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正社員
掲載予定期間：2026/7/27(月)〜2026/10/25(日)
【京都】デバイス開発設計（次世代SiC・GaNパワー半導体）ポテンシャル採用｜年休124日
～次世代SiC・GaNパワー半導体｜研究開発から量産化へ｜大手半導体メーカー出身者が集うプロ集団～
＼次世代パワー半導体を研究から量産へ／
当社は、電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる次世代パワー半導体を開発する“ファブレス半導体企業”です。
国内外の企業からの出資を受けながら、世界市場を見据えた事業を展開しています。
現在は、これまで培ってきた技術を製品として世の中へ届けるため、研究開発フェーズから量産フェーズへ移行を進めています。
世界のエネルギー効率向上に貢献する技術を、一緒に形にしていただける方を募集します。
▼仕事内容
トランジスタやダイオードなどのパワー半導体デバイスの設計・解析をお任せいたします。
【具体的には】
・デバイス構造の設計
・シミュレーション解析
・特性改善の検討
・試作評価
・ファウンドリとの技術連携
・量産化に向けた開発
※研究だけではなく、設計から量産立上げまで一貫して関われます。
▼開発製品
Wide Band Gap Power Devices
･SiC
･GaN など
当社の技術は海外自動車メーカーのEVやEV充電設備にも採用されています。
今後はさらなる量産化とグローバル展開を進めていきます。
▼教育体制
大手半導体メーカー出身のスペシャリストが多数在籍しています。
・TI
・ON Semiconductor
・日立
・三菱電機
・ルネサス
・ローム
第一線で活躍してきた技術者と共に開発できます。
▼その他
・年間休日数：124日
・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み
・従業員専用駐車場あり（会社負担）
・転居費用負担制度あり
・2026年内に京都リサーチパーク（京都市下京区中堂寺粟田町93）へ移転予定
▼当社について
◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。
変更の範囲：会社の定める業務
【チーム／組織構成】
【その他製品・プロジェクト事例】
【利用するツール・ソフト等】
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発（半導体・電子部品関連） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員
＜雇用形態補足＞ 期間の定め：無 ＜試用期間＞ 3ヶ月 条件の変更なし |
| 勤務時間 | ＜労働時間区分＞ 専門業務型裁量労働制 みなし労働時間/日：8時間00分 休憩時間：60分 時間外労働有無：無 ＜標準的な勤務時間帯＞ 9:00～18:00 ＜時短勤務＞ 相談可 |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり ＜勤務地詳細2＞ 京都リサーチパーク 住所：京都府京都市下京区中堂寺粟田町93 勤務地最寄駅：丹波口駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：会社の定める事業所 |
| 交通 | ＜勤務地補足＞ ・2026年内に京都リサーチパーク（京都市下京区中堂寺粟田町93）へ移転予定 ・従業員専用駐車場あり（会社負担） ＜転勤＞ 無 ＜在宅勤務・リモートワーク＞ 相談可 ＜オンライン面接＞ 可 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～700万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本給）：5,000,000円～7,000,000円 その他固定手当/月：5,000円 ＜月額＞ 421,666円～588,333円（12分割） ＜昇給有無＞ 有 ＜残業手当＞ 無 ＜給与補足＞ ※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。 通信手当 一律￥５，０００/月 支給 休日出勤・深夜残業代は別途支給 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 |
| 待遇・福利厚生 | 通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 ＜各手当・制度補足＞ 通勤手当：一律\12,000 ＊会社規程あり 社会保険：補足事項なし ＜定年＞ 65歳 再雇用制度あり（70歳まで） ＜副業＞ 可 ＜教育制度・資格補助補足＞ なし ＜その他補足＞ ■転職に伴う引越し費用負担（規定あり） ■服装自由 ■ストックオプション（規程あり） ■従業員専用駐車場あり 【その他】 ・裁量労働制について労働基準監督署に届出済み ・昇給については成果・実績に応じて配分あり |
| 休日・休暇 | 【休日・休暇】 完全週休2日制（休日は土日祝日） 年間有給休暇10日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります） 年間休日日数124日 年末年始休暇：６日 ＊当社カレンダーによる 副業：会社規程あり |
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ＜業界未経験歓迎・業種未経験歓迎・第二新卒歓迎＞ ■必須条件： ・半導体デバイスの動作原理や電気特性に関する知識をお持ちの方 ※大学や大学院での研究経験をお持ちの方も歓迎します。 ※SiC・GaN・MOSFETなどの次世代パワー半導体に興味がある方を歓迎します。 ＜語学補足＞ 【あれば尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方 |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。 |
| 選考プロセス | - |
| 会社名称 | Anjet Research Lab株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 〒615-8245 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203 |
| 事業内容 | ■事業内容： ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。 |
| 代表者 | - |
| URL | http://anjet.com/ja-jp/ |
| 設立 | 年2019年12月 |
| 資本金 | 70百万円 |
| 売上 | 11百万円 |
| 従業員数 | 13名 |
| 平均年齢 | - |
| 主要取引先 | - |
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