正社員
【職務概要】
SiCパワーデバイス開発エンジニアとして業務を担当いただきます。
福岡の子会社に駐在していただく予定です。
【職務詳細】
■SiCパワーデバイス開発・設計
■SiCパワーデバイスプロセス開発
SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、
従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が
可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。
【世界をリードするSiCパワーデバイス】
2009年に欧州のSiC単結晶ウエハメーカーを同社グループの一員に迎え、
ウエハ／金型／リードフレーム／パッケージ製造まで全てのプロセスを
グループ内で独自に開発することができる体制を確立しました。
2025年までにSiCの生産能力を2017年の16倍まで拡大し、
市場シェアも業界トップクラスを目指し、
グループ生産拠点も2020年に新棟を竣工予定です。
【業務内容変更の範囲】
同社業務全般
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 半導体設計 > システムLSI設計 技術職（電気、電子、機械） > 研究、特許、テクニカルマーケティングほか > 基礎研究（電気・電子・機械） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員 |
| 勤務時間 | - |
| 勤務地 | 〒834-0111 福岡県八女郡広川町日吉1164-2 広川ICより車で約5分 JR鹿児島本線「西牟田」駅より車で約15分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
| 交通 | - |
| 給与 | 年収 500万円～800万円 |
| 待遇・福利厚生 | ■年収：500万～850万円 月給制：月額224000円 賞与：年2回（6月・12月、年間平均4ヶ月） 昇給：あり ■雇用形態：正社員 契約期間：無期 試用期間：有(3ヶ月) ■福利厚生： 通勤手当（上限4万円）、退職金制度、住宅制度（結婚都合補助、入社都合補助、持家援助金制度、転勤都合補助など）、社内厚生施設（社員食堂、カフェテリア、フィットネスルームなど） ■勤務時間：8：15～17：15 休憩時間：60分 ■喫煙情報：敷地内禁煙 |
| 休日・休暇 | 週休2日制（土日）、祝日、夏季休暇、年末年始休暇、有給休暇（最大20日） |
| 応募資格 | 【必須】 ■いずれかの経験がある方 ・半導体前工程のデバイスインテグレーション経験 ・半導体前工程の工程欠陥改善経験 【このような方におすすめです】 同社の原動力は「チャレンジ精神」です！ 今後の更なる飛躍を目指し、 志が高い方、情熱を持った方にはおすすめの企業です。 35歳以下 【年齢制限理由】 長期勤続によるキャリア形成を図る観点から、若年者等を期間の定めのない労働契約の対象として募集・採用するため |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
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| 選考プロセス | - |
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