9件中 1～9件目を表示中
正社員
| 仕事内容 | 【京都】オープンポジション／電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会社 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・パワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方 （例）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験、ファンドリーでの... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室 勤務地最寄駅：JR東海道本／阪急電鉄阪急京都線／桂川／桂駅 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：会社の定める事業所 |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
20件以上保存するにはログインが必要です。
ログイン後は、今までログイン中気になるリストに入っていた案件も見ることができます。
正社員
| 仕事内容 | 【京都市】パワー半導体の生産・在庫管理／世界のスペシャリストと協業！量産化の成長フェーズに関われる◎ |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件：※いずれか必須 ・半導体の製造における生産管理／製造管理／在庫管理経験 ・半導体デバイスの製造ライン経験 ※SiC・GaNなどの化合物半導体のご経験者歓迎ですが、Siのご経験者もご応募ください ※複数名の... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～700万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室 勤務地最寄駅：JR東海道本／阪急電鉄阪急京都線／桂川／桂駅 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：会社の定める事業所 |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
20件以上保存するにはログインが必要です。
ログイン後は、今までログイン中気になるリストに入っていた案件も見ることができます。
正社員
| 仕事内容 | 【京都／転勤無】パワー半導体デバイスの設計開発 ＜量産化フェーズ＞世界中のスペシャリストと協業◎ |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・パワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方 （例）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験、ファンドリーでの... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～700万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室 勤務地最寄駅：JR東海道本／阪急電鉄阪急京都線／桂川／桂駅 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：会社の定める事業所 |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
20件以上保存するにはログインが必要です。
ログイン後は、今までログイン中気になるリストに入っていた案件も見ることができます。
転職したいけど、求人を探す時間がない人は、
正社員
| 仕事内容 | 【京都／転勤無】パワー半導体の評価・解析◇スペシャリスト集団／量産化に向けた成長フェーズに関われる◎ |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： 以下いずれかのご経験がある方 （1）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 （2）ファウウンドリーでのデバイス試作経験 （3）デバイス... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～700万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室 勤務地最寄駅：JR東海道本／阪急電鉄阪急京都線／桂川／桂駅 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：会社の定める事業所 |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
20件以上保存するにはログインが必要です。
ログイン後は、今までログイン中気になるリストに入っていた案件も見ることができます。
正社員
| 仕事内容 | 【京都／転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞最先端技術の開発！新進気鋭のベンチャー企業 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件 ディスクリート半導体もしくはマイクロ波デバイス、IC（集積回路）などの 製造や設計に関するご経験をお持ちの方 ■こんな方におすすめです！ ・最先端の技術開発に関わりたい方 ・SiCやGaNなど化合物半導... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～700万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室 勤務地最寄駅：JR東海道本／阪急電鉄阪急京都線／桂川／桂駅 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：会社の定める事業所 |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
20件以上保存するにはログインが必要です。
ログイン後は、今までログイン中気になるリストに入っていた案件も見ることができます。
| 仕事内容 | 【京都／転勤無】パワー半導体の設計開発 ＜量産化の成長フェーズ＞国内外のスペシャリストと協業 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方 （例）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：会社の定める事業所 |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
20件以上保存するにはログインが必要です。
ログイン後は、今までログイン中気になるリストに入っていた案件も見ることができます。
正社員
| 仕事内容 | 【京都市／転勤無】ディスクリート半導体の生産・在庫管理◆業界先端の技術開発／土日祝休み／年休120日 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件：※いずれか必須 ・半導体の生産管理／製造管理／在庫管理経験 ・半導体（Si・Sic・GaNなど）製造ラインの経験 ※複数名の増員募集のためご経験に合わせて、ご活躍できる職種をご相談させていただきます ■... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：会社の定める事業所 |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
20件以上保存するにはログインが必要です。
ログイン後は、今までログイン中気になるリストに入っていた案件も見ることができます。
正社員
| 仕事内容 | 【京都市※転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞量産化に向けた成長フェーズに携われる◎ |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ディスクリート半導体もしくはマイクロ波デバイス、IC（集積回路）などの プロセスエンジニアまたはプロセスインテグレーションのご経験 ■歓迎条件： SiCやGaNなどの化合物半導体の経験をお持ちの方 ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：会社の定める事業所 |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
20件以上保存するにはログインが必要です。
ログイン後は、今までログイン中気になるリストに入っていた案件も見ることができます。
| 仕事内容 | 【京都／転勤無】パワー半導体の評価・解析◇量産化の成長フェーズに関わる◎業界最先端の技術開発 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： 以下いずれかのご経験がある方 （1）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 （2）ファウウンドリーでのデバイス試作経験 （3）デバイス... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：会社の定める事業所 |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
20件以上保存するにはログインが必要です。
ログイン後は、今までログイン中気になるリストに入っていた案件も見ることができます。
9件中 1～9件目を表示中
| 会社名 | Anjet Research Lab株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 〒615-8245 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 |
| 紹介文 | - |
| 業種 | - |
| 設立 | 年2019年12月 |
| 代表者 | - |
| 資本金 | 70百万円 |
| 売上 | 11百万円 |
| 従業員数 | 12名 |
| URL | http://anjet.com/ja-jp/ |
| 事業内容 | ■事業内容： ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。 |
| 主要取引先 | - |
| 主要取引銀行 | - |
