次世代パワー半導体GaNのフォトリソグラフィ工程プロセス開発担当者（正社員） / 会社名非公開

【期待する役割】
次世代パワー半導体GaNは、EVやデータセンターの省エネ・小型化に不可欠なキーデバイスです。
当社は高品質かつ低コストな大口径GaN基板の安定供給を目指しています。
本ポジションでは、GaN基板製造の下地工程（種結晶＝シードの作製）におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立をご担当いただきます。

【業務内容】
■プロセス開発・条件最適化
GaN（窒化ガリウム）基板の製造プロセスにおける、フォトリソグラフィー工程やドライエッチング工程の条件検討及び最適化を行い、高品質なGaN基板を安定的に生み出すダイナミックな業務です。サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDによるマスク形成、フォトレジスト塗布、パターニング、現像、ドライエッチング、レジスト除去までの一連の工程を扱います。マスクの形状・幅・高さ・材質はその後のHVP結晶成長の品質に直結するため、条件検討・最適化がこの技術の核心です。

■評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発
自ら作成したサンプルを評価・解析し、結果を製造プロセスへ反映させます。
専門的な知見を活かした高度な解析が、世界最高水準の製品の品質向上に直結する重要な役割です。

■化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発
MOCVD等による薄膜形成の経験も大いに活かせる環境です。

【募集背景】
当社が手掛ける「窒化ガリウム（GaN）基板」は顧客から極めて高い評価を得られ、実用化フェーズに到達しており事業拡大を加速しています。EV（電気自動車）やデータセンター、通信基地局など、急成長するパワーエレクトロニクス市場からの期待は高く、さらなるシェア拡大に向けた量産化の推進が急務です。この成長フェーズにおいて、中心的役割を担い、当社の技術的優位性をさらに盤石にする仲間を求めています。

【魅力】
・世界を変える技術の最前線に立つ
　GaNはEVやデータセンターなど、社会の基盤を支えるパワーエレクトロニクス分野で爆発的な普及が見込まれています。省エネ・小型化という社会課題を解決するキーデバイスの根幹を、技術で支えることができます。「次世代のインフラ」を社会へ実装する醍醐味を感じられるポジションです。

・「作る技術」をゼロから確立する面白さ
　「どう…