正社員
掲載予定期間：2024/3/28(木)〜2024/6/26(水)
【熊本】パワー半導体デバイスのプロセス技術開発（表面担当） ※需要拡大中のパワー半導体工場／積極投資
■業務内容：
IGBT、Diode、MOSFETなどの半導体デバイス（チップ）製造プロセス技術開発を担当頂きます。
「省エネ」「地球環境保全」など電力の効率利用が世界の主流となるなか、そのカギを握るパワー半導体は市場全体が拡大しており、
当社としても2025年度までの今後5年間でパワー半導体事業に1300億円を投資することを表明しています。
デバイス構造の開発や改善プロセスなどの技術開発（主にウエハの表面工程のプロセス技術開発を担当）を担当頂きます。
当社のパワーデバイスは世界トップクラスのシェアを誇り、新規工場や新製造ライン立上など早期の生産能力増強を計画しています。こうしたなか、競争力のあるデバイスをさらにレベルアップさせる技術者を求めています（SiCの技術者も募集中）
■強み／魅力：
自動車、FA制御、空調冷熱システム、ビルシステムなど、総合電機メーカーとして社内顧客を多く抱えることで技術を磨かれてきた点が同社のパワー半導体事業が国内トップまで成長出来た大きな背景です。とはいえ今後は市場全体が年率平均12％成長（当社推定）するなか、グループの垣根を超えた販路拡大も多くなる予定であり、
自身の仕事が脱炭素社会の実現など未来の子供たちのための業務に繋がる点で社会的意義が大きい業務です。
【チーム／組織構成】
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発（半導体・電子部品関連） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員
＜雇用形態補足＞ 期間の定め：無 ＜試用期間＞ 3ヶ月 当期間での待遇に変更はありません |
| 勤務時間 | ＜労働時間区分＞ フレックスタイム制 コアタイム：10:30～15:00 フレキシブルタイム：6:00～10:30、15:00～21:15 休憩時間：45分 時間外労働有無：有 ＜標準的な勤務時間帯＞ 8:30～17:00 |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ パワーデバイス製作所 熊本事業所 住所：熊本県合志市御代志997 勤務地最寄駅：熊本電鉄 菊池線／御代志駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
| 交通 | ＜転勤＞ 当面なし 全社的にも事業部を跨いだ転勤の可能性は低いものの、パワーデバイス事業部内での制度上での可能性はあります（福岡／熊本） ＜在宅勤務・リモートワーク＞ 相談可（在宅） ＜オンライン面接＞ 可 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 550万円～900万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）：230,000円～400,000円 ＜月給＞ 230,000円～400,000円 ＜昇給有無＞ 有 ＜残業手当＞ 有 ＜給与補足＞ ■昇給：年1回（4月）、賞与：年2回（6月、12月） 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 |
| 待遇・福利厚生 | 通勤手当、家族手当、住宅手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度 ＜各手当・制度補足＞ 通勤手当：マイカー通勤可（駐車料金2,000円/月） 家族手当：子供（22歳未満）14000円／配偶者9000円 住宅手当：規定あり 寮社宅：規定あり 社会保険：補足事項なし 厚生年金基金：補足事項なし 退職金制度：退職金前払制度選択可。確定拠出年金制度あり ＜定年＞ 60歳 65歳までの雇用延長制度有り ＜教育制度・資格補助補足＞ 職能別研修、国際化研修(海外要員育成留学制度、海外派遣者研修、語学強化講座など)、技術部門研修(MELCOゼミナール、技術部会など)、海外OJT制度 ＜その他補足＞ ・セレクトプラン：毎年83,000円分のポイントが付与され、啓発や貯蓄、旅費、社内製品や育児品の購入などに使用可能な制度 ・健康plus：毎年5,000円分のポイントが付与され、人間ドック、インフルエンザ予防接種、歯のクリーニング（自由診療）費用等を補助する制度 ・各種出産・育児支援制度 ・住宅融資、団体体命保険、財形貯蓄、社員持株 ・保養所施設・契約リゾート施設・スポーツ など |
| 休日・休暇 | 【休日・休暇】 完全週休2日制（休日は土日祝日） 年間有給休暇20日～25日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります） 年間休日日数129日 ほか、年末年始休暇、夏期休暇、会社創立記念日、チャージ休暇、転任休暇、結婚休暇、忌引休暇、セルフサポート休暇 など |
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須要件：※下記いずれか ・半導体デバイス（チップ）構造の設計経験者 ・半導体プロセス技術の開発経験者 ・プロセスインテグレーションの担当者 ■歓迎要件： ・新規プロセス技術の開発に意欲的な方 ・SiCに関して、結晶やエピタキシャル成長技術に関するスキルをお持ちの方 ・半導体装置メーカーでの業務経験をお持ちの方 |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。 |
| 選考プロセス | - |
| 会社名称 | 三菱電機株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 〒100-8310 東京都千代田区丸の内2-7-3 東京ビル |
| 事業内容 | ■事業の特徴： ホームエレクトロニクスから情報システム・通信機器、産業機械、プラント、さらには宇宙開発関連機器に至るまで、幅広い分野をカバーする総合電機メーカーです。中でも特徴ある事業として、宇宙開発、FA（産業用）機器、社会インフラシステムの3つが挙げられます。三菱電機の宇宙開発の歴史は長く、人類初の人工衛星スプートニク1号が打ち上げに成功して間もない1960年、日本で初めての人工衛星づくりに着手しました。以来、1998年3月に打ち上げたCOMETS「さきがけ」までの32個の実用衛星のうち、15個の主契約企業またはシステムインテグレーター（取り纏め企業）を担当した実績を誇ります。 |
| 代表者 | 代表者 漆間 啓（2021年7月28日就任） |
| URL | http://www.mitsubishielectric.co.jp |
| 設立 | 年1921年1月 |
| 資本金 | 175,820百万円 |
| 売上 | 4,770,000百万円 |
| 従業員数 | 35,136名 |
| 平均年齢 | 40.7歳 |
| 主要取引先 | - |
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