正社員
掲載予定期間：2024/3/18(月)〜2024/6/16(日)
【京都／長岡京】MOSFET製品の検査技術開発（知財・特許）◆フレックスタイム制／年間休日127日
当社は半導体専業メーカーとして、事業-技術-知財の三位一体化を重視する方針を掲げ、活用精度の高い特許の増出を方針としています。特にMOSFET事業は低耐圧分野でシェアトップクラスの注目事業であり、他社による技術の模倣を防ぐべく、開発スピードに整合する迅速な特許創出活動が求められています。
■具体的な職務内容：
・自社MOSFET開発に関する知財安全確認調査および調査結果レポート化業務
・他社MOSFET開発動向調査および調査結果レポート化業務
・自社MOSFET開発に関する出願内容ブラッシュアップおよび社内出願手続きサポート業務
・自社出願案件における中間対応業務
・自社出願案件全体の管理業務
など
■当社で働くことの魅力：
・業界トップクラスのMOS CSP製造・開発技術力を有しており、電池保護用途のMOSFETはグローバルシェア上位です。
・半導体業界にて働くデバイス・プロセス経験者にとって、当社でMOS開発を手掛けることは、グローバル顧客特にTOPメーカーとの折衝・提案などが良い経験となります。
■当社について：
元々はパナソニック株式会社の中で半導体事業の役割を担っていましたが、2020年9月に台湾のウィンボンド・エレクトロニクス社傘下のヌヴォトンテクノロジー社に譲渡されています。国内有数のグローバル企業であるパナソニック社と台湾外資で先鋭的な事業展開を繰り広げるヌヴォトン社の企業文化が折衷された組織風土があります。
■事業の強み：
パナソニック内で長年培ったコア技術をベースに、半導体デバイスだけではなくソフトウェア技術を含めたセンシング分野とパワーマネジメント分野で業界トップクラスの技術力があります。特に強みとしているのは「空間認識」と「電池応用」の二本の柱で、半導体業界を牽引しています。
【チーム／組織構成】
| 募集職種 |
営業、事務、企画系 > 総務、人事、法務、知財、広報、IR > 法務 営業、事務、企画系 > 総務、人事、法務、知財、広報、IR > 知財、特許 |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員
＜雇用形態補足＞ 期間の定め：無 ＜試用期間＞ 3ヶ月 |
| 勤務時間 | ＜労働時間区分＞ フレックスタイム制 フレキシブルタイム：6:00～22:00 休憩時間：45分 時間外労働有無：有 ＜標準的な勤務時間帯＞ 8:30～17:00 |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府長岡京市神足焼町1 勤務地最寄駅：東海道本線／長岡京駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
| 交通 | ＜勤務地補足＞ JR長岡京駅より徒歩10分／在宅勤務制度あり ＜転勤＞ 当面なし ＜在宅勤務・リモートワーク＞ 相談可（在宅） ＜オンライン面接＞ 可 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～1,000万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）：215,500円～ ＜月給＞ 215,500円～ ＜昇給有無＞ 有 ＜残業手当＞ 有 ＜給与補足＞ ※年収はあくまでも目安であり、正式には社内規定や経験、前職給与額などに沿って決定します。 ■昇給：年1回 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 |
| 待遇・福利厚生 | 通勤手当、家族手当、住宅手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度 ＜各手当・制度補足＞ 通勤手当：通勤交通費全額支給 家族手当：条件該当者のみ対象 住宅手当：条件該当者は独身寮・社宅入居、または住居手当を支給 寮社宅：条件該当者は独身寮・社宅入居、または住居手当を支給 社会保険：補足事項なし 厚生年金基金：補足事項なし 退職金制度：企業型確定拠出年金制度 ＜教育制度・資格補助補足＞ 職能別、事業場別研修のほか、各種社外研修や海外留学制度など、充実した研修制度があります。 ＜その他補足＞ ■制度：持株制度、財形貯蓄制度、企業年金制度 等 ■施設：保養施設、医療施設 等 |
| 休日・休暇 | 【休日・休暇】 完全週休2日制（休日は土日祝日） 年間有給休暇10日～25日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります） 年間休日日数127日 年末年始休暇、夏季休暇、年次有給休暇（入社後10日～、翌年度以降最高25日※翌年度まで繰越可、時間単位取得可）、ファミリーサポート休暇、キャリア開発休暇、慶弔休暇、長期節目休暇など |
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・半導体、特にトランジスタ、ダイオードほかPNジャンクションの性質を利用したデバイスに関する研究履歴または業務経験 ・半導体、特にPNジャンクションに関する技術系知識 ・文語体での日本語作文力 ■歓迎条件： ・半導体、特にトランジスタ、ダイオードほかPNジャンクションの性質を利用したデバイスの設計・開発・知財に関する業務経験3年以上 ・特許出願・情報秘匿に関する基本的な法律系知識 ・特許検索エンジン使用経験 ・長文（特許）理解に困難を伴わない程度の一般的な英語読解力 |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。 |
| 選考プロセス | - |
| 会社名称 | ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 〒617-8520 京都府長岡京市神足焼町1 |
| 事業内容 | ■事業内容： 同社は、「半導体」「ファンドリー＆OSAT事業」の２つの事業領域で、社会に貢献していきます。 ■事業の特徴： ・半導体…BMS IC、DC-DCレギュレータIC、制御用マイコン、イメージセンサ、ICカードモジュール、GaNトランジスタ、インテリジェントパワーデバイス（IPD）、MOSFET、ダイオード、HMI表示用LSI、NFCタグモジュール、高周波デバイス 等 ・ファンドリー＆OSAT事業…ウェハファンドリー、OSAT（Outsource Assembly and Test※組立、検査受託）、ウェハ加工、工程受託 |
| 代表者 | - |
| URL | https://www.nuvoton.co.jp |
| 設立 | 年2020年9月 |
| 資本金 | - |
| 売上 | - |
| 従業員数 | - |
| 平均年齢 | - |
| 主要取引先 | - |
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