| 仕事内容 | 【横浜／大阪】圧電セラミックスデバイスの研究開発 ◆HUAWEIの日本法人／開発費2兆円超 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆必須要件： ・材料、化学、その他の理工学関連専攻で修士号以上 ・圧電材料の特性、エネルギー変換メカニズム及び圧電トランスデューサの設計スキームに精通し、圧電材料の研究または圧電デバイスの設計スキームの経験を有し、産業チェ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【品川】システムLSI・FPGA開発エンジニア（リーダー候補）◆在宅勤務可・年休130日 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須要件：下記1,2のいずれかと3についての実務経験をお持ちの方 1. VerilogHDLまたはVHDLを用いたRTレベルの論理回路の設計経験（BusIF系、演算回路系につ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 720万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：東京都品川区西五反田2丁目18番2号 Cocoro Gotanda Bldg. 勤務地最寄駅：JR山手線／五反田駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜・大阪】材料プロセス開発（SAW／BAWフィルタ）※HUAWEIの日本法人／年休125日 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・半導体、物理、材料物性、電子関連の学士号以上 ・SAW／BAW作成プロセス（成膜・エッチング・フォトリソ・CMP・トリミング等）および各プロセスにおける主要課題の知見 ・圧電材料、電極材料、誘電体材料... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【横浜・大阪】インクジェットヘッド開発（MEMS）※HUAWEIの日本法人／年休125日／就業環境◎ |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・インクジェット技術およびMEMSデバイスの基礎的知識 ・MEMSインクジェットヘッド、MEMS振動デバイス、MEMSセンサ等の設計開発の専門知識 ・等価回路シミュレーションやFEMシミュレーションを用... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 横浜研究所 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜19F 受動喫煙対策：敷地内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜・大阪】プロセスインテグレーション（SiC・IGBT／パワーデバイス）※HUAWEIの日本法人 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ・半導体またはそのプロセス技術の研究、開発、製造における経験（目安20年以上） ・SiC／IGBTプロセスインテグレーション開発業務の知見 ・プロセスシミュレータの知見および高性能SiC／IGBTパワー半導体プロセス... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜・大阪】RFデバイス設計開発（GaN・SiC）HUAWEIの日本法人／年休125日／就業環境◎ |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・半導体、物理、材料、電子等の関連分野の専攻および半導体デバイスデザイン関連の経験（8年以上） ・GaN／SiC RFデバイスの開発経験を持ち、半導体デバイスの原理およびRFにおける半導体デバイスのアプ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【東京】CMPエンジニア ※電子デバイス受託開発・加工シェアトップクラス／転勤無し／月残業平均15h |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： 半導体、電子デバイスの製造プロセスの知見を有する方／同業界に携わった経験を有する方 ■歓迎要件： 半導体、電子デバイス、半導体製造装置、半導体用消耗品メーカーにおけるプロセス技術・エンジ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～800万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 赤羽工場 住所：東京都北区浮間1-2-27 勤務地最寄駅：埼京線／北赤羽駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【東京】接合エンジニア ※電子デバイス受託開発・加工シェアトップクラス／転勤なし／月残業平均15h |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： 半導体、電子デバイス業界に携わった経験を有する方／同業界に携わった経験を有する方 ■歓迎要件： 半導体、電子デバイス、半導体製造装置、半導体用消耗品メーカーにおける技術営業経験者 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～800万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 赤羽工場 住所：東京都北区浮間1-2-27 勤務地最寄駅：埼京線／北赤羽駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【関東】【未経験歓迎】半導体製造装置の開発職<年間休日126日/残業10h> |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・理系大学卒の方（専攻不問） |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 【関東】希望勤務地を考慮しながら決定いたします。 住所：関東エリア（東京都、神奈川県、埼玉県、千葉県、茨城県、群馬県、栃木県、山梨県） 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【神奈川県／未経験歓迎】UVレーザー(半導体露光装置)の開発設計※住宅手当など福利厚生◎ |
|---|---|
| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： 理系出身者、レーザーの知見、光学顕微鏡 ※学校や研修のみでもご応募可能です。 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 顧客先 住所：神奈川県 受動喫煙対策：屋内喫煙可能場所あり |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【神奈川県】開発計画立案、半導体試作支援業務 ※住宅手当など福利厚生◎／充実の教育体制／東証上場G |
|---|---|
| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： （トランジスタや受光素子、発光素子などの）電子デバイスの素子開発／プロセス開発にかかわる経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 顧客先 住所：神奈川県厚木市 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【神奈川県】車載用オーディオ用のLSI設計開発※住宅手当など福利厚生◎／充実の教育体制／東証上場G |
|---|---|
| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： アナログ開発設計経験 ■歓迎条件： 回路設計経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 顧客先 住所：神奈川県 受動喫煙対策：屋内喫煙可能場所あり |
