| 仕事内容 | 大手半導体メーカー向けのプロジェクトを中心に、 LSI・FPGAのフロントエンド設計をお任せします。 □■具体的なプロジェクト例■□ ・デジタルカメラ用CMOSイメージセンサ ・通信関連デバイス ・民生機器向けチップ開発プロジェクト など □■具体的なプロジェクト参画フェーズ■□ あなたのこれまでのご経験と希望に合わせて、 最適なフェーズから業務をお任せします。 ▼仕様検討・... |
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| 応募資格 | 【学歴不問／40代・50代のベテラン層活躍中】 ●LSIまたはFPGAの論理設計経験（3年以上） ＜こんな方にピッタリの環境です＞ ★役職定年後も、現場でRTLを書き続けたい方 ★マネジメントよりモノづくりに情熱を注ぎたい方 ★AIなど新しい技術領域のチップ設計に挑みたい... |
| 給与 | 月給37万5000円以上＋各種手当 ※スキル・経験、前職給与を最大限考慮し決定いたします ... |
| 勤務地 | ★リモートワークのプロジェクトあり！自社内勤務案件もあります 【本社】神奈川県横浜市港北区新横浜2-3-8 KDX新横浜ビル2階 ※プロジェクトにより神奈川・東京の顧客先の場合あり ※(変更の範囲)上記を除く当社関連勤務地 |
PICK UP
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| 仕事内容 | 大手半導体メーカー向けのプロジェクトを中心に、 LSIバックエンド設計（物理設計）を 専任でお任せします。 □■具体的なプロジェクト例■□ ・次世代ゲーム機向けVR用SoCのLayout設計 ・自動運転向けAIチップのLayout設計 など □■具体的なプロジェクト参画フェーズ■□ あなたのこれまでのご経験と希望に合わせて、 最適なフェーズから業務をお任せします。 ▼論理合成... |
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| 応募資格 | 【学歴不問／40代・50代のベテラン層活躍中】 ●LSIの物理設計経験（3年以上） ●EDAを使用した論理合成、タイミング検証の経験 ＜こんな方にピッタリの環境です＞ ★マネジメントより、生涯現場で実装を極めたい方 ★3ナノなど最先端プロセスの設計に携わりたい方 ★EDA... |
| 給与 | 月給37万5000円以上＋各種手当 ※スキル・経験、前職給与を最大限考慮し決定いたします ... |
| 勤務地 | ★リモートワークのプロジェクトあり！自社内勤務案件もあります 【本社】神奈川県横浜市港北区新横浜2-3-8 KDX新横浜ビル2階 ※プロジェクトにより神奈川・東京の顧客先の場合あり ※(変更の範囲)上記を除く当社関連勤務地 |
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▼マネジメントより生涯現場▼
整った働く環境で「3ナノの最先端プロセス」を皮切りに＜技術的探求心＞を満たそう。
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| 仕事内容 | 【職務概要】 SSD製品のプリント配線板(生板)に関して、サプライヤと協業して技術開発、技術認定、工場監査・認定など、プリント配線板開発に関わる全般業務をお任せいたします。 【職務詳細】 SSD製品のプリント配線板の開発に関して、以下のような全般業務 A) 新規プリント配線板サプライヤ開拓（世界中の候補から最適なサプライヤを選定） B) 高速伝送に対応する低ロスプリント配線板の開発 C) 高密度 |
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| 応募資格 | 【必須】 ※プリント配線板の開発において以下いずれかを有する方(各3年以上) ■セットメーカでの開発経験 ■プリント配線板メーカ での開発経験 【尚可】 □統計解析、FTA、FMEA、DRBFMなどを利用した業務経験 □設計データをプリント配線板製造のために基板メーカへ送... |
| 給与 | 年収 550万円～750万円 |
| 勤務地 | 〒247-8585 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1 各線「大船」駅より徒歩8分 勤務地変更の範囲:会社が指定する場所 |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【職務概要】 AI関連でますます注目を集めるフラッシュメモリの高品質／高信頼性な製品を提供する先駆者です。世界をリードする次世代ストレージ技術の実現に向けて、NANDフラッシュメモリの評価技術、そして高度なテスト技術とデータ解析を駆使し、製品開発に貢献しています。 メモリ評価技術部のミッションとしては、フラッシュメモリ製品開発における、電気的特性評価全般、開発／量産試験工程構築、それに伴うデータ解 |
