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【新電元工業株式会社】【埼玉・朝霞】パワーMOSFETのプロセス開発(前工程)※プライム市場上場/年休129日【転職支援サービス求人】(正社員)

新電元工業株式会社 求人更新日:2024年9月26日 求人ID:36848575
求人の特徴
  • 女性活躍
  • 上場企業
  • フレックス勤務
  • 週休2日
  • 土日祝休み
  • 年間休日120日以上
  • 社宅・家賃補助あり

仕事内容

掲載予定期間:2024/9/26(木)〜2024/12/18(水)


【埼玉・朝霞】パワーMOSFETのプロセス開発(前工程)※プライム市場上場/年休129日


【プライム市場上場/パワーダイオード世界2位のグローバル企業/国内でも「ブリッジダイオードの新電元」として地位確立/平均勤続年数17年で定着率良好】

■業務内容:Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務をお任せいたします。具体的には、プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価などから、ご経験やスキルに応じて業務をアサインしていきます。
(業務の変更の範囲:会社の定める業務)

■案件の魅力:
・市場ニーズの高い製品を扱います。リチウムイオン電池の技術進化と環境意識の高まりなどを受け、車載用電装市場においても急速に電動化が進んでいます。そうした中で、デバイス、回路、実装技術を併せ持つ強みを活かし、お客様とも共同で開発テーマに取り組んでおり、当社の存在意義も高まっています。

■企業の魅力:
◇電装/エネルギーシステム/電子デバイスの3事業で偏りなく業績のバランスが取れており安定しています。各事業部にシェアNo.1製品もそれぞれございます。
◇年間休日129日、平均有給取得率も60%程度とワークライフバランスが整っています。また、業務以外のサークル活動なども充実しており、希望者は就業後やオフにも部門を越えスポーツや趣味を充実させることもできます。

【チーム/組織構成】

募集要項

募集職種 技術職(電気、電子、機械) > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発(半導体・電子部品関連)
技術職系(素材、食品、メディカル、バイオ) > 素材、半導体素材、化成品、バイオ関連 > 製品開発(素材・半導体素材・化成品・バイオ)
雇用形態 正社員  
<雇用形態補足>
期間の定め:無
補足事項なし

<試用期間>
2ヶ月
試用期間中も待遇に差はなし
勤務時間 <労働時間区分>
フレックスタイム制
コアタイム:10:30~14:30
フレキシブルタイム:5:00~10:30、14:30~22:00
休憩時間:60分
時間外労働有無:有

<標準的な勤務時間帯>
9:00~17:30
勤務地 <勤務地詳細>
朝霞事業所
住所:埼玉県朝霞市幸町3丁目14番1号
受動喫煙対策:屋内全面禁煙
交通 <勤務地補足>
勤務地の変更の範囲:会社の定める事業所

<転勤>
当面なし
転勤は当面想定していません。

<在宅勤務・リモートワーク>
相談可(在宅)

<オンライン面接>
給与 <予定年収>
500万円~1,000万円

<賃金形態>
月給制
特記事項なし

<賃金内訳>
月額(基本給):290,000円~610,000円

<月給>
290,000円~610,000円

<昇給有無>


<残業手当>


<給与補足>
■経験・能力等を十分に考慮の上、当社規程により決定します。
■賞与:4か月程度

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。
待遇・福利厚生 通勤手当、家族手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度

<各手当・制度補足>
通勤手当:全額支給
家族手当:配偶者18,000円/月、子5,000円/月
寮社宅:借上社宅あり
社会保険:社会保険完備
退職金制度:会社規定により支給

<定年>
65歳

<教育制度・資格補助補足>
階層別研修、職種別専門教育、基礎技術教育講座、基礎営業教育講座、品質管理教育、安全衛生教育、国際企業人教育、国内留学制度、通信教育支援制度、社内研修支援制度、社外研修会参加援助、中途入社者研修 他


<その他補足>
■社内財形貯蓄
■住宅融資
■社員持株会
■退職年金
■介護休業・育児休業
■施設:診療所、社員食堂
■クラブ活動:陸上、野球、サッカー、バスケットボール、バレーボール、テニス、バドミントン、写真 他
休日・休暇 【休日・休暇】
完全週休2日制(休日は土日祝日)
年間有給休暇16日~24日(下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります)
年間休日日数129日

メーデー、GW、夏季休暇、年末年始休暇(5日)、慶弔休暇、創立記念日、有給休暇、妊娠通院休暇、リフレッシュ休暇、看護休暇 等

応募方法

応募資格 <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

<応募資格/応募条件>
【必須要件】
・半導体プロセス開発/デバイス開発のご経験

【歓迎要件】
・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務、又は製品開発業務の実務経験
・デバイスシミュレータのスキル
・プロセスシミュレータのスキル
・TEG(マスク)設計CADのスキル
・静特性測定、動特性測定のスキル
・半導体デバイスに関する特許取得
応募方法 このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
選考プロセス -

企業情報

会社名称 新電元工業株式会社
所在地 〒100-0004
東京都千代田区大手町2-2-1
新大手町ビル4F
事業内容 ■事業概要:
パワー半導体・電源・電装製品等を、家電・情報通信・二輪車・四輪車等の産業に供給するメーカーです。創業70周年を迎える、世界各国に拠点を有するグローバル企業です。すべての電化製品に組み込まれ、製品を動かす為には必要不可欠な「電源」。新電元では電力変換効率を極限まで追求することでエネルギー資源を節減し、地球温暖化対策や環境負荷の低減に向けた技術開発を続けています。半世紀以上にわたり蓄積した独創的なテクノロジーを駆使し、新しい機能・性能、付加価値を持つ電源を創造しています。
代表者 -
URL http://www.shindengen.co.jp/top_j/index.html
設立 年1949年8月
資本金 17,823百万円
売上 102,261百万円
従業員数 5,276名
平均年齢 43.1歳
主要取引先 -
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