正社員
掲載予定期間：2025/10/13(月)〜2026/1/11(日)
【京都／転勤無】パワー半導体デバイスの設計開発 ＜量産化フェーズ＞世界中のスペシャリストと協業◎
～電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業～
■事業ミッション
これまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推違してきました。
現在、順調に資金調達および顧客開拓が進み、SiCパワー半導体デバイスの量産に向けて始動しております。
今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化（量産化）していく為にご尽力いただける方を募集いたします。
※複数名の増員募集のためご経験に合わせて、ご活躍できる職種をご相談させていただきます。
■業務内容
トランジスタやダイオードなどの半導体デバイスの特性を設計・解析し、性能向上を図っていただきます。
■製品について
Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.)
大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。
今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。
■配属先情報
大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で10～30年以上の経験を持つスペシャリストが在籍しています。
一緒に世の中に技術革新を起こすメンバーを歓迎いたします。
■在籍社員の入社理由
・新規パワー半導体デバイス（SiC・GaN）を学びたい
・半導体製造プロセスに一貫して関わりたい
ご経験を活かしつつ、他社ではできない幅広い経験や最先端知識を求めてご入社される方が多いです。
■給与形態
・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み
■当社について：
◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。
◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。
変更の範囲：会社の定める業務
【チーム／組織構成】
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発（半導体・電子部品関連） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員
＜雇用形態補足＞ 期間の定め：無 ＜試用期間＞ 3ヶ月 条件の変更なし |
| 勤務時間 | ＜労働時間区分＞ 専門業務型裁量労働制 みなし労働時間/日：8時間00分 休憩時間：60分 時間外労働有無：無 ＜標準的な勤務時間帯＞ 9:00～18:00 |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室 勤務地最寄駅：JR東海道本／阪急電鉄阪急京都線／桂川／桂駅 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲：会社の定める事業所 |
| 交通 | ＜転勤＞ 無 ＜在宅勤務・リモートワーク＞ 相談可 ＜オンライン面接＞ 可 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～700万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 ＜賃金内訳＞ 年額（基本給）：5,000,000円～7,000,000円 ＜月額＞ 416,666円～583,333円（12分割） ＜昇給有無＞ 有 ＜残業手当＞ 無 ＜給与補足＞ ※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 |
| 待遇・福利厚生 | 通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 ＜各手当・制度補足＞ 通勤手当：上限2万円 社会保険：補足事項なし ＜定年＞ 65歳 ＜教育制度・資格補助補足＞ なし ＜その他補足＞ ■転職に伴う引越し費用負担（規定あり） ■服装自由 ■ストックオプション ■従業員専用駐車場あり 【その他】 ・裁量労働制について労働基準監督署に届出済み ・昇給については成果・実績に応じて配分あり |
| 休日・休暇 | 【休日・休暇】 完全週休2日制（休日は土日祝日） 年間有給休暇10日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります） 年間休日日数120日 年末年始休暇 |
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・パワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方 （例）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験、ファンドリーでのデバイス試作経験 等 ※SiC・GaNなどの化合物半導体のご経験者歓迎ですが、Siのご経験者もご応募ください ■歓迎条件： ・デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験 ・パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験 ＜語学補足＞ 【あれば尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方 |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。 |
| 選考プロセス | - |
| 会社名称 | Anjet Research Lab株式会社 |
|---|---|
| 所在地 | 〒615-8245 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 |
| 事業内容 | ■事業内容： ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている当社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。 ■ビジョン： 地球温暖化に伴い「CO2排出削減」「省エネルギー」が社会的な重要課題となり、グリーンテクノロジーに向けたパラダイムシフトが進行し、自動車や鉄道、さらにはスマートグリッドを中心とした新ネットワークインフラなどの分野でエネルギーの有効活用が不可欠となっています。 Anjet Research Lab 株式会社はこのような社会的課題に対し電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発により貢献したいと取り組んでいます。 ■特徴（TOPICS）： 大手半導体メーカー(Texas Instruments, Mitsubishi Elec., Renesas, ROHM,ON Semiconductor. etc.)で20~30年以上の経験を有するメンバーで構成されている為、確かな技術・経験を持ったメンバーと仕事ができます。 |
| 代表者 | - |
| URL | http://anjet.com/ja-jp/ |
| 設立 | 年2019年12月 |
| 資本金 | 70百万円 |
| 売上 | 11百万円 |
| 従業員数 | 13名 |
| 平均年齢 | - |
| 主要取引先 | - |
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