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ロボットフィールドエンジニア*経験分野不問*40代以上も活躍*年収800万以上可*新...
日研トータルソーシング株式会社 ロボティク...気になるリストに保存できる件数は20件までです。
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正社員
掲載予定期間：2020/11/5(木)〜2021/2/3(水)
【京都本社】GaNパワーデバイス・プロセス開発エンジニア※国内唯一の独立系大手半導体専業メーカー
【東証一部上場／成長し続ける優良企業／国内唯一の独立系大手半導体専業メーカーでのキャリアパスが描ける】
■仕事内容：GaNパワーデバイス・プロセスエンジニアとして下記業務をお任せいたします。
・GaN新規デバイスの設計
・開発および若手エンジニアの指導
＜GaNパワーデバイスとは＞
GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっている。例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。既に量産化が始まっているSiC（シリコン・カーバイド）を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています
■当社の商材：
・SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現可能です。既に2012年に製品化もしており、今後も新製品の開発を推進しています。
・お客様のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力のLED、省エネルギー・省スペース・高信頼性を実現したトランジスタやダイオード、パワーモジュール、半導体レーザ、抵抗器等の製品シリーズを取り揃えており、カスタマイズ商材に強みを持っています。
■当社の特徴：
開発～製造までを一貫してグループ内で行う垂直型統合生産体制をとることで、高品質で革新的な製品を生み出しています。通常メーカーの平均的な経常利益率を大きく上回っており、現在も成長し続けております。成長の一因は、顧客仕様に合わせたカスタム製品とスピードです。「技術力」産学連携にも積極的な当社は世界に先駆けて開発した不揮発ロジックや最高性能の次世代パワーデバイス、最先端の技術を有しています。
【チーム／組織構成】
【その他製品・プロジェクト事例】
【利用するツール・ソフト等】
| 雇用形態 | 正社員
＜試用期間＞ 6ヶ月 ※試用期間中は休職制度の適用不可 |
|---|---|
| 勤務時間 | ＜標準的な労働時間＞ 8:15～17:15 （所定労働時間：8時間0分） 休憩時間：60分（12:00～13:00） 時間外労働有無：有 ＜労働時間区分＞ 専門業務型裁量労働制 みなし労働時間/日：8時間00分 |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 京都府京都市右京区西院溝崎町21 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
| 交通 | ＜勤務地最寄駅＞ 阪急京都線／西京極駅 ＜転勤有無＞ 当面なし ＜想定勤務地＞ 京都府 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～850万円 ＜月給＞ 287,000円～530,000円(以下一律手当を含む) 基本給：230,000円～410,000円 固定残業手当：57,000円～120,000円（固定残業時間20時間0分/月） ＜賃金形態＞ 月給制 ＜昇給有無＞ 有 ＜給与補足＞ ※給与詳細は経験・年齢・能力等を考慮の上、当社規定により決定します。 ■賞与：年2回（6月・12月）※年間平均4ヶ月分 予定年収はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給は固定手当を含めた表記です。 |
| 待遇・福利厚生 | 通勤手当、家族手当、住居手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度 ＜待遇・福利厚生補足＞ 通勤手当：月40,000円まで支給 家族手当：補足事項なし 住居手当：月30,000円支給（規定あり） 社会保険：補足事項なし 厚生年金基金：補足事項なし 退職金制度：補足事項なし（定年：60歳） ＜教育制度・資格補助補足＞ ■新入社員教育、開発・技術・営業等の職能別教育、資格取得援助、社外講習への派遣 等 ＜その他補足＞ ■制度：団体生命保険加入、財形貯蓄制度、従業員持株制度など多数 ■施設：テニスコート、宿泊施設、レジャー施設、スポーツクラブ、提携保養施設など多数 |
| 休日・休暇 | 【休日・休暇】 完全週休2日制(かつ土日祝日) 有給休暇10日～20日 休日日数127日 年末年始休暇、夏季休暇、慶弔休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇 |
| 応募資格 | ＜学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜必要業務経験＞ ■必須条件 ・GaNデバイス、プロセス設計のご経験がある方 ■歓迎条件 ・GaNデバイスの製造、量産化のご経験がある方 ・英語での技術ディスカッションが可能な方 |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。 |
| 選考プロセス | - |
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