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| 応募資格 | 【必須】※以下すべて有している方。 ■デバイス開発に貢献したい気持ちを持っている方 ■C言語やPython等のプログラミングに関する基本知識を有し、デバイスの電気的評価プログラムの開発経験を有する方 【尚可】 □半導体メモリ業界、もしくは半導体メーカー(SoC開発など)で... |
| 給与 | 年収 550万円～750万円 |
| 勤務地 | 〒247-8585 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1 各線「大船」駅より徒歩8分 勤務地変更の範囲:会社が指定する場所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 データセンター・AIサーバーを支える「超大容量SSD」の核となる、半導体パッケージの構造設計および配線設計をお任せします。 【職務詳細】 1.構造検討： ・前工程から出されるチップ(2～32枚)及びロジックチップを機械的特性・放熱性を考慮したうえで、1パッケージに統合する構造検討 ・物理特性（熱膨張・反り等）を最適化するための構成材料（封止樹脂、基板、接着材等）の選定・評価 2.基 |
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| 応募資格 | 【必須】 ※半導体、電子デバイス業界における以下いずれかの経験をお持ちの方 （材料メーカー、製造装置・検査装置の方も歓迎） ・半導体パッケージ設計業務に興味がある方 ・半導体パッケージ設計もしくは組立プロセス、組立材料開発の経験を有している方 【尚可】 □他部署や顧客... |
| 給与 | 年収 550万円～750万円 |
| 勤務地 | 〒247-8585 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1 各線「大船」駅より徒歩8分 勤務地変更の範囲:会社が指定する場所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】以下業務をお任せいたします。 ・フラッシュメモリ製品前工程の開発マネジメント業務 ・開発・量産で見えた課題解決や不良解析業務 ・設計レイアウトのルール作成(GDR)や量産に向けたTEG・マスク作成業務 【職務詳細】 同部門は、設計／評価／信頼性／マーケティング／工場等、多くの部門と連携しながら事業計画に沿って製品開発が進むよう牽引しており、主に（1）製品開発・（2）品質改善・（3）G |
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| 応募資格 | 【必須】 ■製造業における製品開発のご経験３年以上 ■生産管理や品質保証の基本的な概念を理解している方 【尚可】 □不良解析や電気的評価の経験 □半導体製品、素子(CMOS)開発経験 □統計解析に関する知識 □英語力(ディスカッションできるレベル) 【職場環境】 ・... |
| 給与 | 年収 550万円～750万円 |
| 勤務地 | 〒247-8585 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1 各線「大船」駅より徒歩8分 勤務地変更の範囲:会社が指定する場所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 古河ファイテルオプティカルコンポーネンツ株式会社(FFOC)にて、世界の通信インフラやAIネットワークの基盤となる光トランシーバの設計・開発業務を担当いただきます。※在籍出向となります（期間の定めなし） 【職務詳細】 ・光トランシーバの新製品開発（仕様検討、光部品選定、光レベルダイヤ設計） ・製品の性能検証および量産化の推進、コストダウン施策の実行 ・関連部署と連携した設計・検証プ |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・ハードウェア製品の評価、開発経験（3年以上） ※通信機器、各種測定器、PC周辺機器、車載ECU、医療機器、FA機器など、マイコン搭載製品の経験を想定 【尚可】 ・光通信システム、または光関連製品の仕様設計、性能評価、工程管理の経験 ・アナログ電気回路やFPGA... |
| 給与 | 年収 400万円～650万円 |
