正社員
【業務概要】
SiC.GaN等の次世代半導体材料材料を適用したパワーデバイスの研究開発業務。物性的な研究とデバイス開発両面で実施する。
・物性解析:電気的特性評価、分析的評価、計算技術等を用いたメカニズム解明
・プロセス開発:デバイス特性向上に向けたプロセス開発として、物理現象や材料特性をもとに検討、改善指針を構築
・デバイス設計・試作・評価:SiC.GaNを用いたパワーデバイス構造の検討、プロセス設計、試作、評価
【配属部門】
技術開発本部 先端技術研究所 次世代半導体研究センター WBGデバイス研究部
<組織情報>
組織規模8名、30代が半数、他は40代~60代
<役割ミッション>
30代を率いるチームリーダー候補者もしくは、実務部隊として若手でも可
【同社について】
「発電・安定供給」を軸とした様々な事業セグメントを展開しています。
各セグメントの相乗効果による総合力・安定力が同社の強みです。
■エネルギー領域:再生可能エネルギーの最大出力化や安定供給、エンジニアリングサービスの一括提供により脱炭素社会の実現に貢献しています。また、受変電設備やエネルギーマネジメントシステムの提供を通して、設備の安定稼働、最適運用に貢献しています。
■インダストリー領域:パワーエレクトロニクス応用製品に計測機器やIoTwo組み合わせ、工場の自動化や見える化により生産性の向上と省エネを実現させています。
鉄道や船舶分野にも信頼性の高い製品を提供し、社会インフラの安全・安心に貢献します。
■半導体:産業分野、自動車分野において、低損失で高効率の電力変換をするパワー半導体で小型化、省電化に貢献しています。
■食品流通:省人、省エネに貢献する自動販売機や安全・安心な食材の流通に貢献するショーケースやシステムを提供しています。
募集職種 |
技術職(電気、電子、機械) > 研究、特許、テクニカルマーケティングほか > 基礎研究(電気・電子・機械) |
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雇用形態 | 正社員 |
勤務時間 | - |
勤務地 | 東京都日野市 |
交通 | - |
給与 | - |
待遇・福利厚生 | 経験・スキルに応じて変動します |
休日・休暇 | 完全週休二日(土日) |
応募資格 | 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験 ・半導体材料または、そのプロセス技術の研究・開発経験 ・半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に関する研究・開発経験 ・基本的な半導体プロセスができ、パワーデバイス開発に必要なプロセスインテグレーションの知識を有する ・SiC.GaNパワーデバイスの設計、試作、評価等の開発経験 |
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応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
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選考プロセス | - |
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