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正社員
| 仕事内容 | 【京都市／転勤無】ディスクリート半導体の生産・在庫管理◆業界先端の技術開発／土日祝休み／年休120日 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・半導体の生産管理／製造管理／在庫管理経験 ・半導体（Si・Sic・GaNなど）製造ラインの経験 ■歓迎条件： ・海外とのやり取り／折衝などの経験 ・海外工場などでの生産管理の経験 ・ISO9001内... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：本文参照 |
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正社員
| 仕事内容 | 【京都市／転勤無】ディスクリート半導体のプロセスエンジニア★業界先端の技術開発／グローバルに活躍！ |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・半導体の製造ライン経験 ・海外ファンダリーとの折衝能力 ■歓迎条件： ・QC管理や物流経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：本文参照 |
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正社員
| 仕事内容 | 【京都／転勤なし】パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善※業界最先端の技術開発／年休120日 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： 以下いずれかのご経験がある方 （1）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 （2）ファウウンドリーでのデバイス試作経験 （3）デバイス... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：本文参照 |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【京都／転勤無し】パワー半導体デバイスの設計開発 ◆業界最先端の技術開発／年休120日◆ |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方 （例）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：本文参照 |
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| 会社名 | Anjet Research Lab株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 〒615-8245 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 |
| 紹介文 | - |
| 業種 | - |
| 設立 | 年2019年12月 |
| 代表者 | - |
| 資本金 | 70百万円 |
| 売上 | 11百万円 |
| 従業員数 | 12名 |
| URL | http://anjet.com/ja-jp/ |
| 事業内容 | ■事業内容： ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。 |
| 主要取引先 | - |
| 主要取引銀行 | - |