| 勤務地 | 神奈川県横浜市西区岡野2丁目4番3号（横浜事業所） JR各線「横浜」駅より徒歩16分 勤務地変更の範囲:出向・転籍により勤務地が変更となる場合あり |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発をお任せします。 【職務詳細】 1X、2Xnm世代のNAND設計開発を行っていただきます。 【同社の特徴・魅力】 1.安定した雇用 同社の事業戦略から安定した業績を重ねているため、半導体メーカーによく見られる人員削減を実施したことがなく、安心して働き続けられる環境が整っています。 2.長期就業が可能な環境 中途入社の社員が多いこ |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・IC／LSIなどのデジタル回路設計経験 ・化学、工学、電気工学系専攻 ・英語での基礎的なコミュニケーション（会話）力 ・1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること -I／O、論理回路、アナログ回路とメモリのレイアウ... |
| 給与 | 年収 800万円～1000万円 |
| 勤務地 | 神奈川県横浜市港北区新横浜2-3-12 新横浜スクエアビル9F JR各線「新横浜」駅から徒歩2分 ※転勤当面なし 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 深紫外LED素子の設計開発を担当し、次世代光源の性能向上に貢献します。 ■製品：深紫外LED（波長265nm／除菌用途向け光源） ■範囲：基板作製～結晶成長～半導体プロセス～量産移管まで一貫して関与 ■開発内容： ・発光素子の構造設計 ・結晶成長（MOCVD） ・半導体プロセス開発（フォトリソ／成膜／エッチング等） ＝＝＝＝＝具体的には＝＝＝＝＝ ・深紫外LEDの発光素子構造設計 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・半導体プロセスの知識や経験 (フォトリソ、結晶成長(MOCVD)、成膜(スパッタ、プラズマCVD、真空蒸着）、エッチング（ICP-IRE、Deep-RIE、ウェットプロセス）、評価・分析（X線回折装置、電子顕微鏡、AFM、分光測定等） ■出張： 業務内容に... |
| 給与 | 年収 400万円～650万円 |
| 勤務地 | 神奈川県横浜市青葉区荏田西1-3-3 田園都市線「江田」駅より徒歩5分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 可視光VCSELの事業化に向けた評価解析および研究開発を担当いただきます。 ■製品：可視光VCSEL（半導体レーザデバイス） LED／レーザを中心とした光源デバイス ■範囲：評価解析～信頼性検証～量産化検討まで一貫して関与 ■開発内容： ・電気特性／光学特性の評価 ・評価系の設計および構築 ・信頼性評価および寿命試験 ・データ解析および特性改善検討 ・故障解析／劣化要因の特 |
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| 応募資格 | 【必須】 ・半導体レーザ設計に関するシミュレーション技術の知識 ・光導波路およびモード解析に関する実務知識 ・半導体光デバイスにおける量産化および故障／劣化解析の知識 【尚可】 ・半導体レーザのデバイス開発実務経験3年以上 ・半導体光デバイスの量産化経験者 ☆★☆その... |
| 給与 | 年収 400万円～650万円 |
| 勤務地 | 神奈川県横浜市青葉区荏田西1-3-3 田園都市線「江田」駅より徒歩5分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【職務概要】 深紫外LED素子の研究開発を担当し、次世代光源の実用化に向けた開発を推進 ■製品：深紫外LED（除菌用途／265nm帯光源） ■範囲：基板～結晶成長～半導体プロセス～評価まで一貫開発 ■開発内容：半導体光デバイス（深紫外LED）の設計・製造・評価 ＝＝＝＝＝具体的には＝＝＝＝＝ ・深紫外LEDの構造設計 ・結晶成長（MOCVD等）および結晶評価 ・半導体プロセス開発（フォトリソグ |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・光半導体素子開発に関する実務経験（3年以上） 【歓迎スキル】 ・半導体素子設計の知識・経験 ・半導体プロセスの知識・経験 フォトリソグラフィ 結晶成長（MOCVD） 成膜（スパッタ、CVD、真空蒸着） エッチング（ICP-RIE、Deep-RI... |
| 給与 | 年収 400万円～650万円 |
| 勤務地 | 神奈川県横浜市青葉区荏田西1-3-3 田園都市線「江田」駅より徒歩5分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 同社において、半導体テスタを用いた評価解析業務を担当します。半導体ウェハ工場でのテスタ設定・調整からデータ取得、性能改善まで幅広く携わります。 【職務詳細】 ・半導体テスタを用いた評価および設定、調整 ・テストプログラムの作成、データ取得 ・半導体製造工程における製品の立ち上げ ・製品の性能改善業務 ・評価計画の策定、評価準備、評価解析業務 【ミッション】 半導体評価解析工程にお |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・半導体テスターの操作経験 ・テストプログラムの経験 ・クリーンルームでの環境立上げ経験 |
