要なアーキテクチャ設計に精通している。市場のニーズと産業発展の傾向を深く理解している方。 2、少なくとも一つの業界主流ME... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細3＞ 東京研... |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【横浜】パワーモジュールのプロセス研究・開発 ◆HUAWEIの日本法人／研究開発の投資額世界トップ級 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆必須要件： 1. SPC、MSA、FMEA、APQP、PPAPなどのパワーモジュールプロセス開発方法論とツールに関する十分な知識 2. ワイヤーボンディング、リフロー、焼結、成形などのパワーモジュールプロセスに関す... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,000万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜】パワーモジュールのパッケージング開発 ◆HUAWEI日本法人／研究開発の投資額世界トップ級 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆必須要件： 1. パワーモジュールのパッケージング技術に関する優れた知識と、パワーモジュールのパッケージ設計および設計ソフトウェアとツールに関する豊富な経験 2. パワーモジュールの熱および電気設計とシミュレーショ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜／大阪】圧電セラミックスデバイスの研究開発 ◆HUAWEIの日本法人／開発費2兆円超 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆必須要件： ・材料、化学、その他の理工学関連専攻で修士号以上 ・圧電材料の特性、エネルギー変換メカニズム及び圧電トランスデューサの設計スキームに精通し、圧電材料の研究または圧電デバイスの設計スキームの経験を有し、産業チェ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜・大阪】材料プロセス開発（SAW／BAWフィルタ）※HUAWEIの日本法人／年休125日 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・半導体、物理、材料物性、電子関連の学士号以上 ・SAW／BAW作成プロセス（成膜・エッチング・フォトリソ・CMP・トリミング等）および各プロセスにおける主要課題の知見 ・圧電材料、電極材料、誘電体材料... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜・大阪】インクジェットヘッド開発（MEMS）※HUAWEIの日本法人／年休125日／就業環境◎ |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・インクジェット技術およびMEMSデバイスの基礎的知識 ・MEMSインクジェットヘッド、MEMS振動デバイス、MEMSセンサ等の設計開発の専門知識 ・等価回路シミュレーションやFEMシミュレーションを用... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 横浜研究所 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜19F 受動喫煙対策：敷地内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜・大阪】プロセスインテグレーション（SiC・IGBT／パワーデバイス）※HUAWEIの日本法人 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ・半導体またはそのプロセス技術の研究、開発、製造における経験（目安20年以上） ・SiC／IGBTプロセスインテグレーション開発業務の知見 ・プロセスシミュレータの知見および高性能SiC／IGBTパワー半導体プロセス... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜・大阪】RFデバイス設計開発（GaN・SiC）HUAWEIの日本法人／年休125日／就業環境◎ |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・半導体、物理、材料、電子等の関連分野の専攻および半導体デバイスデザイン関連の経験（8年以上） ・GaN／SiC RFデバイスの開発経験を持ち、半導体デバイスの原理およびRFにおける半導体デバイスのアプ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【関東】【未経験歓迎】半導体製造装置の開発職<年間休日126日/残業10h> |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・理系大学卒の方（専攻不問） |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 【関東】希望勤務地を考慮しながら決定いたします。 住所：関東エリア（東京都、神奈川県、埼玉県、千葉県、茨城県、群馬県、栃木県、山梨県） 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【神奈川県／未経験歓迎】UVレーザー(半導体露光装置)の開発設計※住宅手当など福利厚生◎ |
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| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： 理系出身者、レーザーの知見、光学顕微鏡 ※学校や研修のみでもご応募可能です。 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 顧客先 住所：神奈川県 受動喫煙対策：屋内喫煙可能場所あり |
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正社員
| 仕事内容 | 【神奈川県】車載用オーディオ用のLSI設計開発※住宅手当など福利厚生◎／充実の教育体制／東証上場G |
|---|---|
| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： アナログ開発設計経験 ■歓迎条件： 回路設計経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 顧客先 住所：神奈川県 受動喫煙対策：屋内喫煙可能場所あり |
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正社員
| 仕事内容 | 【神奈川県】開発計画立案、半導体試作支援業務 ※住宅手当など福利厚生◎／充実の教育体制／東証上場G |
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| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： （トランジスタや受光素子、発光素子などの）電子デバイスの素子開発／プロセス開発にかかわる経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 顧客先 住所：神奈川県厚木市 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【神奈川県横浜市】FPGA設計検証業務 ※住宅手当など福利厚生◎／充実の教育体制／東証上場G |
|---|---|
| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： FPGAを利用したシステム設計業務経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 顧客先 住所：神奈川県 受動喫煙対策：屋内喫煙可能場所あり |
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| 仕事内容 | 【横浜】高周波回路技術研究者※東証プライム上場企業／世界有数のグローバルものづくり企業 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必要条件：※下記いずれかに当てはまる方 ・高周波回路技術開発の経験 ・デジタル回路技術開発の経験 ・モデリング技術開発の経験 ・学会発表経験 ・海外渡航可能な英語力(TOEIC(R)テスト550点以上... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 550万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 横浜製作所 住所：神奈川県横浜市栄区田谷町1 勤務地最寄駅：各線／大船駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜】プロセスインフォマティクス研究者※東証プライム上場企業／世界有数のグローバルものづくり企業 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必要条件： ・機械学習/深層学習手法などを使ったデータ解析の経験 ・学会発表経験 ・海外渡航可能な英語力 ■歓迎条件： ・国際学会での発表経験 ・化合物半導体デバイスの知識 ・プログラミング技術を用... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 550万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 横浜製作所 住所：神奈川県横浜市栄区田谷町1 勤務地最寄駅：各線／大船駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 車載向けLEDディスプレイの開発／設計 ※光源開発～携われる/自動車ランプメーカ国内トップシェア |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須要件 ＜以下いずれかに該当する方＞ 下記の何れかの経験があること （1）ディスプレイ設計・開発経験 （液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、またはその他のディスプレイ技術の設計および開発経... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～750万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 横浜技術センター 住所：神奈川県横浜市青葉区荏田西1-3-3 勤務地最寄駅：東急田園都市線線／江田駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 光学設計開発・評価解析（車載向けLED/投影撮像光学系を用いた製品開発業） |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須要件 ＜以下いずれかに該当する方＞ （1）結像光学（レンズ）の開発・設計経験 （デジタルカメラ用レンズ、マシンビジョン向けレンズ設計などを主担当として開発を行った実績があること） （Cod... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～750万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 横浜技術センター 住所：神奈川県横浜市青葉区荏田西1-3-3 勤務地最寄駅：東急田園都市線線／江田駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 赤外発光デバイスの設計・開発（赤外LED・VCSEL）※ADAS/LiDARなど自動運転技術への活用 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須要件 光半導体デバイス(LED, VCSEL, LDなど)の技術者としての業務経験 ■歓迎要件 ・レーザー・LEDメーカーでのエンジニア経験 ・光学・回路・熱... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～750万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 横浜技術センター 住所：神奈川県横浜市青葉区荏田西1-3-3 勤務地最寄駅：東急田園都市線線／江田駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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