| 仕事内容 | 【職務概要】 AI関連でますます注目を集めるフラッシュメモリの高品質／高信頼性な製品を提供する先駆者です。世界をリードする次世代ストレージ技術の実現に向けて、NANDフラッシュメモリの評価技術、そして高度なテスト技術とデータ解析を駆使し、製品開発に貢献しています。 メモリ評価技術部のミッションとしては、フラッシュメモリ製品開発における、電気的特性評価全般、開発／量産試験工程構築、それに伴うデータ解 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】※以下すべて有している方。 ■デバイス開発に貢献したい気持ちを持っている方 ■C言語やPython等のプログラミングに関する基本知識を有し、デバイスの電気的評価プログラムの開発経験を有する方 【尚可】 □半導体メモリ業界、もしくは半導体メーカー(SoC開発など)で... |
| 給与 | 年収 550万円～750万円 |
| 勤務地 | 〒247-8585 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1 各線「大船」駅より徒歩8分 勤務地変更の範囲:会社が指定する場所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 新しい光通信／光センシングデバイスを開発するプロジェクトの立ち上げリーダーをお任せします。 【職務詳細】 ・プロジェクト全体の構想設計 ・ターゲット市場の明確化 ・光集積回路の設計 ・ファウンドリの選定と交渉 ・（将来的にはマネジメントポジションの役割も期待） 【魅力】 ・大手の系列でない独立系の半導体デバイスサプライヤとして世界中から引合あり ・独自のビジネスモデル（世界の計測 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・大学卒業以上 ・光デバイス(半導体レーザ、光導波路等)の設計・開発経験(5年以上) ・シリコンフォトニクスまたはIII-V系デバイスに関する基礎知識 ・外部パートナー(顧客／ファウンドリ等)との技術折衝経験 ・TOEIC600点以上またはビジネスレベルの英語力 ... |
| 給与 | 年収 550万円～750万円 |
| 勤務地 | 神奈川県厚木市恩名5-1-1 小田急線「本厚木」駅より徒歩で12分 勤務地変更の範囲:採用時の勤務地からの変更はなし |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 最先端の2.5D／3D高密度パッケージ（インターポーザ等）の設計基盤となるDesign Rule Manualに基づき、DRC／LVSルールの開発からレイアウト検証までを一貫して担当していただきます。 【職務詳細】 ・DRCに基づくRule file (Calibre SVRF等) の作成、およびDRC／LVS／Fill生成の実行・結果評価 ・Rule妥当性検証のためのレイアウト設 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・DRCおよびレイアウト設計（LSI、インターポーザのいずれか） ・Design rule manualの内容を理解できる方 ・Calibre rule code（SVRF）の内容を理解できる方 ・Ruleの妥当性を検証するためのレイアウトを設計できる方 ・Cal... |
| 給与 | 年収 500万円～700万円 |
| 勤務地 | 東京都千代田区 ※プロジェクトにより異なる 東京メトロ有楽町線「麹町」駅徒歩3分／プロジェクトにより異なる 勤務地変更の範囲:取引先(案件先)の勤務地により異なる |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【職務概要】 次世代BEV／HEV向けパワートレイン制御ECUのハードウェア開発を担当します。 【職務詳細】 ・次世代BEV／HEV向けパワートレイン制御ECU内部回路の要求仕様作成 ・信頼性試験要求の検討および評価方針の策定 ・開発日程管理、サプライヤーとの技術折衝、回路図出図業務 ・実車を用いたECU評価、動作確認 ・関連ワイヤーハーネスの設計、仕様調整 ・使用技術／ツール：電気電子回路、S |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・電気電子回路の設計の経験 ※業界経験不問 【尚可】 ・車載向けECUの開発の経験 ・制御工学、パワーエレクトロニクスの知識 ・規格と規制：自動車業界の規格（ISO 26262、サイバーセキュリティなど）に精通していること ・マネジメントの経験 |
| 給与 | 年収 550万円～750万円 |
