正社員
掲載予定期間:2024/10/10(木)〜2025/1/8(水)
【富山/魚津市】半導体結晶成長技術/デバイス・プロセス技術開発◆在宅可・フルフレックス◆年休127日
■業務内容:
パワーGaNトランジスタ用のエピタキシャルウェハや、トランジスプロセスの開発と量産化に向けた、結晶成長技術開発/ウエハプロセス開発/工程設計/量産技術開発/評価・解析等をお任せします。
■具体的には:
(1)パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発
・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術の開発
・安定生産を実現する量産化技術の開発
(2)パワーGaNトランジスタのウエハプロセス開発
・化合物半導体(GaN系)のプロセス要素技術開発(成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など)
・パワーGaNトランジスタの製造プロセス開発(電極構造の形成、共振器構造の形成など)
・パワーGaNトランジスタのデバイス特性評価
■当社について:
元々はパナソニック株式会社の中で半導体事業の役割を担っていましたが、2020年9月に台湾のウィンボンド・エレクトロニクス社傘下のヌヴォトンテクノロジー社に譲渡されています。国内有数のグローバル企業であるパナソニック社と台湾外資で先鋭的な事業展開を繰り広げるヌヴォトン社の企業文化が折衷された組織風土があります。
■事業の強み:
パナソニック内で長年培ったコア技術をベースに、半導体デバイスだけではなくソフトウェア技術を含めたセンシング分野とパワーマネジメント分野で業界トップクラスの技術力があります。特に強みとしているのは「空間認識」と「電池応用」の二本の柱で、半導体業界を牽引しています。
変更の範囲:会社の定める業務
【チーム/組織構成】
【その他製品・プロジェクト事例】
【利用するツール・ソフト等】
募集職種 |
技術職(電気、電子、機械) > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発(半導体・電子部品関連) 技術職(電気、電子、機械) > 研究、特許、テクニカルマーケティングほか > 基礎研究(電気・電子・機械) |
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雇用形態 | 正社員
<雇用形態補足> 期間の定め:無 <試用期間> 3ヶ月 ※期間中の待遇に変更はありません。 |
勤務時間 | <労働時間区分> フレックスタイム制 フレキシブルタイム:6:00~22:00 休憩時間:45分 時間外労働有無:有 <標準的な勤務時間帯> 8:30~17:00 |
勤務地 | <勤務地詳細> 富山(魚津)拠点 住所:富山県魚津市東山800 勤務地最寄駅:魚津駅 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 変更の範囲:会社の定める事業所(リモートワーク含む) |
交通 | <転勤> 当面なし <在宅勤務・リモートワーク> 相談可(在宅) <オンライン面接> 可 |
給与 | <予定年収> 500万円~1,000万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本給):215,500円~590,000円 <月給> 215,500円~590,000円 <昇給有無> 有 <残業手当> 有 <給与補足> ※年収はあくまでも目安であり、正式には社内規定や経験、前職給与額などに沿って決定します。 ■昇給:年1回 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 |
待遇・福利厚生 | 通勤手当、家族手当、住宅手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度 <各手当・制度補足> 通勤手当:通勤交通費全額支給 家族手当:条件該当者のみ対象 住宅手当:条件該当者は独身寮・社宅入居、または住居手当を支給 寮社宅:条件該当者は独身寮・社宅入居、または住居手当を支給 社会保険:補足事項なし 厚生年金基金:補足事項なし 退職金制度:企業型確定拠出年金制度 <教育制度・資格補助補足> 職能別、事業場別研修のほか、各種社外研修や海外留学制度など、充実した研修制度があります。 <その他補足> ■制度:持株制度、財形貯蓄制度、企業年金制度 等 ■施設:保養施設、医療施設 等 |
休日・休暇 | 【休日・休暇】 完全週休2日制(休日は土日祝日) 年間有給休暇10日~25日(下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります) 年間休日日数127日 年末年始休暇、夏季休暇、年次有給休暇(入社後10日~、翌年度以降最高25日※翌年度まで繰越可、時間単位取得可)、ファミリーサポート休暇、キャリア開発休暇、慶弔休暇、長期節目休暇など |
応募資格 | 学歴不問 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・半導体のデバイス・プロセス開発業務経験 (3年目安) ・材料物性、半導体プロセス技術の知識 ・TOEIC(R)テスト(R)400点以上 ・GaNトランジスタに興味がある ・Si基板上のGaNエピタキシャル結晶成長、GaNトランジスタのプロセス開発に興味がある ※電気、電子、物理、化学、材料など、さまざまな技術や経験が活かせる職場です。 ■歓迎条件: ・半導体プロセス設備、エピタキシャル成長装置を扱った経験 ・化合物半導体材料、物性の知識 <語学力> 必要条件:英語初級 |
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応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。 |
選考プロセス | - |
会社名称 | ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社 |
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所在地 | 〒617-8520 京都府長岡京市神足焼町1 |
事業内容 | ■事業内容: 同社は、「半導体」「ファンドリー&OSAT事業」の2つの事業領域で、社会に貢献していきます。 |
代表者 | - |
URL | https://www.nuvoton.co.jp |
設立 | 年2020年9月 |
資本金 | - |
売上 | - |
従業員数 | - |
平均年齢 | - |
主要取引先 | - |
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