【三菱電機株式会社】化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発（正社員）

【パソナキャリア経由での入社実績あり】
◆同社において、光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。

【具体的には…】※業務内容例※
■InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長
・MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長
・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整
・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など）
■薄膜の評価および解析
・エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など）
・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化
・光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析
● エピ成長条件の最適化と再現性向上
・結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など）
・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討
・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化
・エピ成長装置のメンテナ・安定動作管理
■新規材料／構造のプロセス開発
・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発
・新デバイス用途への新規材料展開
※将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。

【募集背景】
■1960年代より積み重ねてきた研究開発の歴史を継承し、今もなお進化を続ける当社の化合物半導体技術。その技術から生み出される高周波・光デバイスは、AIの普及で大量の情報を処理するデータセンター、5Gなどの通信インフラ、センシング等に使用されており、性能面で他社の追随を許さず、国内外でトップクラスのシェアを誇ります。近年、通信トラフィックは急速に増大しており、お客様からの期待に応えるため、この度生産能力を大きく引き上げる「増産」へと踏み出すことになりました。これら最先端デバイスの性能を支える要となるのが、エピタキシャル成長技術です。新規デバイス構造の開発や量産プロセスの高度化に対応するため、エピタキシャル成長分野の実務経験を持つエンジニアを…