| 勤務地 | 東京都三鷹市大沢3-9-6 JR中央線「武蔵境」駅南口よりバスで10分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 半導体製品開発案件の増加に伴い、ＡＩ・画像処理プロセッサ向けＡＳＩＣのフロントエンド設計を担当します。 論理設計からＳｏＣ全体設計まで関わり、高性能・低消費電力なチップ開発を推進するポジションです。 【職務詳細】 ■製品：ＡＩプロセッサ、画像処理プロセッサ、ＳｏＣ ■範囲：仕様検討～アーキテクチャ設計～論理設計 ■開発： Ｖｅｒｉｌｏｇ、ＳｙｓｔｅｍＶｅｒｉｌｏｇ、ＡＳＩＣフロ |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・RTLを用いたハードウェアIP設計、SoCアーキテクチャ設計、ASIC設計における7年以上の実務経験 ・論理合成、タイミングクロージャ、PPA (Power, Performance, Area) 最適化に関する知識と実務経験 ・検証効率化のためのC言語, C+... |
| 給与 | 年収 500万円～750万円 |
| 勤務地 | 東京都中野区中野四丁目10番2号 中野セントラルパークサウス16階 JR中央線・東西線「中野」駅より徒歩5分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 モビリティに適用可能な次世代太陽電池デバイスの具現化に向けた、材料解析・プロセス設計およびデバイス化の実務を担っていただきます。研究開発のフェーズを基礎構築から、量産を見据えたプロセス設計へと移行させる重要な役割を期待されています。 【職務詳細】 ・太陽電池の試作およびプロセス設計 ・発電性能および耐久性の評価試験と、その結果に基づく解析・フィードバック ・モビリティへの搭載を想定 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・有機材料、または無機材料学の知見（大学院等で材料関連分野を専攻し、理論背景に基づいた研究・考察ができること） 【尚可】 ・多層構造デバイス（液晶、タッチパネル等）の設計実務経験 ・電子回路、基板設計、または電力制御（MPPT等）の知見 ・半導体デバイス物理、透... |
| 給与 | 年収 550万円～750万円 |
| 勤務地 | 栃木県芳賀郡芳賀町大字下高根沢4630 ライトライン「芳賀・高根沢工業団地」駅より徒歩9分 勤務地変更の範囲:出向・転籍により勤務地が変更となる場合あり |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 磁気センサ新製品の開発関連業務を担当いただきます。 ※経験やスキルに応じて担当業務が変更となる可能性がございます。 【職務詳細】 1)要素開発、製品開発、顧客との議論 2)電気／磁気的評価 3)プロセス開発等 ■魅力 ・同社において新製品や新規顧客拡大により売り上げは 年々増加しており、その中で多くの業務を担っている 「開発部」にて、事業拡大に基づく、 国内外を問わないダイナミッ |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・何らかの電気・電子機器・部品に関する業務経験をお持ちの方(研究・開発、評価いずれでもOK) ※入社後、磁気センサの教育実施いたしますので、未経験歓迎です。 ・英語力：英語の技術仕様書などを理解できること |
| 給与 | 年収 600万円～800万円 |
| 勤務地 | 長野県佐久市小田井543 浅間テクノ工場 しなの鉄道線「御代田」駅より車で10分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 SiCパワーデバイス開発エンジニアとして業務を担当いただきます。 福岡の子会社に駐在していただく予定です。 【職務詳細】 ■SiCパワーデバイス開発・設計 ■SiCパワーデバイスプロセス開発 SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、 従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が 可能なパワー素子が実現出来ます。 既に2012年に製品化もし |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ■いずれかの経験がある方 ・半導体前工程のデバイスインテグレーション経験 ・半導体前工程の工程欠陥改善経験 【このような方におすすめです】 同社の原動力は「チャレンジ精神」です！ 今後の更なる飛躍を目指し、 志が高い方、情熱を持った方にはおすすめの企業です。 |
| 給与 | 年収 500万円～750万円 |
| 勤務地 | 〒834-0111 福岡県八女郡広川町日吉1164-2 広川ICより車で約5分 JR鹿児島本線「西牟田」駅より車で約15分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 半導体レーザ製品の後工程開発及び工程設計業務を担当していただきます。 【職務詳細】 評価業務だけでなく、構造改善や新製品立上げ、 海外製造ラインの工程設計にも携わる事ができるため、 半導体デバイス開発の知識と経験を幅広く身につけられる環境です。 【業務内容】 ・半導体レーザ後工程における性能評価・品質確認業務 ・半導体レーザのCOS構造に関する改善検討業務 ・新製品開発に伴う後工 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・レーザ製品の試作経験をお持ちの方 ・開発評価または試験業務の経験をお持ちの方 |
