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正社員
【パソナキャリア経由での入社実績あり】
【こんな仲間を探しています】
車載パワー半導体の研究開発をリードし、カーボンニュートラルな社会実現への貢献を実感できる、やりがいの持てる職場で一緒に汗を流してくれる方を募集しております。
業務内容
パワーデバイス材料研究、デバイス開発
・ウェハガス成長法の研究開発
・横型GaN-HEMTのデバイス開発
・α酸化ガリウム半導体研究開発
・β酸化ガリウム半導体研究開発
・ダイヤモンド半導体研究開発
業務のやりがい・身につくスキル
・SiC結晶成長は、他社を凌駕する独自の高速成長を達成しており、日本のSiC開発を牽引している実感を持てます。
・中長期の戦略に基づき、ポストSiCデバイスとして可能性のあるパワー半導体材料・素子を幅広く研究対象にすることが可能です。
・大学や研究機関と共同研究を行っており、アカデミアとの共創で新しい技術開発を行うことができます。
募集背景
ミライズテクノロジーズでは、車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行っております。第一原理計算や機械学習を駆使した装置・レシピ開発で、世界でも随一の高速かつ高品質な結晶成長を目指しております。また、ポストSiCデバイスとして、GaNや酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体など次世代のパワーデバイスの研究開発を大学や企業と連携して行っております。車載パワー半導体の研究開発をリードし、カーボンニュートラルな社会実現への貢献を実感できるやりがいの持てる職場で一緒に汗を流してみませんか?
職場情報
パワエレ第2研究開発部は、xEV用インバータや電源関連製品に使われるパワー半導体の材料、デバイス、実装、回路、制御など幅広い技術を研究対象としています。この分野はワールドワイドで競争が激化していますが、ミライズの垂直統合型の研究を活かして他社と差別化した競争力のあるパワエレ技術の創出を目指しています。その中でパワー半導体材料、デバイス研究においては、SiCの結晶成長技術でミライズが唯一成功しているガス成長法の研究開発や、GaN、酸化ガリウム及びダイヤモンドなどの新規ワイドバンドギャップ半導体のR&Dを行っています。国内の大学や新材料のトップランナーと連携しながら、最先端の技術を…
| 募集職種 |
技術職(電気、電子、機械) > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発(家電・AV・コンピュータ関連) |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員 |
| 勤務時間 | - |
| 勤務地 | 愛知県日進市 |
| 交通 | - |
| 給与 | 年収 550万円~1500万円 |
| 待遇・福利厚生 | 経験・スキルに応じて変動します |
| 休日・休暇 | 完全週休二日(土日) |
| 応募資格 | 【必須要件】 ・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること(大学卒業レベル) ・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験(3年以上)を有すること 【歓迎要件】 ・第一原理計算、T-CADシミュレーション経験 ・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験(5年以上) ・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験(5年以上) |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
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| 選考プロセス | - |
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