正社員
掲載予定期間:2024/4/8(月)〜2024/7/7(日)
【宮崎】プロセス開発(SiCエピウエハー、SiC基盤の研究開発)※WEB面接可/リモートワーク可
■職務内容:SiCエピ・SiC基板の研究開発、評価に関する業務をご担当いただきます。具体的には以下をご担当いただきます。
・装置立上:8インチSiCエピ装置及びその評価装置の立上、安定稼働 等
・エピ技術開発:8インチSiCエピ成長技術の研究開発(エピ特性の向上) 等
・基板評価:8インチSiC基板の評価・分析、基板メーカへの評価結果のフィードバック
■配属部署のミッション
配属部署のミッションは次世代SiCデバイスの開発及びSiCプロセス開発です。
■キャリアステップ
SiCデバイス事業部ではエピ・基板以外のSiCプロセス開発や次世代デバイスの設計の業務に加えてSiCデバイスの商品開発も担当しております。
本人の興味や職務適性を考慮の上、ゆくゆくはこれらの業務も担当することが可能です。
■ポジションの魅力
・幅広い経験ができる環境です。
世界トップレベルのSiCパワーデバイスの開発に従事できるというやりがいもあります。裁量の幅も広い為、個人のスペシャリティを見ながら柔軟に業務をお任せしています。
・エンジニアとして下記に興味のある方はやりがいを感じられる職場です。
*最先端のSiCパワーデバイス開発に従事したい方
*SiCの結晶成長技術の開発に従事したい方
*SiC基板・エピから製造プロセスまでの開発に従事したい方
■就業環境
・残業:月30時間程度
・リモートワーク:不可
・出張:有(年2~3回程度/国内)
■当社事業について:
電子機器の低消費電力性能を左右し、脱炭素のカギとなるキーデバイスである、炭化ケイ素(SiC)を使ったワー半導体を製造しており、世界で初めてSiCの量産化に成功しています。SiC半導体は電気自動車(EV)を中心に需要が急増しており、世界シェア30%を目指しております。
【チーム/組織構成】
募集職種 |
技術職(電気、電子、機械) > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発(半導体・電子部品関連) |
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雇用形態 | 正社員
<雇用形態補足> 期間の定め:無 <試用期間> 3ヶ月 ※試用期間中は休職制度の適用不可 |
勤務時間 | <労働時間区分> 専門業務型裁量労働制 みなし労働時間/日:8時間00分 休憩時間:60分(12:00~13:00) 時間外労働有無:有 <標準的な勤務時間帯> 8:30~17:30 |
勤務地 | <勤務地詳細> ラピスセミコンダクタ宮崎株式会社 住所:宮崎県宮崎市清武町木原727 勤務地最寄駅:JRきりしま線/日豊本線/清武駅 受動喫煙対策:敷地内全面禁煙 |
交通 | <転勤> 当面なし <在宅勤務・リモートワーク> 相談可(週2日リモート・在宅) <オンライン面接> 可 |
給与 | <予定年収> 550万円~900万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本給):213,000円~ <月給> 213,000円~ <昇給有無> 有 <残業手当> 有 <給与補足> ■賞与:年2回 ※2022年度実績平均年間6.05ヶ月 ■手当:技術手当、家族手当、通勤手当など ■年収モデル(手当付): ・28歳 550万円(月給30万円) ・35歳 780万円(月給42万円) 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 |
待遇・福利厚生 | 通勤手当、家族手当、住宅手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度 <各手当・制度補足> 通勤手当:会社の規定により支給 家族手当:18歳未満の子ども1人につき2,000円を支給 住宅手当:月45,000円(要件満たす方のみ/120か月迄) 社会保険:補足事項なし 厚生年金基金:補足事項なし 退職金制度:在籍1年以上 <定年> 60歳 <教育制度・資格補助補足> <研修制度>キャリア入社者研修、グレード別研修、役職別研修、その他資格取得案内や個人に合わせた自己啓発支援 <その他補足> ■休暇制度:結婚休暇、忌引休暇、罹災休暇、配偶者出産休暇、転勤休暇、出向休暇、公務休暇、伝染病隔離休暇、子の看護休暇、介護休暇、産前・産後休暇、生理休暇、育児休業、介護休業、ボランティア休暇 ■保険:健康保険、雇用保険、厚生年金保険、労災保険 ■福利厚生:コーポレートカード発行、社員食堂有、財形貯蓄、持株会、確定拠出年金制度 ■福利厚生パッケージ:「自己啓発」、「育児・介護」、「映画やゴルフなどのレジャー」、「ホテル・宿泊施設のご利用」、「様々な飲食店のクーポン」など、その他多数 |
休日・休暇 | 【休日・休暇】 完全週休2日制(休日は土日祝日) 年間有給休暇10日~20日(下限日数は、入社直後の付与日数となります) 年間休日日数130日 ■原則:土曜、日曜、国民の休日、夏季休暇、年末年始等 ■有給:入社時に10日間付与、2年目は15日付与(以降1年経過毎に1日ずつ加算) ■その他休暇:福利厚生欄に記載有 |
応募資格 | <最終学歴>大学院、大学卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・半導体の開発経験 ・英語力:海外グループ会社とのオンラインミーティングが月1回程度あり ■歓迎条件※下記いずれかのスキルを保有されている方 ・SiC等の化合物半導体エピ成長技術の知識、開発経験 ・SiC等の化合物半導体エピ評価の知識、開発経験 ・SiC等の化合物半導体基板の知識、開発経験 ・SiC等の化合物半導体デバイスプロセスの知識、開発経験 |
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応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。 |
選考プロセス | - |
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