【三菱ケミカル株式会社】【茨城】化合物半導体の加工技術開発（GaN加工プロセス）※同意のない転勤無／引越費用負担／土日祝休み【転職支援サービス求人】（正社員）

掲載予定期間：2026/4/9(木)〜2026/7/8(水)


【茨城】化合物半導体の加工技術開発（GaN加工プロセス）※同意のない転勤無／引越費用負担／土日祝休み


【業界最大手の総合化学メーカー／高年収帯企業／同意のない転勤無し／引越費用負担／フルフレックス／就業環境◎】

◆採用背景：
開発強化に伴う増員募集です。

◆業務内容：
化合物半導体GANのウエハ加工技術の開発業務を担当いただきます。
ご経験やご希望などを踏まえて以下に例示する担当業務をご提案いたします。
・要素プロセスの開発・条件最適化
∟研磨・スライシング・CMP（化学的機械的研磨）工程などにおけるGaN特有の最適条件を確立します。
・新規プロセスフローの構築
∟デバイス設計部門と連携し、要求される特性や信頼性を満たすための新しい加工プロセスを設計します。
・歩留まり向上・不良解析
∟試作段階や量産立ち上げ時における欠陥や特性ばらつきの発生メカニズムを解明し、プロセス改善による歩留まり向上を図ります。
・量産化技術の確立（スケールアップ）
∟大口径ウエハ（例：6インチから8インチへの移行）に伴い量産ラインへの安定的な移管に向けた技術開発を行います。
・新規装置の導入・評価
∟装置メーカーと協業し、次世代デバイス製造に向けた最新の加工装置のスペック策定、デモ評価、導入決定および立ち上げを行います。

◆配属部署の紹介：
プロジェクターやレーザーテレビに使われるレーザーダイオードに欠かせない材料である窒化ガリウム基板は、サーバーの電源やEV用のパワーデバイス、高速モバイル通信用の高周波デバイスなどに活用の場を広げつつあります。当社はパワーエレクトロニクス用の品質も満たす大口径・高品質のGaN基板を供給する世界でも数少ないプレイヤーのひとつで、GHG削減、次世代高速通信などの実現における役割に大きく期待されています

◆魅力；
「GaN」基板の安定供給体制を構築するとともに、近年需要が増加するパワーデバイス用途に適用可能な６～８インチ基板の開発にも取り組んでいます。レーザーダイオード等のオプトエレクトロニクス用途、パワーエレクトロニクス用途、いずれも成長が続いており投資を継続しています。

◆就業環境について：
・出張：頻繁ではないが有（国内外）
・テレワーク：相談可
・残業30時間未満

◆組織構成：
社員18名（男女比17:1）、平均44歳

変更の範囲：会社の定める職務

【チーム／組織構成】
【その他プロジェクト事例】
【利用するツール・ソフト等】