正社員
掲載予定期間：2024/3/21(木)〜2024/6/19(水)
【京都／転勤なし】パワー半導体デバイスの設計開発 ※業界最先端の技術開発／年休120日
～業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業／大手半導体メーカー出身社員（10~30年以上の経験を有するメンバー）と共に高度な技術開発ができ、顧客の要望に沿った製品を一から作り上げることができます～
■業務内容：
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。
■採用背景：
SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制・信頼性確保・量産体制を強化するための採用です。
■配属先情報：
大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で１0～30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができます。
■成長計画：
パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。
■当社について：
高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。
大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。
2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。
【チーム／組織構成】
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発（半導体・電子部品関連） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員
＜雇用形態補足＞ 期間の定め：無 ＜試用期間＞ 3ヶ月 条件の変更なし |
| 勤務時間 | ＜労働時間区分＞ 専門業務型裁量労働制 みなし労働時間/日：8時間00分 休憩時間：60分 時間外労働有無：有 ＜標準的な勤務時間帯＞ 9:00～18:00 |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり |
| 交通 | ＜勤務地補足＞ マイカー通勤可能（有料） ＜転勤＞ 無 ＜オンライン面接＞ 可 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本給）：6,000,000円～11,000,000円 ＜月額＞ 500,000円～916,666円（12分割） ＜昇給有無＞ 有 ＜残業手当＞ 無 ＜給与補足＞ 賞与:なし 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 |
| 待遇・福利厚生 | 通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 ＜各手当・制度補足＞ 通勤手当：上限2万円 社会保険：補足事項なし ＜定年＞ 65歳 ＜教育制度・資格補助補足＞ なし ＜その他補足＞ ※転居費用負担 / 規定有 ※駐車場は有料（8,800円／月） 【その他】 ・裁量労働制について労働基準監督署に届出済み ・昇給については成果・実績に応じて配分あり |
| 休日・休暇 | 【休日・休暇】 完全週休2日制（休日は土日祝日） 年間有給休暇10日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります） 年間休日日数120日 年末年始休暇 |
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件：パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方 （例）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験、ファンドリーでのデバイス試作経験 等 ■歓迎条件※あれば尚可 デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験 パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験 ＜語学力＞ 歓迎条件：英語中級、中国語（北京語）中級、中国語（広東語）中級 ＜語学補足＞ 【あれば尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方 |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。 |
| 選考プロセス | - |
| 会社名称 | Anjet Research Lab株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 〒615-8245 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 |
| 事業内容 | ■事業内容： ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、 アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。 |
| 代表者 | - |
| URL | http://anjet.com/ja-jp/ |
| 設立 | 年2019年12月 |
| 資本金 | 70百万円 |
| 売上 | 11百万円 |
| 従業員数 | 8名 |
| 平均年齢 | - |
| 主要取引先 | - |
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