| 給与 | 年収 400万円～500万円 |
| 勤務地 | プロジェクト先により異なる プロジェクト先により異なる 勤務地変更の範囲:取引先(案件先)の勤務地により異なる |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 同社にて、次世代半導体向け機能材料（機能性樹脂シート設計技術を活用した提案）における半導体PKGの設計トレンドの把握、およびインダクタ or 受動部品の製品設計・開発業務を担当します。 【職務詳細】 ・半導体PKGの設計トレンドの把握 ・設計トレンドおよび顧客要求を反映したインダクタ or 受動部品の製品設計・開発 ・業界における品質保証・規格要求の社内展開 ・製品（要素技術）の開 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・インダクタの開発、設計経験 【尚可】 ・新規製品立ち上げ経験（仕様策定、品質関連の知見） ・日常会話レベルの英語力 【出張】国内出張が主です。頻度や滞在日数はケースバイケースです。 【テレワーク】実験での出社が多いため、多くて月1～2回程度。 【残業時間】製... |
| 給与 | 年収 600万円～800万円 |
| 勤務地 | 三重県亀山市布気町919番地 三重交通バス「布気」徒歩12分※車通勤可。駅から会社の通勤バスも有 勤務地変更の範囲:国内・海外含め会社の定める場所（テレワークを行う場所を含む） |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【職務概要】 同社の技術・知財本部にて、独自の磁性材料・スピントロニクス技術を応用した次世代受光デバイス（スピンフォトディテクター）の基幹素子である「MTJ(Magnetic Tunnel Junction)素子」のプロセス開発をお任せします。 【職務詳細】 ・MTJ素子のプロセス開発および成膜条件の最適化 ・MTJ素子の成膜および評価用サンプルの作製 ・外部ファウンダリーを活用したプロセス開発 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・磁性膜開発および評価に関して少なくとも5年以上の経験 ・資料作成やメール等文面の読み書きが行えるレベルの英語力（目安：TOEIC 600／CEFR B1） 【尚可】 ・海外の顧客ともコミュニケーションが取れ、課題解決の提案が出来る経験 |
| 給与 | 年収 600万円～800万円 |
| 勤務地 | 長野県佐久市小田井543 浅間テクノ工場 しなの鉄道線「御代田」駅より車で10分 勤務地変更の範囲:勤務地からの変更はなし |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 技術・知財本部 応用製品開発センターにて、同社のコア技術である磁性技術をさらに進化させる「スピントロニクス」を用いた新規電子デバイスの研究開発を担当します。基礎研究から製品化開発までを視野に入れた、極めて専門性の高いポジションです。 【職務詳細】 ・学術界（大学・研究機関等）との共同研究開発の推進 ・企業としての基礎技術アピール活動（論文執筆・特許出願等） ・新規デバイス実現に向け |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・スピントロニクスに関する研究経験をお持ちの方 ・スピントロニクス素子の「試作」と「評価」の両方の実務経験をお持ちの方 ・筆頭著者としての学術論文執筆経験（3件以上） ・英語力：資料作成、メール対応、論文調査、海外拠点・顧客との会議等で使用できるレベル（目安：TO... |
| 給与 | 年収 600万円～800万円 |
| 勤務地 | 千葉県市川市東大和田2-15-7 八幡テクニカルセンター JR総武線・都営新宿線「本八幡」駅南口より徒歩約10分 京成電鉄「京成八幡」駅より徒歩約15分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 革新的光配線技術およびAR／VRスマートグラス向け光デバイスの光学評価と 設計・シミュレーションを担うエンジニア職です。 【職務詳細】 ・赤外・可視光波長に対応する光変調素子や光合波素子の設計・評価 ・次世代光デバイスの光学シミュレーション実施 ・ファイバー系およびフリー空間系の光学評価システム構築 ・実験装置・測定系の設計・セットアップ・チューニング ・評価データ収集と分析、結果 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・光変調素子、光合波素子など光学デバイスの設計・評価経験 （目安5年以上） ・英語による技術資料作成やメールでの読み書き対応力 （TOEIC600／CEFR B1程度） 【尚可】 ・海外顧客との技術課題解決提案経験 ・光学評価システムの構築・チューニング実績 |
