正社員
【業務内容】
■半導体前工程のプロセス開発
・SiCパワー半導体の生産性改善業務
・新規設備立上げ業務
・欠陥率低減、均一性改善業務
【募集背景】
■SiC事業の需要増加に伴う生産能力拡大、およびデバイス性能の高性能化実現に向けた体制強化
垂直統合型を強みとしてSiC事業を拡大しており、さらなる体制強化を図っていきたいと考えております。
【ポジションの魅力】
同社はSiC事業に注力しており、積極的に事業拡大を行っています。
若いメンバーも多く、非常に活気あふれた職場環境です。
また技術の進化や生産性などの改善による効果が非常に大きいため積極的にチャレンジできる環境です。
当部門は国内の前工程工場の横串部門で、工場と事業部の間を取り持ち品質改善や歩留まり改善を行っております。
半導体の前工程の様々なプロセスに携わることが可能な為、技術をもっと深掘りしていく、幅広い経験を積みジェネラリストを目指す、等ご本人の興味に合わせて、キャリアを選択できる環境があります。
【強み】
■ロームは、パワーデバイス分野において、Siを素材とした高耐圧のトランジスタ(MOSFET、IGBT)やダイオード(SBD、FRD)だけでなく、SiCを素材としたトランジスタ(SiC MOSFET)やダイオード(SiC SBD)の開発に強く取り組んでいます。中でもSiCデバイスは、2010年にSiC MOSFETの世界初量産を開始して以来、現在に至るまでSiCデバイスの技術と製品で業界をリードし続けています。
■SiCウェハの製造から、新たなデバイス構造、製造プロセス、パッケージ、品質管理の手法まで、SiCデバイスの進化に欠かせない技術を自社で開発する一貫生産体制を取っているロームだからこそ、業界に先駆けて高品質のSiCデバイスを開発することができます。
募集職種 |
技術職(電気、電子、機械) > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発(家電・AV・コンピュータ関連) |
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雇用形態 | 正社員 |
勤務時間 | - |
勤務地 | 福岡県筑後市大字上北島 |
交通 | - |
給与 | 年収 450万円~1000万円 |
待遇・福利厚生 | 経験・スキルに応じて変動します |
休日・休暇 | 完全週休二日(土日) |
応募資格 | 【必須要件】 ■半導体前工程のプロセス開発経験 【歓迎要件】 ■プラズマエッチングプロセス経験者、または薄膜プロセス経験者 ■SiCのエピタキシャルプロセスや成長装置に関するご経験 ■マネジメント経験 【求める人物像】 ■困難な状況でも、あきらめずやり遂げることができる人物。 ■課題に対して論理的に考え、打開策を見出し進めることができ人物。 |
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応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
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選考プロセス | - |
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