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| 仕事内容 | 【職務概要】 ディスクリートパワーデバイス（主にトレンチMOSFET）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術等の関連部署と連携して行っていただきます。 【職務詳細】 ■顧客・市場要求から、性能とコスト競争力のある新規デバイスの開発 ■プロセス開発とデバイス開発を盛り込んだSiウエーハ作製フローを構築し、開発ウエーハ作製を具体化 ■顧客やベンダー等、外部との技術議論を通じて、満足度を与えな |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ■Siパワー半導体デバイス・プロセスの開発経験・知識をお持ちの方 【尚可】 ■半導体製造の知識、経験がある方 ■プロジェクトマネジメントの知識・経験がある方 |
| 給与 | 年収 350万円～550万円 |
| 勤務地 | 富山県砺波市東開発271 城端線「砺波」駅より車で10分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 会社名 | タワーパートナーズセミコンダクター株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | - |
| 紹介文 | - |
| 業種 | - |
| 設立 | 2014年2月28日 |
| 代表者 | - |
| 資本金 | 26億7640万円 |
| 売上 | - |
| 従業員数 | - |
| URL | |
| 事業内容 | 【事業内容】半導体プロセス開発・製造受託、半導体の開発／製造 【会社の特徴】主なプロセス技術は、高感度イメージセンサ(CISおよびCCD)、パワーデバイス（BCD, SOI , LDMOS）高周波RFCMOSおよび化合物半導体（GaAs, GaN, SiC）などです。200mmおよび300mmのウェハに対応したサブミクロンから45nmまでの120を超えるプロセスフローと内製のバックエンドプロセス、アッセンブリ、テストサービスにより、同社は、IDM・ファブレス企業の双方にインハウスターンキーサービスを含め、これまでより優れた半導体の品質と技術を提供します。また同社は、グローバルで多様な人材が活躍できる土壌があり、充実した教育・研修制度を保有しています。更に福利厚生は、日本でもトップクラスの手厚い制度を継承し、働きやすい環境が整っております。 |
| 主要取引先 | - |
| 主要取引銀行 | - |