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| 仕事内容 | 【山形／鶴岡】プロセス開発（半導体メーカー）◆山形県で長期キャリア形成も可能／年間休日123日◆ |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須 機械電気系のご経験をおもちの方(保全、生産技術、プロセス開発等) ■尚可 半導体関連の知識経験をお持ちの方 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～700万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 顧客先 住所：山形県鶴岡市 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【神奈川県横浜市】FPGA設計検証業務 ※住宅手当など福利厚生◎／充実の教育体制／東証上場G |
|---|---|
| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： FPGAを利用したシステム設計業務経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 顧客先 住所：神奈川県 受動喫煙対策：屋内喫煙可能場所あり |
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| 仕事内容 | 【横浜】高周波回路技術研究者※東証プライム上場企業／世界有数のグローバルものづくり企業 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必要条件：※下記いずれかに当てはまる方 ・高周波回路技術開発の経験 ・デジタル回路技術開発の経験 ・モデリング技術開発の経験 ・学会発表経験 ・海外渡航可能な英語力(TOEIC(R)テスト550点以上... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 550万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 横浜製作所 住所：神奈川県横浜市栄区田谷町1 勤務地最寄駅：各線／大船駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜】プロセスインフォマティクス研究者※東証プライム上場企業／世界有数のグローバルものづくり企業 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必要条件： ・機械学習/深層学習手法などを使ったデータ解析の経験 ・学会発表経験 ・海外渡航可能な英語力 ■歓迎条件： ・国際学会での発表経験 ・化合物半導体デバイスの知識 ・プログラミング技術を用... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 550万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 横浜製作所 住所：神奈川県横浜市栄区田谷町1 勤務地最寄駅：各線／大船駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【福岡／天神】システムLSI・FPGA開発エンジニア（リーダー候補）◆在宅勤務可・年休130日 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須要件：下記1,2のいずれかと3についての実務経験をお持ちの方 1. VerilogHDLまたはVHDLを用いたRTレベルの論理回路の設計経験（BusIF系、演算回路系につ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 650万円～720万円 ＜賃金形態＞ 月給制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 福岡開発センター 住所：福岡県福岡市中央区天神4丁目8番25号 オフィスニューガイアNIKKO天神 勤務地最寄駅：福岡市地下鉄空港線／天神駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【熊本】半導体エンジニア／設備保全※Web完結／創業150年の麻生G／待遇充実 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須要件： ・基本的なPC操作（Excel・PowerPointでの資料作成） ・半導体業界の経験がある方 ■歓迎 ・半導体製造工程の経験がある方 （リソ・イン... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～496万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ アソウ・アルファ熊本支店 住所：熊本県菊池郡菊陽町 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【京都/西院】パワーデバイス開発（GaN/開発～プロセス～評価まで）※リモートワーク有/年休130日 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■いずれか必須経験： ・半導体材料物性、半導体プロセスの知識 ・デバイス設計（パワー or RF GaNデバイス）、プロセス開発、製造・量産化の経験 ■歓迎要件： ・5名以上のグループ、課を率いた経験のある方、もし... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～900万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市右京区西院溝崎町21 勤務地最寄駅：阪急京都線／西京極駅 受動喫煙対策：敷地内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【京都/西院】製造技術エンジニア（パワーデバイス開発工程）※リモートワーク有/年休130日 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■いずれか必須経験： ・半導体プロセス開発のご経験（3年以上） ・デバイス設計、開発、製造のご経験（3年以上） ・工程改善、品質向上、歩留り改善、ライン立ち上げのご経験（3年以上） ■歓迎要件： ・化合物半導体に関... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～900万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市右京区西院溝崎町21 勤務地最寄駅：阪急京都線／西京極駅 受動喫煙対策：敷地内全面禁煙 |
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| 北海道・東北 | 北海道（35）｜ 青森県（24）｜ 岩手県（52）｜ 宮城県（69）｜ 秋田県（43）｜ 山形県（51）｜ 福島県（40）｜ |
|---|---|
| 関東 | 茨城県（74）｜ 栃木県（70）｜ 群馬県（62）｜ 埼玉県（91）｜ 千葉県（98）｜ 東京都（234）｜ 神奈川県（261）｜ |
| 北陸・北信越 | 新潟県（44）｜ 山梨県（43）｜ 長野県（100）｜ 富山県（39）｜ 石川県（45）｜ 福井県（33）｜ |
| 東海 | 岐阜県（60）｜ 静岡県（129）｜ 愛知県（221）｜ 三重県（62）｜ |
| 関西 | 滋賀県（69）｜ 京都府（86）｜ 大阪府（120）｜ 兵庫県（115）｜ 奈良県（27）｜ 和歌山県（26）｜ |
| 中国・四国 | 鳥取県（14）｜ 島根県（19）｜ 岡山県（80）｜ 広島県（65）｜ 山口県（43）｜ 徳島県（25）｜ 香川県（16）｜ 愛媛県（15）｜ 高知県（14）｜ |
| 九州 | 福岡県（78）｜ 佐賀県（35）｜ 長崎県（62）｜ 熊本県（98）｜ 大分県（39）｜ 宮崎県（32）｜ 鹿児島県（28）｜ 沖縄県（11）｜ |
| 海外 | アジア（0）｜ 中近東・アフリカ（0）｜ ヨーロッパ（0）｜ 北米（0）｜ 中南米（0）｜ オセアニア（0）｜ 海外（16）｜ |