| 給与 | 年収 700万円～900万円 |
| 勤務地 | 千葉県市川市東大和田２丁目１５－７ 都営新宿線「本八幡」駅より徒歩11分 勤務地変更の範囲:総合職として、会社の定める国内外の事業所の範囲で転勤の可能性があります。 |
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| 仕事内容 | ★本求人は開発系エンジニアのオープンポジション求人です。 ★応募時にお預かりした情報をもとに、ご経験・スキル・ご希望に応じて選考ポジションを選定させていただきます。 【採用背景】 顧客ニーズの多様化・高度化やCMOSイメージセンサーの需要拡大に伴い、以下を代表とするポジションで募集しております。 製品開発や、製造プロセスの構築、品質課題の解決等を経験できる領域です。 【職務内容】 ・設計：製品 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ※半導体デバイスメーカーで下記いずれかのご経験をお持ちの方 ・設計 ・製品技術 ・デバイス開発 ・プロセス開発 ・解析技術 ・テスト技術開発 ・実装技術開発 ・品質・信頼性技術 |
| 給与 | 年収 600万円～800万円 |
| 勤務地 | 山形県鶴岡市宝田1-11-73 JR羽越本線「鶴岡」駅より車で6分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 同社にて光学要素開発担当としての業務をお任せします。 【職務詳細】 光学測定機、光学デバイスに関する、光学要素開発をご担当いただきます。 ■社風 年間休日は130日、加えて年5日間のリフレッシュ休暇制度を採用しています。 原則毎日定時退社を徹底しており、18時には館内の消灯・施錠が行われます。その結果、離職率は3％未満、平均勤続年数は15.8年と高い定着率です。 ■開発環境 同 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・光学設計、及び光学理論（幾何光学、波動光学）の基礎知識 ・光学計算プログラム（フォートラン、C言語等）の開発経験がある方 ・光学測定機（MTF評価、調芯機等）の開発経験のある方 ・光学デバイス（回折素子、マイクロレンズ等）の光学設計、評価法を習得している... |
| 給与 | 年収 550万円～750万円 |
| 勤務地 | 埼玉県さいたま市見沼区蓮沼1385 東武野田線「七里」駅 徒歩で約9分 勤務地変更の範囲:勤務地からの変更はなし |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 案件先にて最先端ロジック半導体開発における電気的特性評価および計測ワークフローの構築に従事していただきます。 テスタ（キーサイト、アドバンテスト製等）およびプローバー（TEL、東京精密製等）を用いた高度なデバイス測定を主導します。 (1)【具体的な業務】 ・ハイエンドテスタおよびフルオートプローバーを用いた、ウェーハレベルの電気的特性評価 ・Spotfireを用いた大規模計測データ |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・テスター・プローバーを用いた測定（3年程度） ・ExcelやSpotfireを用いたデータまとめができる ・パラメトリックテスターの使用経験 ・テストプログラムや装置ログの理解がある方 ・PC操作スキル（中級レベル） |
| 給与 | 年収 500万円～700万円 |
| 勤務地 | 北海道千歳市 ※面接にて詳細をお伝えします JR千歳線「千歳」駅より車で約12分 勤務地変更の範囲:取引先(案件先)の勤務地により異なる |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 同社の案件先にて次世代半導体デバイスの特性評価および歩留まり向上を目的とした、 測定機オペレーションとデータ解析業務に従事していただきます。 (1)【具体的な業務】 ・半導体測定機 及び プローバーを用いたデバイス特性のDC計測・オペレーション ・デバイス特性評価用測定プログラムの条件変更、およびテストパターンへの最適化 ・測定データの統計的解析、および歩留まり改善に向けたテクニカ |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・デバイスエンジニアとしての経験、もしくは歩留まり改善エンジニアとしての業務経験（1年程度） ・半導体デバイス（CMOS）に関する基礎知識を有している方 ・データ解析や報告書の作成ができる方 ・コミュニケーション、チームで協力して業務を実行できる方 ・DC計測、プ... |
| 給与 | 年収 500万円～700万円 |
