正社員
新規メモリ（低消費電力DRAM）の開発、製品化業務を行って頂きます。
【具体的な業務内容】
■酸化物半導体デバイスの開発
■酸化物半導体デバイスを用いた新規メモリ（低消費電力DRAM）の開発
1.デバイス特性の原理構築（物理の解明）
酸化物半導体メモリの基本動作特性を物理層から解明し、メモリ素子としての動作を確立
2.酸化物半導体素子のモデル化と最適化
TCAD解析を用いた高度なシミュレーションと試作結果の突合による素子構造/プロセスの最適化
3.デザインルールの策定（設計ルール定義）
将来の量産を見据え、安定的なデバイス構造の考案と設計ルールの定義
4.グローバルプレゼンスの確立
ISSCCやIEDMなどの国際学会を見据えた、世界最先端のテクニカルデータの創出
※使用ツール※
■電気特性測定：DCテスター、メモリテスター
■物理・故障解析：発光解析装置
■データ解析・可視化：統計的解析ツール（Spotfire）
■自動化・高度解析：Python
※ステークホルダー/関係者※
先端技術研究所内やその関係部署のプロセス開発、回路設計、信頼性評価、プロジェクトマネージャーと密に連携しております。研究開発と製品化の橋渡しを担う、非常に裁量の大きな環境です。
【組織のミッション】
■組織全体：新規デバイス、新規メモリ開発を進め、キオクシアの将来の事業の柱となるデバイスを研究開発していく組織です。
【募集背景】
3Dフラッシュメモリおよび新規メモリの開発を行っているキオクシアは、酸化物半導体トランジスタを用いた新しいDRAM（OCTRAM）技術を開発いたしました。この技術は、AIやポスト5G情報通信システムで利用される大規模メインメモリが搭載されるサーバーやIoT製品などの幅広いアプリケーションにおいて低消費電力化を実現する可能性がございます。今般は、特に新規メモリの開発において、メモリ素子動作および特性を熟知したデバイスエンジニアを必要としています。このため、メモリ開発経験のあるデバイス技術者を募集いたします。共に業務に邁進頂ける方の応募をお待ちしております。
【ポジションの魅力】
■既存のSi（シリコン）上デバイスとは異なる領域で培った「新規デバイス開発能力」は、次世代の半導体業界において、ご自身の圧倒的な希少価値（自己実現）へと繋がります。
■酸化物半導…
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 研究、特許、テクニカルマーケティングほか > 基礎研究（電気・電子・機械） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員 |
| 勤務時間 | - |
| 勤務地 | 三重県四日市市 |
| 交通 | - |
| 給与 | 年収 550万円～1200万円 |
| 待遇・福利厚生 | 経験・スキルに応じて変動します |
| 休日・休暇 | 完全週休二日(土日) |
| 応募資格 | 【必須要件】 ■酸化物半導体の知見 ■酸化物半導体を用いたデバイス開発の経験、知見 ■酸化物半導体を用いたメモリ開発の経験、知見 【歓迎要件】 ▼語学力（英語もしくは中国語） |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
|
| 選考プロセス | - |
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