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正社員
掲載予定期間：2026/2/2(月)〜2026/4/26(日)
【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆
～高周波回路技術開発の経験を活かせる／東証プライム上場／住友電工グループ～
■職務内容：
高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発およびそれらを用いた増幅器の回路設計をお任せします。
■具体的にお任せする業務：
・半導体トランジスタの評価・モデリング
・回路シミュレータへのモデル実装
・モデルを用いた解析シミュレーション
・モデルを用いた増幅器回路の技術開発
■仕事の面白さ・特徴：
GaNトランジスタは高効率・高出力が求められる次世代通信分野で注目されています。材料開発からトランジスタのモデル化、特性評価、さらに最適な回路設計まで、一連の流れに深く関われることが大きな特徴です。理論と実践の両面から新技術の開発に携わり、社会課題の解決や産業発展に貢献できる点に強いやりがいを感じることができます。
変更の範囲：会社の定める業務
【チーム／組織構成】
【その他製品・プロジェクト事例】
【利用するツール・ソフト等】
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 回路・システム設計 > 回路設計（アナログ） 技術職（電気、電子、機械） > 品質管理、製品評価、品質保証、生産管理 > 品質管理・テスト・評価（電気・電子・機械） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員
＜雇用形態補足＞ 期間の定め：無 ■補足事項なし ＜試用期間＞ 3ヶ月 ■補足事項なし |
| 勤務時間 | ＜労働時間区分＞ フレックスタイム制 コアタイム：11:00～14:00 休憩時間：60分 時間外労働有無：有 ＜標準的な勤務時間帯＞ 8:30～17:15 |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：神奈川県横浜市栄区金井町1 勤務地最寄駅：JR東海道線／大船駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：会社の定める事業所 |
| 交通 | ＜転勤＞ 当面なし 当初勤務地に加え、関係会社を含む国内外の拠点 ・国内～海外部門間の異動可能性あり(本人意向で相談) ・部門内のローテーションを優先も、左記記載の範囲で可能性有り ＜オンライン面接＞ 可 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）：270,000円～400,000円 ＜月給＞ 270,000円～400,000円 ＜昇給有無＞ 有 ＜残業手当＞ 有 ＜給与補足＞ ※上記モデル年収は、給与・賞与・残業手当の合算値となります。 ■賞与：年2回（6月・12月 ※昨年度実績4.9ヶ月） ■昇給：年1回（6月） 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 |
| 待遇・福利厚生 | 通勤手当、家族手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度 ＜各手当・制度補足＞ 通勤手当：■実費支給（月400円のみ個人負担） 家族手当：■配偶者20,000円、他扶養親族4,500円／人 寮社宅：■転勤者のみ入居可※借り上げ社宅制度 社会保険：■補足事項なし 退職金制度：■企業年金制度により、年金選択も可 ＜定年＞ 65歳 ＜育休取得実績＞ 有 ＜教育制度・資格補助補足＞ ■導入研修、階層別研修等 ＜その他補足＞ ■企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金) |
| 休日・休暇 | 【休日・休暇】 完全週休2日制（休日は土日祝日） 年間有給休暇20日～20日（下限日数は、入社直後の付与日数となります） 年間休日日数123日 ■ＧＷ連休、8月連休、年末年始連休等 ■特別休暇、年次有給休暇、その他 ※入社時期により、初年度は有給休暇の取得日数に変動が生じます。次年度より20日を付与。 |
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・半導体トランジスタのモデリングの経験がある方 ・高周波回路技術開発の経験がある方 ＜語学力（英語/その他言語等）＞ ・TOEIC(R)テスト（R）テスト550点以上または海外渡航可能な英語力 ■歓迎条件： ・化合物半導体デバイスの知識をお持ちの方 ・高周波シミュレータによる回路設計の経験がある方 ・高周波半導体デバイスの評価解析の経験がある方 ・プログラミング経験をお持ちの方(Python, Cなど) ＜語学力＞ 必要条件：英語初級 ＜語学補足＞ TOEIC（R）テスト550点以上または海外渡航可能な英語力 |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。 |
| 選考プロセス | - |
| 会社名称 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 〒244-0845 神奈川県横浜市栄区金井町1 |
| 事業内容 | ■事業概要： 化合物半導体を使用した電子デバイス及び光デバイス並びにこれらの応用製品の開発・製造 ■事業詳細： 住友電工デバイス・イノベーション（略称：SEDI）は、住友電気工業株式会社と富士通株式会社の折半出資会社のユーディナデバイス株式会社として、2004年4月に設立され、2009年4月の住友電気工業株式会社による完全子会社化を経て、同社の光伝送デバイス事業を統合再編し、同年8月発足されました。 「最小の消費電力で、最大のデータ伝送を可能にする化合物半導体デバイスの提供による、デジタル社会およびカーボンニュートラルの実現。」をSEDI Visionに掲げ、化合物半導体を材料とするデバイス及びその応用製品の開発・製造を行っています。具体的には、｢光通信網に用いられる光素子などのデバイスや光トランシーバなどのモジュールに関わる事業｣と｢移動体通信、衛星通信、車載レーダなどに用いられるHEMTやMMICなどの無線通信デバイスに関わる事業｣を展開しており、それぞれの事業において、グローバルマーケットで1、2位を争うシェアを占めています。 ■特徴： 化合物半導体には、ガリウム砒素、インジウムリン、窒化ガリウムなどの素材が使用されており、シリコン等と比べて、高速動作・受発光機能・熱や放射線に強いなどの特性があり、大容量かつ高速の情報処理が可能です。消費電力も少なく、小型化も容易なため、情報通信関連分野は勿論、自動車関連や民生エレクトロニクスなど、より幅広い産業分野での利用が進んでいます。 ■事業所： 本社／横浜市栄区金井町1 山梨事業所／山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 |
| 代表者 | - |
| URL | http://www.sedi.co.jp/ |
| 設立 | 年1984年5月 |
| 資本金 | 15,000百万円 |
| 売上 | - |
| 従業員数 | 1,575名 |
| 平均年齢 | 44.8歳 |
| 主要取引先 | - |
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