【機能商品から素材まで多岐にわたる化学製品を手がける日本最大級の総合化学メーカー】【筑波　GaN基盤製造のフォトリソグラフィ工程における生産技術】ご経験者を募集しています。（正社員）

本ポジションでは、GaN基板製造の下地工程（種結晶＝シードの作製）におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立をご担当いただきます。具体的には以下の通りです。

＜担当業務項目＞
プロセス開発・条件最適化 ：GaN（窒化ガリウム）基板の製造プロセスにおける、フォトリソグラフィー工程やドライエッチング工程の条件検討及び最適化を行い、高品質なGaN基板を安定的に生み出すダイナミックな業務です。サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDによるマスク形成、フォトレジスト塗布、パターニング、現像、ドライエッチング、レジスト除去までの一連の工程を扱います。マスクの形状・幅・高さ・材質はその後のHVP結晶成長の品質に直結するため、条件検討・最適化がこの技術の核心です。
・評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発
　自ら作成したサンプルを評価・解析し、結果を製造プロセスへ反映させます。
　専門的な知見を活かした高度な解析が、世界最高水準の製品の品質向上に直結する重要な役割です。
・化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発
　MOCVD等による薄膜形成の経験も大いに活かせる環境です。