| 仕事内容 | 【川崎】車載カメラの画像認識開発業務◆自動運転技術／年休124日／土日休＆大型連休／フルフレックス |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ 【必須条件】 ■CもしくはC＋＋の実務経験が1年以上ある方 【歓迎要件】 ■理系高卒・専門卒・短大卒・大卒・大学院卒（情報系・数学科等）を卒業した方 ■WEB系のソ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 335万円～550万円 ＜賃金形態＞ 日給月給制 当月末締めの翌月末払い ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 川崎 住所：神奈川県川崎市（常駐先） 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | ★経験者歓迎【神奈川／大和市】光ファイバ技術者◇ITインフラ向け光ファイバ製品の専門企業/業績好調◎ |
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| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須経験 ・製造業において、技術職・設計職・開発職などに従事したご経験のある方 ・光学系の知識を有する方・あるいは関連業務に従事したご経験のある方 ■歓迎経験： ・製造業経験者で通信用光デバイスにチャレンジしたい方 ・マネジメントのご... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～700万円 ＜賃金形態＞ 日給月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 大和事業所 住所：神奈川県大和市深見西2-1-37 ビズテラス大和101 勤務地最寄駅：小田急線、相鉄線／大和駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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NEW
正社員
| 仕事内容 | 【オープンポジション/品川･厚木】デバイス開発 ※最先端CMOSの要素技術開発【第二新卒歓迎】 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆応募要件：下記いずれかに該当する方 ・半導体物理の基礎知識および半導体分野の開発、評価、インテグレーションなどの経験 ・電気電子工学や、半導体物性などの技術、知識（大学時代の研究経験でも可） |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,100万円 ＜賃金形態＞ 月給制 補足事項無し ＜賃金内訳... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 品川オフィス 住所：東京都港区港南1-7-1 勤務地最寄駅：JR線／品川駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 本社 住所：神奈川県厚木市旭町4-14-1 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【藤沢】新工法”フロントローディング”活用に向けた技術研究 ※世界シェア2位の圧倒的技術力 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須要件： ・プログラミングの知識・経験（Matlab, Python, C++, C#等） ・モータ・アクチュエータなどの物理モデルの作成 《求める人物像》 ・新しいことへチャレンジしたい人 ・他部門と連携して... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 520万円～860万円 ＜賃金形態＞ 月給制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 藤沢事業所 住所：神奈川県藤沢市本藤沢4-2-1 勤務地最寄駅：小田急線／善行駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【厚木】設計環境開発（画素設計）※充実の福利厚生・研修制度／東証プライム上場企業／年間休日124日 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件：下記の要件を1つでも満たす方 ・設計環境開発業務の経験 ・半導体のアナログ設計業務経験 ・TCADを用いた業務経験 ■歓迎条件： ・perl/tcl/p... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 560万円～800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 顧客先 住所：神奈川県厚木市 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【鶴見/半導体パッケージ要素技術開発】サムスン日本法人／残業20～30h程度／離職率は2%前後 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・デバイス開発のご経験 ・英語もしくは韓国語ビジネスレベル |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,300万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 補足事項なし ＜賃金内訳... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ Samsungデバイスソリューションズ研究所 住所：神奈川県 横浜市 鶴見区菅沢町2-7 勤務地最寄駅：JR・京急線／鶴見駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 正社員雇用型派遣 【機械電気の業務経験者歓迎】半導体 プロセスエンジニア |
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| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須要件： ・PC操作（各種資料作成に抵抗がない方） ■歓迎要件： ・クリーンルーム作業経験者 ・各種測定器操作 ・半導体関連会社での実務経験があれば尚歓迎 ・理系大学卒業者 ＜語学補足＞ 外国籍の方は日本語検定N1レベルが必要です。 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～700万円 ＜賃金形態＞ 日給月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大手半導体装置メーカー 住所：山梨県韮崎市 勤務地最寄駅：JR中央本線線／韮崎駅駅 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり ＜勤務地詳細2＞ カズテクニカ相模原本社 住所：神奈川県相模原市 勤務地最寄駅：JR横浜線線／相模原駅 受動喫煙対策：敷地内喫煙可... |
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| 仕事内容 | 【プローブカードの開発】◇リモート可／日本法人の立ち上げから関われます◇ |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件 半導体業界で半導体装置のプロセス開発経験をお持ちの方 └半導体測定事業で半導体装置のプロセス開発経験8年以上を目安とします ■歓迎条件 外資系企業でゼロから部署立ち上げにチャレンジしたい方 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：神奈川県横浜市港北区新横浜3-17-6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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正社員
