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正社員
| 仕事内容 | 【横浜市】製造技術（半導体ウェハプロセス）※プライム上場G／世界TOPレベルの化合物半導体メーカー |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■応募要件： ・半導体ウェハプロセス開発経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 横浜本社 住所：神奈川県横浜市栄区金井町1 勤務地最寄駅：JR東海道線／大船駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：本文参照 |
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正社員
| 仕事内容 | 【山梨】製造技術（化合物半導体）※東証プライム上場G／世界TOPレベルの化合物半導体メーカー |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■応募要件： ・化学または半導体業界における製造プロセス開発のご経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 山梨事業所 住所：山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 勤務地最寄駅：JR東海身延線／国母駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：本文参照 |
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正社員
| 仕事内容 | 【山梨】製造技術（半導体ウェハプロセス）※プライム上場G／世界TOPレベルの化合物半導体メーカー |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■応募要件： ・半導体ウェハプロセス開発経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 山梨事業所 住所：山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 勤務地最寄駅：JR東海身延線／国母駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：本文参照 |
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正社員
| 仕事内容 | 【山梨】製造技術（半導体レーザー）※東証プライム上場G／世界TOPレベルの化合物半導体メーカー |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■応募要件： ・半導体ウェハの個片化加工／個片化素子の特性検査／個片化素子外観検査／誘電体多層膜成膜いずれかのプロセス開発経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 山梨事業所 住所：山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 勤務地最寄駅：JR東海身延線／国母駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：本文参照 |
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正社員
| 仕事内容 | 【横浜市】製造技術（化合物半導体）※東証プライム上場G／世界TOPレベルの化合物半導体メーカー |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■応募要件： ・製造プロセス開発のご経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 横浜本社 住所：神奈川県横浜市栄区金井町1 勤務地最寄駅：JR東海道線／大船駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：本文参照 |
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| 仕事内容 | 【山梨】高周波パッケージ開発および生産技術※東証プライム上場住友電工G／入社時引越し費用全額負担 |
|---|---|
| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■応募条件： （1）高周波、高出力トランジスタ用パッケージ開発経験、または製造技術経験 （2）パッケージ製造装置の選定/導入/立上げ経験 （3）CAD等による作図経験 （4）機構部品の信頼性試験、解析 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 550万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 山梨事業所 住所：山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 勤務地最寄駅：JR東海身延線／国母駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【山梨】試験工程設計管理・機器選定/半導体試験装置担当※東証一部上場住友電工G／I・Uターン歓迎 |
|---|---|
| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■応募条件：下記いずれかのご経験 ・何らかの装置選定/導入/立上げ経験者 ・半導体集積回路、電気回路設計の実務経験者 ・半導体工学、電気電子工学、電気制御工学、材料物性のいずれかの履修者 ＜語学補足＞ TOEIC500点程度の英語の基礎... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 550万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 山梨事業所 住所：山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 勤務地最寄駅：JR東海身延線／国母駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【山梨／国母】社内SE（情報システム企画立案～実行）※東証プライム上場住友電工G／残業10H |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■応募条件： ※下記いずれかのご経験お持ちの方からのご応募お待ちしております。 ・要求定義や要件定義のご経験 ・データベースの設計・構築・運用・保守 ・Java、C#、VB．net等での開発経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～700万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 山梨事業所 住所：山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 勤務地最寄駅：JR東海身延線／国母駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：本文参照 |
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| 仕事内容 | 【山梨/甲府】化合物半導体電子デバイスウェハプロセス開発者及び技術者※住友電工Ｇ |
|---|---|
| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■応募条件：下記いずれかのご経験 ・化合物半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者 特に高周波電子デバイスプロセス研究・開発経験者 ・半導体プロセスの製造技術開発経験者 ・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者 ・ステッパー、... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 550万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 山梨事業所 住所：山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 勤務地最寄駅：JR東海身延線／国母駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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正社員
| 仕事内容 | 【山梨／中巨摩郡】人事（労務）※プライム上場住友電工G／残業20H／マイカー通勤可／完全週休2日制 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■応募条件： ・人事部門での経験（目安3年以上） ■歓迎条件： ・労働基準法、社会保険等の知見 ・メーカーでの人事経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～650万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 山梨事業所 住所：山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 勤務地最寄駅：JR東海身延線／国母駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：本文参照 |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【山梨／中巨摩郡】貿易管理※東証プライム上場G／世界TOPレベルの化合物半導体メーカー |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■応募要件： ・貿易管理業務経験 ■歓迎条件： ・安全保障輸出の法省令の知見 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 特記事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 山梨事業所 住所：山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 勤務地最寄駅：JR東海身延線／国母駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：会社の定める事業所（リモートワーク含む） |
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| 仕事内容 | 化合物半導体デバイスを開発・製造・販売している同社で、高周波デバイス、および増幅器設計開発をお任せいたします。 【具体的に】 ■携帯電話基地局向けGaN－HEMTを用いたデバイス、増幅器設計開発 ■顧客向けドハティ増幅器の設計開発 ■高周波シミュレータADS, MWOを用いた設計、解析 ■試作品の高周波特性、信頼性評価 ■高周波パッケージ開発、および生産技術 ■パッケージ技術開発、試作、製造立上 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須要件】以下のいずれかの経験をお持ちの方 ■高周波、高出力増幅器の設計開発経験 ■高周波（GHzオーダー）RF測定スキル ■高周波シミュレータADS、MWOを使った設計経験、電磁界解析経験 ■高周波、高出力トランジスタ用パッケージ開発経験、または製造技術経験 【英語力... |
| 給与 | 年収 450万円～800万円 |
| 勤務地 | 山梨県中巨摩郡昭和町 |
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| 仕事内容 | 化合物半導体電子デバイスを開発～販売している同社にて、ウエハプロセスの開発をお任せいたします。 【具体的に】 ■iデバイスを含め、幅広い半導体技術の活用による、化合物半導体電子デバイスの特性及び機能性向上に向けた開発 ■多層配線に関するプロセス開発（電極材料、層間絶縁膜、平坦化等の加工技術） ■放熱・実装に関するプロセス開発（基板研削、ビアやチップ分離加工、裏面金属形成等の加工技術） ■素子集積 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須要件】下記いずれかのご経験 ■各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者 ■プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者 ■ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者 ■高周波増幅器（GHzオーダ）のRF測定スキル・電磁界解析による... |
| 給与 | 年収 450万円～800万円 |
| 勤務地 | 山梨県中巨摩郡昭和町 |
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| 会社名 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 〒244-0845 神奈川県横浜市栄区金井町1 |
| 紹介文 | - |
| 業種 | - |
| 設立 | 年1984年5月 |
| 代表者 | - |
| 資本金 | 15,000百万円 |
| 売上 | - |
| 従業員数 | 1,485名 |
| URL | http://www.sedi.co.jp/ |
| 事業内容 | ■事業概要： 化合物半導体を使用した電子デバイス及び光デバイス並びにこれらの応用製品の開発・製造 |
| 主要取引先 | - |
| 主要取引銀行 | - |
