2件中 1～2件目を表示中
正社員
| 仕事内容 | 【京都／転勤なし】パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善※業界最先端の技術開発／年休120日 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件：パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下いずれかの経験がある方 （1）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
20件以上保存するにはログインが必要です。
ログイン後は、今までログイン中気になるリストに入っていた案件も見ることができます。
| 仕事内容 | 【京都／転勤なし】パワー半導体デバイスの設計開発 ※業界最先端の技術開発／年休120日 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件：パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方 （例）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
20件以上保存するにはログインが必要です。
ログイン後は、今までログイン中気になるリストに入っていた案件も見ることができます。
2件中 1～2件目を表示中
| 会社名 | Anjet Research Lab株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 〒615-8245 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 |
| 紹介文 | - |
| 業種 | - |
| 設立 | 年2019年12月 |
| 代表者 | - |
| 資本金 | 70百万円 |
| 売上 | 11百万円 |
| 従業員数 | 8名 |
| URL | http://anjet.com/ja-jp/ |
| 事業内容 | ■事業内容： ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、 アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。 |
| 主要取引先 | - |
| 主要取引銀行 | - |
