【富士電機株式会社】【東京】研究開発（次世代半導体/SiC・GaN）◆積極投資中の注力事業／プライム上場／業績堅調に推移【転職支援サービス求人】（正社員）

掲載予定期間：2025/8/7(木)〜2025/11/5(水)


【東京】研究開発（次世代半導体/SiC・GaN）◆積極投資中の注力事業／プライム上場／業績堅調に推移


【次世代半導体材料を用いたパワーデバイス開発／在宅勤務制度あり※月10日まで／多事業展開による抜群の安定性◎売上高1兆規模の総合電機メーカー】

車載向けや産業用向け等で世界的に需要が高まると見込まれている、注目のパワー半導体事業の研究開発（基礎研究）ポジションです。

■業務概要：
先端技術研究所 次世代半導体研究センターにて、SiC, GaN等の次世代半導体材料を用いたパワーデバイスの開発業務、物性解析、プロセス開発、デバイス設計・試作・評価等の研究開発をお任せします。
入社後は、以下の業務内容からご経験に応じた業務を担当していただきます。
まずは研究テーマの一部に従事し、理解度に応じて複数のテーマに取り組んでいただきます。将来的にはリーダーとしてメンバーをまとめるキャリアパスを描いていただく予定です。

【業務詳細】
・物性解析：電気的特性評価、分析的評価、第一原理計算等を用いて、材料物性に基づいたデバイス動作やプロセスに関わるメカニズム解明
・プロセス開発：物理現象や材料特性にもとづいて、デバイス特性向上のための先端的なプロセスを提案・検討し、改善指針を構築
・デバイス設計・試作・評価：SiCやGaNを用いたパワーデバイス構造の検討、プロセス設計、試作および評価(電気特性、動作解析、信頼性評価等)

■働き方：
・残業：月平均10～20H程度
・在宅制度：月10日まで利用可
・休暇取得：年度の初めに年間の休暇取得予定を計画し、部門内で共有することで休暇を取りやすい環境

■当社の特徴・魅力：
◇1923年に「古河電気工業株式会社」とドイツの「シーメンス社」との資本・業務提携により設立されました。地熱発電設備、電気自動車向けパワー半導体、環境保全やエネルギー効率に優れた社会インフラ設備など、エネルギー関連事業を中心にグローバルに展開する総合電機メーカーです。
◇売上高は1兆円規模で、海外売上比率は24.5%を誇ります。100を超える国で当社の製品が使用されており、地熱発電設備や大容量整流器で世界No.1シェア、缶・PET自動販売機で国内および中国でNo.1シェアなど、多くのトップクラスシェア製品を有しています。

【チーム／組織構成】
【その他製品・プロジェクト事例】
【利用するツール・ソフト等】