正社員
【パソナキャリア経由での入社実績あり】
【職務内容】
■GaNデバイス向け新規パッケージ開発、GaNモジュール設計開発
GaN HEMTの特長を活かした商品を実現するため、パッケージ技術者の視点で高放熱のディスクリートパッケージや新規モジュール製品の開発、開発環境の構築、量産化対応などを行って頂きます。
＜GaNパワーデバイスとは＞
GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。
物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっている。
例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に
搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。
既に量産化が始まっているSiC（シリコン・カーバイド）を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。
※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討させていただきます。
【ポジションの魅力】
パワーデバイス （GaN HEMT）や制御IC （GDICおよびコントローラ）、電源技術者が同じ部署に集まった体制で、デバイス／パッケージ／制御回路／電源設計のエンジニアが連携して議論しながら最適化を進めています。
理想的な構造や使い方をお客様に提案し、競合の中国や欧米メーカーよりも先に
クリティカルな製品を開発して、GaNを本格的に普及させることを目指しています。
【求める人物像】
■主体的に業務に取り組む姿勢
■チャレンジ精神
■コミュニケーション能力
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 半導体設計 > アナログ・高周波IC設計 技術職（電気、電子、機械） > セールスエンジニア、FAE > FAE（半導体・各種デバイス） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員 |
| 勤務時間 | - |
| 勤務地 | 京都府 |
| 交通 | - |
| 給与 | 年収 550万円～900万円 |
| 待遇・福利厚生 | 経験・スキルに応じて変動します |
| 休日・休暇 | 完全週休二日（土日） |
| 応募資格 | 【必須要件】 ■半導体パッケージに関わる設計、開発業務経験 3年以上 ※上記に加え下記いずれかの専門性がある方 ■半導体パッケージに関する材料技術 ■製造プロセス技術 ■CAE解析 ■パワーモジュール設計 【歓迎要件】 ■リーダー経験 ■パワーエレクトロニクスに関する回路知識、故障解析、信頼性設計 ■英語力（日常会話、論文読解） ■PCスキル（事務処理、CAD）、 ■チームで業務を行う能力（協調性、責任感など） |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
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| 選考プロセス | - |
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