【三菱ケミカル株式会社】【茨城】GaN基板の結晶成長プロセス開発※同意のない転勤無／引越費用負担／土日祝休み【転職支援サービス求人】（正社員）

掲載予定期間：2026/7/27(月)〜2026/10/25(日)


【茨城】GaN基板の結晶成長プロセス開発※同意のない転勤無／引越費用負担／土日祝休み


【業界最大手の総合化学メーカー／高年収帯企業／同意のない転勤無し／引越費用負担／フルフレックス／就業環境◎】

◆採用背景：
GaN基板事業の拡大・次世代製品の開発強化に伴う募集です。

◆業務概要：
次世代パワー半導体である窒化ガリウム（GaN）の気相法による結晶成長技術開発をご担当いただきます。
中長期的な視点に立ち、特に次世代製品（大口径基板・低欠陥密度基板・低抵抗品基板 等）の新製品開発に重きを置いた、挑戦的かつ自由度の高い開発業務をお任せします。

◆業務詳細：
GaNの結晶成長技術の開発業務を中心に、ご経験やご希望などを踏まえて以下に例示する担当業務をご提案いたします。
本ポジションは中長期の技術開発・新製品創出を担う"攻めの研究開発"を行うポジションです。

◇新製品の結晶成長技術開発
　：大口径・低欠陥密度・低抵抗品など、次世代基板の結晶成長技術を創り上げる開発業務を行います。

◇既存製品の歩留り改善や、品質安定化
　：結晶成長起因の歩留り低下や品質不良に関する不良に対し、原因解析からプロセス改善まで一気通貫で歩留まり向上を図ります。

◆ポジション魅力：
脱炭素・省エネ社会の実現に向けて世界的に需要が拡大する次世代パワー半導体「GaN（窒化ガリウム）」。
本ポジションでは、その心臓部となる高品質GaN基板の"結晶成長技術"の開発を、最前線でリードしていただきます。
「より大口径に」「より高品質に」「より低コストに」――まだ世界の誰も到達していない領域に挑み、自らの技術が製品となり社会を動かしていく手応えを味わえる、研究開発職ならではのやりがいに満ちたポジションです。

◆組織構成：
・半導体前工程グループにて、結晶成長・ウエハ加工等の開発メンバーと協働いただきます。30～40代を中心とした比較的若く、風通しの良い活気あるチームです。
・経験者の方は即戦力として、関連分野出身の若手の方も先輩のサポートのもと着実に成長いただける、挑戦を歓迎する風土です。

◆就業環境について：
・出張：頻繁ではないが有（国内外）
・テレワーク：相談可
・残業：30～40時間程度／月（繁忙期で最大45時間程度。近年は改善傾向）


変更の範囲：会社の定める職務

【チーム／組織構成】
【その他プロジェクト事例】
【利用するツール・ソフト等】