| 給与 | 年収 450万円～650万円 |
| 勤務地 | ※プロジェクトによる ※プロジェクトによる 勤務地変更の範囲:取引先(案件先)の勤務地により異なる |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 イメージセンサの画質評価業務、またはカメラインタフェース（MIPI等）の評価解析業務を担当します。 【職務詳細】 ・CMOSイメージセンサの画素評価解析 ・イメージセンサ搭載機器の画質評価およびデータ収集 ・CIS高速インタフェースの評価解析 ・オシロスコープ、ロジックアナライザ等の測定器を用いた評価 ・Microsoft Officeを使用したドキュメント作成 ・Linuxのコマ |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・半導体基礎知識、半導体デバイスの評価経験（1年以上） ・オシロスコープ、ロジックアナライザ等の測定器の使用経験（1年以上） ・Microsoft Officeを使用したドキュメント作成経験 ・Linuxのコマンド操作経験 【尚可】 ・画質、画素評価の経験 ・イ... |
| 給与 | 年収 450万円～650万円 |
| 勤務地 | 神奈川県横浜市港北区新横浜2-3-8 KDX新横浜ビル2階 JR横浜線「新横浜」駅徒歩5分 勤務地変更の範囲:取引先（案件先）の勤務地により異なる |
気になるリストに保存できる件数は20件までです。
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| 仕事内容 | 【職務概要】 深紫外LED素子の設計開発を担当し、次世代光源の性能向上に貢献します。 ■製品：深紫外LED（波長265nm／除菌用途向け光源） ■範囲：基板作製～結晶成長～半導体プロセス～量産移管まで一貫して関与 ■開発内容： ・発光素子の構造設計 ・結晶成長（MOCVD） ・半導体プロセス開発（フォトリソ／成膜／エッチング等） ＝＝＝＝＝具体的には＝＝＝＝＝ ・深紫外LEDの発光素子構造設計 |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・半導体プロセスの知識や経験 (フォトリソ、結晶成長(MOCVD)、成膜(スパッタ、プラズマCVD、真空蒸着）、エッチング（ICP-IRE、Deep-RIE、ウェットプロセス）、評価・分析（X線回折装置、電子顕微鏡、AFM、分光測定等） ■出張： 業務内容に... |
| 給与 | 年収 400万円～650万円 |
| 勤務地 | 神奈川県横浜市青葉区荏田西1-3-3 田園都市線「江田」駅より徒歩5分 勤務地変更の範囲:本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 下記業務を通じて、高速インターフェースの品質向上に貢献する役割を担っていただきます。 【職務詳細】 1、高速インターフェースの選定 ・PCIe PHYやDDR PHYなどのアナログIP（PHY）を選定します。 2、信号品質の確保 ・インターフェースの信号品質（Signal Integrity）を維持するためのトレーニング機構やサポート機能の効果および妥当性を確認します。 3、評価と |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ■高速インターフェースにおけるSI（Signal Integrity）解析経験を3年以上お持ちの方 ■TOEIC 550点以上相当の英語力をお持ちの方 (英語を使用するシーン：KIOXIA海外現法／ベンダーと会議やメールでのやりとりが発生) 【尚可】 □JED... |
| 給与 | 年収 600万円～800万円 |
| 勤務地 | 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1 各線「大船」駅より徒歩8分 勤務地変更の範囲:会社が指定する場所 |
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| 仕事内容 | ■電子ビームマスク描画装置の据付レイアウト設計 AutoCAD、SOLIDWORKSを使用して当社製品をユーザ工場に据付するための設計を行います。 電気担当、メカ担当の2名1組を基本としており、ケーブルアセンブリのルート設計などの電気分野を担当していただきます。 ■接続ユーティリティ仕様の確認 ユーザにご準備いただくユーティリティの仕様説明および確認を行います。 ■設 |
|---|---|
| 応募資格 | 【MUST】 ・何らか電気装置設計またはケーブルアセンブリ設計の業務経験をお持ちの方 ※異業種可、経験年数問わず ・Excel関数を用いてデータ集計可能な方 (xlookup, countif, sumif など) 【WANT】 ・ファシリティ設計の業務経験をお持ち... |
| 給与 | 年収 550万円～900万円 |
