正社員
・MOCVDによるInP系化合物半導体エピ層の成膜・評価・改善業務
・結晶品質評価（XRD、PL、AFM、SEM、TEM等）に基づく工程最適化
・成膜条件（温度・圧力・V/III比・キャリアガス流量等）の制御と再現性確保
・歩留まり改善／成長不具合解析（層厚ムラ・組成偏差・欠陥発生メカニズム解明）
・結晶成長工程における新装置導入・能力改善プロジェクトの推進
・光デバイス設計／プロセス統括部門との連携による新製品向けエピ構造設計支援
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発（家電・AV・コンピュータ関連） 技術職（電気、電子、機械） > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発（半導体・電子部品関連） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員 |
| 勤務時間 | - |
| 勤務地 | 神奈川県 |
| 交通 | - |
| 給与 | 年収 800万円～1300万円 |
| 待遇・福利厚生 | 経験・スキルに応じて変動します |
| 休日・休暇 | 完全週休二日(土日) |
| 応募資格 | 【必須要件】 ・化合物半導体（InP系、GaAs系等）を用いた結晶成長（Epitaxy）または関連工程経験 ・結晶評価手法（XRD／PL／SEM／AFMなど）の実務理解 ・工程改善・歩留まり改善・異常解析などの生産技術経験（2年以上／修士卒1年以上） ・設備メーカー／装置技術者との技術折衝スキル ・英語での資料作成・メールコミュニケーション対応力（PPT／会議含む） |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
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| 選考プロセス | - |
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