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正社員
【配属部署】茨城事業所
【募集背景】GaNはパワー半導体デバイス材料として、当社として半導体分野の中でも戦略的に拡充していくべき技術領域であり、GaN基板事業の拡大・次世代製品の開発強化に伴う募集です。
当社独自のGaN（窒化ガリウム）単結晶基板製造技術（液相法）のリーダーとして、結晶成長技術開発をリードしていただきます。
同技術は、高温高圧の超臨界アンモニア中で結晶を成長させる液相成長法で、低欠陥・高品質なGaN基板を実現できる技術です。共同開発先の設備メーカーや国内外の会社、大学、研究機関とも連携しながら、量産化に向けた技術課題の解決を推進いただきます。
具体的には、以下業務項目を担当いただきます。
＜担当業務項目＞
・液相成長による化合物半導体単結晶基板の技術開発、および開発テーマの推進
（ご経験に応じてご依頼する業務）
・チームメンバーの業務管理と育成
・共同開発先との技術協議・調整
＜ミッションテーマ例＞
・欠陥密度の低減、不純物の低減
・成長速度の制御、生産性・歩留まりの改善
・大口径化（6～8インチ）に向けた技術開発
・安定製造技術の確立と製造部門への技術移管
| 募集職種 |
技術職系（素材、食品、メディカル、バイオ） > 素材、半導体素材、化成品、バイオ関連 > 製品開発（素材・半導体素材・化成品・バイオ） 技術職系（素材、食品、メディカル、バイオ） > 素材、半導体素材、化成品、バイオ関連 > 生産技術・生産管理（素材・半導体素材・化成品・バイオ） 技術職系（素材、食品、メディカル、バイオ） > 素材、半導体素材、化成品、バイオ関連 > 品質管理・保証（素材・半導体素材・化成品・バイオ） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員 |
| 勤務時間 | - |
| 勤務地 | 茨城県牛久市 |
| 交通 | - |
| 給与 | 年収 800万円～1300万円 |
| 待遇・福利厚生 | 880万円～1390万円 |
| 休日・休暇 | 会社規定による |
| 応募資格 | 【必須条件】 ・専攻：結晶成長、結晶工学、無機材料合成、生産技術、分析・物性いずれか ・結晶成長（バルク単結晶・エピタキシャル成長など、手法・材料は問わない）に関する研究開発または生産技術の実務経験（5年以上） ・その他：研究開発テーマまたはプロジェクトを中心となって推進した経験 【歓迎要件】 ・学歴：博士号 ・結晶工学に関する分野の博士号、またはそれに準ずる結晶工学分野での学術経験(大学での研究テーマ、留学経験）を有すること。 ・半導体基板・化合物半導体・単結晶材料メーカーでの就業経験（3年以上） ・半導体基板の成長技術開発経験、結晶成長、結晶工学、無機材料合成、生産技術、分析・物性のいずれかの分野の研究開発経験、ソルボサーマル法による単結晶成長技術で複数の量産立ち上げ実績。 ・化合物半導体事業、電子デバイス事業の基本的な理解。半導体基板メーカー経験者、SiC基板成長経験者歓迎。 ・語学力：英語 語学：英語（TOEIC500点以上） |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
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| 選考プロセス | - |
| 会社名称 | 国内大手の石油化学メーカー |
|---|---|
| 所在地 | - |
| 事業内容 | 国内大手の石油化学メーカー。 |
| 代表者 | - |
| URL | |
| 設立 | - |
| 資本金 | - |
| 売上 | - |
| 従業員数 | - |
| 平均年齢 | - |
| 主要取引先 | - |
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