【Ａｎｊｅｔ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｌａｂ株式会社】【京都／転勤無し】パワー半導体デバイスの設計開発 ◆業界最先端の技術開発／年休120日◆【転職支援サービス求人】（正社員）

掲載予定期間：2024/9/12(木)〜2024/12/4(水)


【京都／転勤無し】パワー半導体デバイスの設計開発 ◆業界最先端の技術開発／年休120日◆


～★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか？★／業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業／大手半導体メーカー出身社員（10~30年以上の経験を有するメンバー）と共に高度な技術開発ができ、顧客の要望に沿った製品を一から作り上げることができます！～

■採用背景：
SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制・信頼性確保・量産体制を強化するための採用です。

■業務内容：
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。【変更の範囲：会社の定める業務】

■配属先情報：
大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で１0～30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができます。

■成長計画：
パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。

■当社について：
◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。
◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。
◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。
◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。

変更の範囲：本文参照

【チーム／組織構成】
【その他製品・プロジェクト事例】
【利用するツール・ソフト等】