| 仕事内容 | 【川崎】GaNパワー半導体のデバイス開発・プロセスエンジニア◆最先端技術領域で活躍／研修・福利厚生◎ |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： 半導体デバイス開発またはプロセスインテグレーションの実務経験（Si半導体のご経験にて問題ございません） ■歓迎条件： GaNに関する知見 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 450万円～1,000万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【神奈川】赤色半導体レーザーチップの設計・プロセス開発 ◆HUAWEI日本法人／開発費2兆円超 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆必須要件： 1. 大学卒以上 2. 赤色半導体のチップ設計、エピタキシャル成長またはプロセス開発の実績 ◆歓迎要件： 1. 高出力の赤色レーザーチップの大量生産の経験 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【横浜】IMU／ジャイロスコープの設計開発 ◆HUAWEIの日本法人／研究開発の投資額世界トップ級 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆必須要件： 1、産業または学術経験ので長年の経験を持ち、MEMS IMU／ジャイロチップの主要なアーキテクチャ設計に精通している。市場のニーズと産業発展の傾向を深く理解している方。 2、少なくとも一つの業界主流ME... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細3＞ 東京研... |
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| 仕事内容 | 【横浜】パワーモジュールのプロセス研究・開発 ◆HUAWEIの日本法人／研究開発の投資額世界トップ級 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆必須要件： 1. SPC、MSA、FMEA、APQP、PPAPなどのパワーモジュールプロセス開発方法論とツールに関する十分な知識 2. ワイヤーボンディング、リフロー、焼結、成形などのパワーモジュールプロセスに関す... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,000万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜】パワーモジュールのパッケージング開発 ◆HUAWEI日本法人／研究開発の投資額世界トップ級 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆必須要件： 1. パワーモジュールのパッケージング技術に関する優れた知識と、パワーモジュールのパッケージ設計および設計ソフトウェアとツールに関する豊富な経験 2. パワーモジュールの熱および電気設計とシミュレーショ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 700万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜／大阪】圧電セラミックスデバイスの研究開発 ◆HUAWEIの日本法人／開発費2兆円超 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆必須要件： ・材料、化学、その他の理工学関連専攻で修士号以上 ・圧電材料の特性、エネルギー変換メカニズム及び圧電トランスデューサの設計スキームに精通し、圧電材料の研究または圧電デバイスの設計スキームの経験を有し、産業チェ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜・大阪】材料プロセス開発（SAW／BAWフィルタ）※HUAWEIの日本法人／年休125日 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・半導体、物理、材料物性、電子関連の学士号以上 ・SAW／BAW作成プロセス（成膜・エッチング・フォトリソ・CMP・トリミング等）および各プロセスにおける主要課題の知見 ・圧電材料、電極材料、誘電体材料... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜・大阪】インクジェットヘッド開発（MEMS）※HUAWEIの日本法人／年休125日／就業環境◎ |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・インクジェット技術およびMEMSデバイスの基礎的知識 ・MEMSインクジェットヘッド、MEMS振動デバイス、MEMSセンサ等の設計開発の専門知識 ・等価回路シミュレーションやFEMシミュレーションを用... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 横浜研究所 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜19F 受動喫煙対策：敷地内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜・大阪】プロセスインテグレーション（SiC・IGBT／パワーデバイス）※HUAWEIの日本法人 |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ・半導体またはそのプロセス技術の研究、開発、製造における経験（目安20年以上） ・SiC／IGBTプロセスインテグレーション開発業務の知見 ・プロセスシミュレータの知見および高性能SiC／IGBTパワー半導体プロセス... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【横浜・大阪】RFデバイス設計開発（GaN・SiC）HUAWEIの日本法人／年休125日／就業環境◎ |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・半導体、物理、材料、電子等の関連分野の専攻および半導体デバイスデザイン関連の経験（8年以上） ・GaN／SiC RFデバイスの開発経験を持ち、半導体デバイスの原理およびRFにおける半導体デバイスのアプ... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細1＞ 大阪研究所 住所：大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 ＜勤務地詳細2＞ 日本研究所 (横浜) 住所：神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【関東】【未経験歓迎】半導体製造装置の開発職<年間休日126日/残業10h> |
|---|---|
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・理系大学卒の方（専攻不問） |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ ... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 【関東】希望勤務地を考慮しながら決定いたします。 住所：関東エリア（東京都、神奈川県、埼玉県、千葉県、茨城県、群馬県、栃木県、山梨県） 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 |
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| 仕事内容 | 【神奈川県／未経験歓迎】UVレーザー(半導体露光装置)の開発設計※住宅手当など福利厚生◎ |
|---|---|
| 応募資格 | 学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： 理系出身者、レーザーの知見、光学顕微鏡 ※学校や研修のみでもご応募可能です。 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 350万円～500万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 顧客先 住所：神奈川県 受動喫煙対策：屋内喫煙可能場所あり |
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