| 勤務地 | ・本社：神奈川県横浜市磯子区新杉田町 ※最寄駅：JR京浜東北根岸線／新杉田駅 ・受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ・転勤：なし 【就業時間】 ・8：45～17：30（休憩時間：60分、実働時間：7時間45分） ※フレックスタイム制（コアタイム無し |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 同社の顧客先にて、CMOSイメージセンサ画素の開発評価業務をお任せします。 【職務詳細】 社会／産業インフラ、モバイル向けCMOSイメージセンサ画素開発で画素設計者のサポートをご担当いただきます。 ・ボード評価／Wafer測定評価 ・レイアウトCAD業務 ・プロセス・デバイスSimulation業務 【使用ツール】 ・UNIX／LINUX ・Cadence社：VirtuosoLa |
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| 応募資格 | 【必須】 ・半導体デバイスの基礎知識 ・基本的なPCスキル（Powerpoint、Excel） 【尚可】 ・半導体デバイス（とくにCMOSイメージセンサー）の設計および開発経験 ・電気系の測定評価、レイアウト（2DCAD）、プロセスsimulation・デバイスsimu... |
| 給与 | 年収 350万円～550万円 |
| 勤務地 | 神奈川県厚木市（配属先により異なる） ※配属先により異なる 勤務地変更の範囲:取引先(案件先)の勤務地により異なる |
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| 仕事内容 | 【職務概要】 同社の顧客先にて、研究開発業務をお任せいたします。 ■対象：CMOSイメージセンサー（イメージングデバイス） ■範囲：研究・開発における試作業務 ※スキル・経験に応じてプロジェクトを決定いたします。 選考で希望をお聞かせください。 【キャリアパス】 当面は地域密着にてプロフェッショナルを目指していただきます。 その後、希望やキャリアアップを目的に他案件や他職種へ挑戦していただく |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須】 ・半導体製造ライン（クリーンルーム）でのオペレーション、設備保全・管理経験 【尚可】 ・交代勤務経験・半導体業界従事者（他社、装置メーカー、材料メーカーetc.） |
| 給与 | 年収 350万円～550万円 |
| 勤務地 | 神奈川県厚木市 ※配属先により異なる ※配属先により異なる 勤務地変更の範囲:※当面の転勤なし※案件の受注状況により、近隣エリアへの異動を打診する場合あり（ただし、本人承諾の上） |
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| 仕事内容 | 技術部からの電子ビームマスク描画装置の仕様に基づき、下記補機の中の、オゾン生成装置(POG)とドライポンプユニット(DPU)の半導体独自の安全規格に基づく設計、EOL設計(生産終了部品の対応)をメインで行っていただきます。 ・オゾン生成装置(POG) ・ドライポンプユニット(DPU) ・冷却水循環装置(CHL) ・恒温水循環装置(TRU) ・マスク管理搬送装置(R |
|---|---|
| 応募資格 | 【必須要件(MUST)】 設備/産業機械/精密機器・装置の〈機械設計or電気設計or保守〉経験に加えて下記のいずれか経験をお持ちの方 ・真空取扱い経験と知識のある方 ・ガス取扱い経験と知識のある方 ターゲット ※エージェント様のみに開示する情報となりますので、取り... |
| 給与 | 年収 550万円～1200万円 |
| 勤務地 | ・本社：神奈川県横浜市磯子区新杉田町 ※最寄駅：JR京浜東北根岸線／新杉田駅 ・受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ・転勤：なし 【就業時間】 ・8：45～17：30（休憩時間：60分、実働時間：7時間45分） ※フレックスタイム制（コアタイム無し |
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| 仕事内容 | 半導体製品(デジタル/アナログ)の開発におけるフロントエンド、ミドルエンド、バックエンドの設計及びテスト/評価業務等。 ご経験や適性に応じて担当してお任せ致します。 ※案件がない場合も、受託開発案件をお任せ出来るのが当社の強みです。 ■対象製品・技術： アナログIC/通信用RF-IC/車載用LSI/産業機器制御用LSI/イメージング機器用LSIなど |
|---|---|
| 応募資格 | ◆必須 ・何かしらのエンジニアとしてのご経験をお持ちの方 |
| 給与 | 年収 350万円～500万円 |
| 勤務地 | 神奈川県 |
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