正社員
【パソナキャリア経由での入社実績あり】
【期待する役割】
5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの性能を左右するエピタキシャル結晶成長の技術開発および量産展開を担うポジションです。MOCVD等を用いた結晶成長プロセスの開発から、量産ラインへの展開までを一貫してご担当いただきます。
【業務内容】
■GaN系化合物半導体のエピタキシャル結晶成長プロセスの技術開発
■MOCVD等を用いた結晶成長条件の最適化
■新製品・新構造に対応する結晶成長技術の確立
■量産ラインへの技術展開・歩留まり安定化
■結晶品質の評価・解析
【配属部署】
電子デバイス事業部プロセス開発部
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発（家電・AV・コンピュータ関連） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員 |
| 勤務時間 | - |
| 勤務地 | 神奈川県横浜市栄区金井町 |
| 交通 | - |
| 給与 | 年収 450万円～800万円 |
| 待遇・福利厚生 | 経験・スキルに応じて変動します |
| 休日・休暇 | 週休二日(土日) |
| 応募資格 | 【必須要件】 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ■化合物半導体（GaN、GaAs等）のエピタキシャル結晶成長経験をお持ちの方 ■MOCVD、MBE等による結晶成長技術のご経験をお持ちの方 ■半導体業界での経験があり、結晶成長技術に関心をお持ちの方（再教育可能） 【歓迎要件】 ■GaN-HEMT向け結晶成長の開発経験 ■高周波デバイスに関する知識 ■量産展開・歩留まり改善のご経験 ■結晶品質の評価・解析技術のご経験 |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
|
| 選考プロセス | - |
| 会社名称 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 〒244-0845 神奈川県横浜市栄区金井町1 |
| 事業内容 | ■事業概要： 化合物半導体を使用した電子デバイス及び光デバイス並びにこれらの応用製品の開発・製造 ■事業詳細： 住友電工デバイス・イノベーション（略称：SEDI）は、住友電気工業株式会社と富士通株式会社の折半出資会社のユーディナデバイス株式会社として、2004年4月に設立され、2009年4月の住友電気工業株式会社による完全子会社化を経て、同社の光伝送デバイス事業を統合再編し、同年8月発足されました。 「最小の消費電力で、最大のデータ伝送を可能にする化合物半導体デバイスの提供による、デジタル社会およびカーボンニュートラルの実現。」をSEDI Visionに掲げ、化合物半導体を材料とするデバイス及びその応用製品の開発・製造を行っています。具体的には、｢光通信網に用いられる光素子などのデバイスや光トランシーバなどのモジュールに関わる事業｣と｢移動体通信、衛星通信、車載レーダなどに用いられるHEMTやMMICなどの無線通信デバイスに関わる事業｣を展開しており、それぞれの事業において、グローバルマーケットで1、2位を争うシェアを占めています。 ■特徴： 化合物半導体には、ガリウム砒素、インジウムリン、窒化ガリウムなどの素材が使用されており、シリコン等と比べて、高速動作・受発光機能・熱や放射線に強いなどの特性があり、大容量かつ高速の情報処理が可能です。消費電力も少なく、小型化も容易なため、情報通信関連分野は勿論、自動車関連や民生エレクトロニクスなど、より幅広い産業分野での利用が進んでいます。 ■事業所： 本社／横浜市栄区金井町1 山梨事業所／山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 |
| 代表者 | - |
| URL | http://www.sedi.co.jp/ |
| 設立 | 年1984年5月 |
| 資本金 | 15,000百万円 |
| 売上 | - |
| 従業員数 | 1,575名 |
| 平均年齢 | 44.8歳 |
| 主要取引先 | - |
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