| 勤務地 | 北海道千歳市美々 ※面接にて詳細をお伝えします JR千歳線「千歳」駅より車で約12分 勤務地変更の範囲:取引先(案件先)の勤務地により異なる |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 新規イメージセンサーやセンシングデバイスの企画構想から 構造設計、試作開発、特性評価までを一貫して担当します。 【職務詳細】 ・センサー構造の企画構想 ・新規デバイス構造設計、プロセスフロー設計 ・シミュレーションを使用した素子設計 ・試作開発および特性評価 ・設計開発、量産における条件最適化、生産プロセス条件の確立 ・将来の量産化に向けた技術開発 ※配属はご志向や適性を見て決定 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・半導体業界にて何らかの開発業務経験 ・理工系（電気電子、化学、物理系）のバックグランドをお持ちの方 【尚可】 ・半導体デバイス開発、半導体インテグレーション開発のご経験をお持ちの方 ・半導体デバイスメーカーでの製品技術や歩留向上、品質改善のご経験をお持ちの方... |
| 給与 | 年収 500万円～750万円 |
| 勤務地 | 長崎県諫早市津久葉町1883-43 JR長崎本線「西諫早」駅より車で6分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 同社にて、2年～3年後に量産化予定の次世代イメージセンサー要素プロセス開発に従事していただきます。 【職務詳細】 ・他社との差異化につながる新規デバイス構造を具現化するための要素プロセスインテグレーション開発 ・デバイスから要求される特性を出すことができるプロセスモジュールの構築（ユニットプロセスチームと連携した工程設計業務） ・得られた成果のプロト開発への引き渡し、および量産に向 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・製造業にて開発または研究業務の経験 ・化学または物理の知見 ・理系の大学院卒以上 【尚可】 ・素材や材料メーカーでの経験 ・物性評価に関する業務経験 ・分析業務の経験 ・SEMやTEMを用いた業務経験 ・英語を活用した業務経験 ・半導体デバイスメーカーでの開... |
| 給与 | 年収 500万円～750万円 |
| 勤務地 | 長崎テクノロジーセンター（長崎県諌早市津久葉町1883-43） JR長崎本線「西諫早」駅より車で6分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 同社にて、スマートフォン向けイメージセンサーの試作開発および量産導入業務を担当します 【職務詳細】 ・製品構造検討、製造工程フロー設計 ・製品試作、試作結果報告 ・生産部門へ量産移移管 ・顧客要求仕様を満たすための新製品におけるセンサー構造の企画構想 ・新規デバイス構造設計、プロセスフロー設計、特性評価 ・デバイス構造や生産プロセス条件の確立を通じた量産化の推進（目標品質や歩留まり |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・半導体業界でウェハプロセス、デバイス開発、品質管理、品質保証いずれかの業務経験 ・TOEICスコア600以上相当の英語力 ・高専卒以上の学歴 【仕事の面白さ】 ・主にスマートフォンやタブレットに向けたCMOSイメージセンサーの新製品開発を行います。 ・立ち上... |
| 給与 | 年収 500万円～750万円 |
| 勤務地 | 長崎県諌早市津久葉町1883-43 JR長崎本線「西諫早」駅より車で6分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 北海道・東北 | 北海道（4）｜ 青森県（3）｜ 岩手県（5）｜ 宮城県（6）｜ 秋田県（4）｜ 山形県（6）｜ 福島県（4）｜ |
|---|---|
| 関東 | 茨城県（5）｜ 栃木県（4）｜ 群馬県（4）｜ 埼玉県（5）｜ 千葉県（14）｜ 東京都（25）｜ 神奈川県（40）｜ |
| 北陸・北信越 | 新潟県（3）｜ 山梨県（3）｜ 長野県（5）｜ 富山県（5）｜ 石川県（5）｜ 福井県（3）｜ |
| 東海 | 岐阜県（3）｜ 静岡県（6）｜ 愛知県（4）｜ 三重県（4）｜ |
| 関西 | 滋賀県（3）｜ 京都府（5）｜ 大阪府（9）｜ 兵庫県（5）｜ 奈良県（3）｜ 和歌山県（3）｜ |
| 中国・四国 | 鳥取県（4）｜ 島根県（3）｜ 岡山県（3）｜ 広島県（3）｜ 山口県（3）｜ 徳島県（3）｜ 香川県（3）｜ 愛媛県（3）｜ 高知県（3）｜ |
| 九州 | 福岡県（11）｜ 佐賀県（3）｜ 長崎県（10）｜ 熊本県（5）｜ 大分県（4）｜ 宮崎県（3）｜ 鹿児島県（3）｜ 沖縄県（2）｜ |
| 海外 | アジア（0）｜ 中近東・アフリカ（0）｜ ヨーロッパ（0）｜ 北米（0）｜ 中南米（0）｜ オセアニア（0）｜ 海外（0）｜ |
