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| 仕事内容 | 【配属部署】茨城事業所 【募集背景】GaNはパワー半導体デバイス材料として、当社として半導体分野の中でも戦略的に拡充していくべき技術領域であり、GaN基板事業の拡大・次世代製品の開発強化に伴う募集です。 当社独自のGaN（窒化ガリウム）単結晶基板製造技術（液相法）のリーダーとして、結晶成長技術開発をリードしていただきます。 同技術は、高温高圧の超臨界アンモニア中で結晶を成長させる液相成長法で、低 |
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| 応募資格 | 【必須条件】 ・専攻：結晶成長、結晶工学、無機材料合成、生産技術、分析・物性いずれか ・結晶成長（バルク単結晶・エピタキシャル成長など、手法・材料は問わない）に関する研究開発または生産技術の実務経験（5年以上） ・その他：研究開発テーマまたはプロジェクトを中心となって推進し... |
| 給与 | 年収 800万円～1300万円 |
| 勤務地 | 茨城県牛久市 |
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| 会社名 | 国内大手の石油化学メーカー |
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| 所在地 | - |
| 紹介文 | - |
| 業種 | - |
| 設立 | - |
| 代表者 | - |
| 資本金 | - |
| 売上 | - |
| 従業員数 | - |
| URL | |
| 事業内容 | 国内大手の石油化学メーカー。 |
| 主要取引先 | - |
| 主要取引銀行 | - |
