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【Anjet Research Lab株式会社】【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善※業界最先端の技術開発/年休120日【転職支援サービス求人】(正社員)

Anjet Research Lab株式会社 求人更新日:2024年9月15日 求人ID:36772252
求人の特徴
  • 女性活躍
  • 週休2日
  • 土日祝休み
  • 年間休日120日以上
  • 第二新卒歓迎
  • 転勤なし・勤務地限定

仕事内容

掲載予定期間:2024/9/12(木)〜2024/12/4(水)


【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善※業界最先端の技術開発/年休120日


~★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか?★/業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業/電気自動車(EV)や再生可能エネルギーの普及によって需要が高まっている「パワー半導体」を扱っております!~

■採用背景:
SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、製品仕様の決定のための信頼性評価技術・歩留まり向上技術の体制確立が急務の為、それに伴う人材の強化を進めています。

■業務内容:
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします。
【変更の範囲:会社の定める業務】

■配属先情報:
大手半導体メーカー(TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム)等で20~30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができます。

■成長計画:
パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。

■当社について:
◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。
◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。
◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。
◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。

変更の範囲:本文参照

【チーム/組織構成】
【その他製品・プロジェクト事例】
【利用するツール・ソフト等】

募集要項

募集職種 技術職(電気、電子、機械) > 品質管理、製品評価、品質保証、生産管理 > 品質管理・テスト・評価(電気・電子・機械)
雇用形態 正社員  
<雇用形態補足>
期間の定め:無

<試用期間>
3ヶ月
条件の変更なし
勤務時間 <労働時間区分>
専門業務型裁量労働制
みなし労働時間/日:8時間00分
休憩時間:60分
時間外労働有無:無

<標準的な勤務時間帯>
9:00~18:00
勤務地 <勤務地詳細>
本社
住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
受動喫煙対策:敷地内喫煙可能場所あり
変更の範囲:本文参照
交通 <勤務地補足>
【変更の範囲:無】

<転勤>


<オンライン面接>
給与 <予定年収>
700万円~1,100万円

<賃金形態>
年俸制

<賃金内訳>
年額(基本給):7,000,000円~11,000,000円

<月額>
583,333円~916,666円(12分割)

<昇給有無>


<残業手当>


賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。
待遇・福利厚生 通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険

<各手当・制度補足>
通勤手当:上限2万円
社会保険:補足事項なし

<定年>
65歳

<教育制度・資格補助補足>
なし

<その他補足>
※転居費用負担 / 規定有
※駐車場は有料(8,800円/月)
【その他】
・裁量労働制について労働基準監督署に届出済み
・昇給については成果・実績に応じて配分あり
休日・休暇 【休日・休暇】
完全週休2日制(休日は土日祝日)
年間有給休暇10日~20日(下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります)
年間休日日数120日

年末年始休暇

応募方法

応募資格 <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

<応募資格/応募条件>
■必須条件:
以下いずれかのご経験がある方
(1)パワー半導体デバイス(SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等)のチップ設計・開発の経験
(2)ファウウンドリーでのデバイス試作経験
(3)デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)の使用経験
(4)パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
(5)半導体デバイスの信頼性評価技術の実務経験



<語学補足>
【必須】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
応募方法 このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
選考プロセス -

企業情報

会社名称 Anjet Research Lab株式会社
所在地 〒615-8245
京都府京都市西京区御陵大原1-39
京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
事業内容 ■事業内容:
GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。
日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。
代表者 -
URL http://anjet.com/ja-jp/
設立 年2019年12月
資本金 70百万円
売上 11百万円
従業員数 12名
平均年齢 -
主要取引先 -
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