正社員
掲載予定期間:2024/6/10(月)〜2024/9/8(日)
リーダー候補/AlN基板を用いたパワー半導体向けIII族窒化物半導体薄膜の研究/愛知県名古屋市
旭化成グループではAlN基板を用いた新規デバイスの開発を行っています。これまでに世界初のUV-Cレーザーダイオードの室温連続発振や縦型p-nダイオードなどの成果を実現しており、今後さらに開発を加速するため、開発の要となるエピタキシャル薄膜成長を担うことができる仲間を募集いたします。
【変更の範囲:会社の定める業務】
■パワー半導体の研究開発
・AlN基板上のエピタキシャル成長技術の開発
・エピ成長した薄膜の解析
・Simulation等によるエピ構造やデバイス構造の工夫や改善提案
・富士の開発メンバーへの情報共有化、生産技術適用に向けた検討
<仕事の魅力・やりがい>
・名古屋大学の世界トップクラスの研究者に囲まれた環境で自身の能力を研鑽できます。
・旭化成グループ内の事業部組織と連携することで、自身の研究成果を社会実装へと導く道のりを当事者として経験できます。
<キャリアパスイメージ>
・1~3年後
AlN基板を用いたパワー半導体の研究成果について対外発表を行い、この分野における第一人者としてご活躍いただきたいと考えています。
また、旭化成グループ内の研究開発テーマの方向性についてアイデアの創出や提案を行い、業務を推進いただけることを期待しています。
・3~5年後
研究だけにとどまらず、その成果を社会実装するためのロードマップを提示し、旭化成グループにおけるパワー半導体研究開発を引っ張っていくリーダーとしてのご活躍を期待しています。
【チーム/組織構成】
【その他製品・プロジェクト事例】
【利用するツール・ソフト等】
募集職種 |
技術職(電気、電子、機械) > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発(半導体・電子部品関連) |
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雇用形態 | 正社員
<雇用形態補足> 期間の定め:無 <試用期間> 2ヶ月 ※試用期間中はフレックスタイムが適用外となり、記載の就業時間となります(08:30~17:15 休憩時間:12:00~13:00) |
勤務時間 | <労働時間区分> フレックスタイム制(フルフレックス) 休憩時間:60分(12:00~13:00) 時間外労働有無:有 <標準的な勤務時間帯> 8:30~17:15 |
勤務地 | <勤務地詳細> 名古屋大学C-TECs(旭化成産学連携講座) 住所:愛知県名古屋市千種区不老町 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 |
交通 | <勤務地補足> 【変更の範囲:会社の定める事業所】 <転勤> 有 <オンライン面接> 可 |
給与 | <予定年収> 600万円~978万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本給):233,180円~557,000円 <月給> 233,180円~557,000円 <昇給有無> 有 <残業手当> 有 <給与補足> ■昇給:年1回 ■賞与:年2回(過去実績5.56ヶ月) ■参考年収: 30歳/月給:341,000円/年収:6,000,000円 40歳/月給:557,000円/年収:9,780,000円 ※上記金額は手当・残業代を含まず ※経験を考慮し規程により優遇、詳しくは選考過程でご案内いたします 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 |
待遇・福利厚生 | 通勤手当、家族手当、住宅手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度 <各手当・制度補足> 通勤手当:補足事項なし 家族手当:補足事項なし 住宅手当:持家手当、借家手当あり 寮社宅:寮・社宅あり(借り上げ社宅・寮含む) 社会保険:社会保険完備 退職金制度:補足事項なし <定年> 65歳 再雇用制度あり <教育制度・資格補助補足> ■海外留学制度 ■語学研修制度 ■職責者研修などの階層別教育 ■自己啓発支援 等 <その他補足> ■諸手当:休日出勤手当、勤務地手当 ■各種制度:持ち家支援、各種財産形成支援、育児短時間勤務制度 等 ■その他:福祉共済会(共済生保・医療共済・がん保険・慶弔見舞金共済等)や各種福利厚生施設利用制度(スポーツクラブ・ホテル・旅館等) ※各種医療保険制度も充実しており、安心して仕事ができるよう支援する制度が数多くあります。 |
休日・休暇 | 【休日・休暇】 週休2日制(休日は会社カレンダーによる) 年間有給休暇15日~20日(下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります) 年間休日日数121日 祝日、年末年始休暇、年次有給休暇、特別休暇(忌引や結婚等)、家族看護休暇、ボランティア休暇、育児休暇 等 ※詳しくは選考過程でご案内いたします。 |
応募資格 | <最終学歴>大学院卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・MOCVDまたはMBEを用いた化合物半導体薄膜成長技術の経験(目安3年以上) ■歓迎条件: ・窒化物半導体薄膜成長または化合物半導体デバイスプロセスの経験 ・現場作業安全に関連する資格(危険物取扱者、特化則、有機則など) |
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応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。 |
選考プロセス | - |
会社名称 | 旭化成株式会社 |
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所在地 | 〒100-0006 東京都千代田区有楽町1-1-2 日比谷三井タワー(東京ミッドタウン日比谷) |
事業内容 | ■事業概要: ・マテリアル領域:<繊維事業、ケミカル事業、エレクトロニクス事業> ケミカルをベースとした高度な技術と新たな発想で、環境にやさしく付加価値の高い素材・製品を開発し、未来のくらしをリードします。 ・住宅領域:<住宅事業、建材事業> 戸建住宅「へーベルハウス」と軽量気泡コンクリート「へーベル」を中心に、人と環境にやさしい技術とサービスで、安全・安心で快適な住まい方を提案します。 ・ヘルスケア領域:<医薬事業、医療事業、クリティカルケア事業> 専門性のある高度な技術を進化・融合させ、社会が求める医療ニーズに応えることで、患者様のQOL(生活の質)の向上に貢献します。 |
代表者 | 工藤 幸四郎 |
URL | https://www.asahi-kasei.com/jp/ |
設立 | 年1931年5月 |
資本金 | 103,389百万円 |
売上 | 2,726,485百万円 |
従業員数 | 48,897名 |
平均年齢 | 41.5歳 |
主要取引先 | - |
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