1件中 1～1件目を表示中
| 仕事内容 | 【パソナキャリア経由での入社実績あり】 【期待する役割】 SiC.GaN等の次世代半導体材料を適用したパワーデバイスの研究開発業務をご担当頂きます。 物性的な研究とデバイス開発の両面で貢献頂けるポジションです。 【業務概要】 ■物性解析：電気的特性評価、分析的評価、計算技術等を用いたメカニズム解明 ■プロセス開発：デバイス特性向上に向けたプロセス開発として、物理現象や材料特性をもとに検討、改善指 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験 ■SiC.GaN系パワーデバイスの設計、試作、評価等の開発経験 ■半導体材料または、そのプロセス技術の研究・開発経験 ■半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に関する研究・開発経験 |
| 給与 | |
| 勤務地 | 東京都日野市 |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
20件以上保存するにはログインが必要です。
ログイン後は、今までログイン中気になるリストに入っていた案件も見ることができます。
1件中 1～1件目を表示中
| 会社名 | 富士電機株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | - |
| 紹介文 | - |
| 業種 | - |
| 設立 | 1923年 |
| 代表者 | - |
| 資本金 | 47,586百万円 |
| 売上 | - |
| 従業員数 | - |
| URL | |
| 事業内容 | 電気機器の開発・製造・販売・サービス 【主な事業】 ■エネルギー／川崎工場 ■産業インフラ／東京本社／日野工場 ■半導体（パワー半導体） ■食品流通 【設立背景】 1923年8月に日本の「古河電気工業」とドイツの「シーメンス社」との資本・技術提携により設立 |
| 主要取引先 | - |
| 主要取引銀行 | - |
