正社員
【パソナキャリア経由での入社実績あり】
【業務内容】
パワーデバイス材料研究、デバイス開発
・SiCウェハガス成長法の研究開発
・SiCエピタキシャル成長の研究開発
・横型GaN-HEMTのデバイス開発
・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発
・α酸化ガリウム半導体研究開発
・β酸化ガリウム半導体研究開発
・ダイヤモンド半導体研究開発
【募集背景】
パワエレ第2開発部では、車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行っております。第一原理計算や機械学習を駆使した装置・レシピ開発で、世界でも随一の高速かつ高品質な結晶成長を目指しております。また、ポストSiCデバイスとして、GaNや酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体など次世代のパワーデバイスの研究開発を大学や企業と連携して行っております。
※技術系としての採用となります。
※同社の社員として某社に出向いただきます。
＜某社について＞
■半導体エレクトロニクス技術/次世代の車載半導体開発
■2020年設立の新興企業
某社ではモビリティ技術革新の核となる「パワーエレクトロニクス」「センサ」「SoC」の3分野において、研究・先行開発および半導体を用いた電子部品の開発を行っております。
半導体メーカーや材料メーカー等でのご経験を持つ、多くのキャリア入社の方が活躍しております。
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発（家電・AV・コンピュータ関連） 技術職（電気、電子、機械） > 研究、特許、テクニカルマーケティングほか > 基礎研究（電気・電子・機械） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員 |
| 勤務時間 | - |
| 勤務地 | 愛知県 |
| 交通 | - |
| 給与 | 年収 600万円～1200万円 |
| 待遇・福利厚生 | 経験・スキルに応じて変動します |
| 休日・休暇 | 完全週休二日（土日） |
| 応募資格 | 【必須要件】 ■パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル） ■半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること 【歓迎要件】 ■第一原理計算、T-CADシミュレーション経験 ■エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上） ■ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上） |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
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| 選考プロセス | - |
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