正社員
掲載予定期間：2024/4/18(木)〜2024/7/17(水)
【神奈川／秦野市】可視光半導体レーザーの研究開発◆在宅勤務／創業100年以上の老舗グローバルメーカー
～講習など各種カリキュラムあり／東証プライム上場／「光」のグローバルメーカー／100年に一度の大改革と言われている自動車業界／働く環境◎／在宅勤務可～
【配属部門の概要】
GaN系材料を用いた各種可視光レーザー研究・開発を行っています。MOCVDを用いた結晶成長～素子化プロセス～実装・評価にわたる一連の研究・開発を行っています。
【担当する業務（概要）】
レーザー開発におけるMOCVDを活用した結晶成長あるいは素子化開発、その評価を担当頂きます。
【担当する業務（詳細）】
新規の可視光レーザー開発。具体的には可視光VCSELおよびPCSELの研究・開発となります。具体的には下記のいずれかになります。配属はご本人の特性により決定致します。
・MOCVDによるGaN系LDの結晶成長・評価
・素子化プロセス開発・評価
・実装～信頼性確保の開発
【使用ツール】
Auto CAD、Essential Macleod、Zemax、Comsol、Spotfire、Laser Mod、CATIA、Spec LED RATRO
【仕事の魅力】
・中途入社者が多数在籍していることや、構造がシンプルなものを除き、リーダー以下複数名でチームを組んで開発を進めますので、ご安心ください。
・また、入社後に、要素技術の解説、専門技術者による講習等必要スキルを補完いただくための各種カリキュラムをご用意しています。
【入社後のキャリアパス】
研究統括部会で活躍頂き、場合によっては開発品の技術移管時に事業部支援として数年（製品立上げまで）異動して頂く可能性もあります。
【働き方について】
フレックスタイム勤務です。在宅勤務は平均1日/週程度です。
【外出・出張について】
業者、共同研究先、または関連部署への短期の出張および外出がございます。頻度としては1回/2か月程度です。
【海外赴任について】
現時点ではありません。
【チーム／組織構成】
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発（半導体・電子部品関連） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員
＜雇用形態補足＞ 期間の定め：無 |
| 勤務時間 | ＜労働時間区分＞ フレックスタイム制 コアタイム：10:00～15:00 休憩時間：60分 時間外労働有無：有 ＜標準的な勤務時間帯＞ 8:30～17:30 |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 秦野製作所 住所：神奈川県秦野市曽屋400 勤務地最寄駅：小田急線／秦野駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
| 交通 | ＜転勤＞ 当面なし ＜在宅勤務・リモートワーク＞ 相談可（週1日リモート・在宅） ＜オンライン面接＞ 可 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～750万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）：280,000円～350,000円 ＜月給＞ 280,000円～350,000円 ＜昇給有無＞ 有 ＜残業手当＞ 有 ＜給与補足＞ ※上記年収はあくまでも目安であり、経験・年齢・スキル・前給等を考慮の上、当社規定により決定します。 ■昇給：年1回（昇格による昇給別途あり） ■賞与：年度毎の労使決定額に基づき支給 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 |
| 待遇・福利厚生 | 通勤手当、家族手当、住宅手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度 ＜各手当・制度補足＞ 通勤手当：会社規定に基づき支給 家族手当：扶養人数に応じて支給 住宅手当：居住地域に応じて支給 寮社宅：初任除く（会社規定による） 社会保険：各種社会保険完備 退職金制度：補足事項なし ＜教育制度・資格補助補足＞ 中途入社者研修、各階層別研修、各職能別研修、公的資格取得奨励金制度、ほか ＜その他補足＞ ■従業員持株会 ■形貯蓄制度 ■遺族補償制度 ■社内融資制度 ■希望加入グループ保険 ■ホームヘルパー制度 ■メンタルヘルスサポート、健康管理・介護サポート ■各種慶弔金、ほか |
| 休日・休暇 | 【休日・休暇】 完全週休2日制（休日は土日祝日） 年間有給休暇15日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります） 年間休日日数121日 有給休暇（入社月、毎年10月に勤務年数に応じ15～20日付与）、夏季・GW・年末年始、半日、産前産後、育児、介護、慶弔、裁判員、チャージ（勤続年数に合わせ5、20労働日の長期連続休暇）、ほか |
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件：下記実務経験2年以上 ・半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験 ・光学評価（PL,EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識・経験 ■歓迎条件： ・GaN系材料のMOCVD成長経験 ・GaN系レーザーの素子化プロアセス経験 ・GaN系LEDまたはLDの開発経験者 |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。 |
| 選考プロセス | - |
| 会社名称 | スタンレー電気株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 〒153-8636 東京都目黒区中目黒2-9-13 |
| 事業内容 | ■概要：自動車照明電装品および電子機器製品の開発・製造・販売 |
| 代表者 | 代表取締役社長 貝住 泰昭 |
| URL | http://www.stanley.co.jp/ |
| 設立 | 年1933年5月 |
| 資本金 | 30,514百万円 |
| 売上 | 434,124百万円 |
| 従業員数 | 3,702名 |
| 平均年齢 | - |
| 主要取引先 | - |
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