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| 仕事内容 | 【三重/亀山市】回路設計（スマホ等モバイル向け回路基板）※東証プライム上場/Nitto |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・回路基板（FPC含む）のアートワーク／レイアウト設計経験（2D-CAD／電気CAD） ・顧客または社内との仕様調整・設計折衝経験 ■歓迎条件： ・FPC設計経験 ・シミュレーションを活... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,000万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 亀山事業所 住所：三重県亀山市布気町919番地 勤務地最寄駅：JR関西線／亀山駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：会社の定める事業所（リモートワーク含む） |
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| 仕事内容 | 【三重/亀山市】生産装置 仕様検討・導入（新規半導体パッケージ基板/事業立ち上げ）※東証プライム上場 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・回路基板の開発、製造、生産技術等の知識保有者、もしくは経験者 ■歓迎条件： ・半導体パッケージ、半導体パッケージ基板の業務経験者 ・日常会話レベルの英語力 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,000万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 亀山事業所 住所：三重県亀山市布気町919番地 勤務地最寄駅：JR関西線／亀山駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：会社の定める事業所（リモートワーク含む） |
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| 仕事内容 | 【三重/亀山市】プロセス開発（スマートフォン向け回路基板）※東証プライム上場 |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・製品開発経験 ■歓迎条件： ・日常会話レベル以上の英語力 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,000万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 亀山事業所 住所：三重県亀山市布気町919番地 勤務地最寄駅：JR関西線／亀山駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：会社の定める事業所（リモートワーク含む） |
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転職したいけど、求人を探す時間がない人は、| 仕事内容 | 【三重/亀山市】新製品開発（次世代エレクトロデバイス向け コンパクトFPC）(高精度回路基板) |
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| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・製品および工程品質管理のご経験 ・回路設計における、材料科学、回路設計、スパッタ技術、めっき技術、フォトリソグラフィいずれかの知見 ■歓迎条件： ・有機化学/高分子化化学/電気/機械などの専門知識を... |
| 給与 | ＜予定年収＞ 600万円～1,000万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本... |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 亀山事業所 住所：三重県亀山市布気町919番地 勤務地最寄駅：JR関西線／亀山駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：会社の定める事業所（リモートワーク含む） |
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| 仕事内容 | 自動車用電子ユニット＊の機能実現に必要不可欠となるプリント基板の設計業務および関係業務 ＊電子ユニットの一例 ・最先端電子制御ユニット（ECU） ・電源分配ユニット（JB） ・電源制御ユニッ（バックアップ電源） ・その他 入社後のキャリアイメージ 入社後は当社事業内容や所管製品に関する基礎を学んでいただきます。その後、先輩社員のサポートを受けながら、経験値に応じた特定アイテム |
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| 応募資格 | 【必須要件】 ・高いコミュニケーション能力を持ち、明るく朗らかに社内折衝できる方 ・周囲の困り事に対しても関心が持て、 協調性を発揮して助け合える方 ・積極的に自己研鑽出来る方 ・決められたルールを遵守できる方 ・基本OAソフトの習得と経験 （Excel、Powerpo... |
| 給与 | 年収 500万円～750万円 |
| 勤務地 | 三重県四日市 |
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| 仕事内容 | 【パソナキャリア経由での入社実績あり】 大手半導体メーカーでの品質管理業務をお任せいたします。 ご入社後に担当いただく想定配属先の業務は、半導体フラッシュメモリの新製品の新たな製造方法、考案、改善と実行及びそれに付随する業務となります。 |
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| 応募資格 | 【必須要件】 ■半導体の回路設計経験 【歓迎要件】 ■Verilogの使用経験 |
| 給与 | 年収 450万円～500万円 |
| 勤務地 | 三重県四日市市 |
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| 仕事内容 | 【パソナキャリア経由での入社実績あり】 【組織ミッション】 SiC準備室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体（SiC）に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。 【業務内容】 パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、 |
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| 応募資格 | 【必須要件】 ・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方 ・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方 ・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設... |
| 給与 | 年収 550万円～1400万円 |
| 勤務地 | 三重県いなべ市大安町門前 |
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| 仕事内容 | ■業務概要 ・メモリIPの開発・設計 回路設計 / レイアウト設計 ■業務詳細 ・新規のメモリIP（不揮発性メモリ）開発プロジェクト ・メモリIPの開発・設計を担当します。 - メモリセル, メモリコアから周辺回路の回路設計（アナログ設計,デジタル設計） - メモリIPのレイアウト設計 |
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| 応募資格 | 【必須要件】 ・不揮発性メモリの回路設計の実務経験 ・トランジスタレベルの回路設計の実務経験（Cadence schematic editor/Synopsys HSpice等） ・トランジスタレベルのマニュアルレイアウトの実務経験（Cadence Virtuoso/Sie... |
| 給与 | 年収 600万円～1000万円 |
| 勤務地 | 三重県 |
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