【株式会社デンソー】SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発（正社員）

【パソナキャリア経由での入社実績あり】
こんな仲間を探しています！
一緒にSiC、GaNパワー半導体の研究開発に取組み、世界の電動化をリード、新しいモビリティの付加価値を創出していく、チャレンジ意欲がある人材を求めています。

【業務内容】
SiC、GaNパワー半導体（SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT）のデバイスおよびプロセスに関する研究開発。SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発。
・パワーデバイスの企画、技術動向調査
・パワーデバイスのデバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計
・パワーデバイスのプロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発
・パワーデバイスのプロセスインテグレーション、工程設計
・パワーデバイス試作品のテスト、分析、評価解析
・パワーデバイス用ウェハ（GaN基板、SiCエピ成長）の技術開発
・パワーデバイス用加工装置の導入および改造

【業務のやりがい・身につくスキル、技術優位性、製品の強み・魅力】
・SiC、GaNパワー半導体に関する世界トップレベルのデバイス・プロセス技術が身につきます。
・CAE／CAD設計から試作・評価・解析までを一貫して経験でき、実践力を養うことができます。
・自分たちで考えたデバイスを設計でき、専用の開発試作ラインでプロセス開発に思う存分チャレンジでき、試作品の評価解析まで一連の開発サイクルを回しながら研究開発を行えます。
・社内外の専門家、大学、研究機関との連携/協働を通じ、専門性の深化、先端研究の実施と技術領域の拡張が可能になります。
・素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ開発部署、車両メーカと連携しながら広い視野で開発を進める事ができます。
・地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献でき、やりがいを感じられます。

【募集背景】
地球環境問題は重要な課題のため、モビリティの電動化は世界的に加速しており、その性能・競争力を左右する中核技術がパワー半導体です。特にSiC・GaNパワー半導体は、電費向上や小型・高効率化を実現するキーデバイスとして、開発スピードと技術完成度の競争が激化しています。当部では、低損失・高信頼性・量産性を両立したSiC・GaNパワー半導体の実現を目指し、デバイス設計からプロセス、評価解析まで一貫した研究開発を推進し…