仕事内容 | 【横浜※在宅可】機械設計 ◆研究開発費率22.6%/世界シェアトップ級◎マスク描画装置/業界未経験可 |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学卒以上 <応募資格/応募条件> <業界未経験歓迎> ■必須条件:下記すべてに該当する方 ・機構設計の知識(材料力学、熱力学、流体力学、機械力学)や経験 ・機械系ユニットの計画図および組立図面の作図経験 ・機構設計仕様書の作成経験 ・英語(ビジネスで... |
給与 | <予定年収> 420万円~1,500万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本... |
勤務地 | <勤務地詳細> 本社 住所:神奈川県横浜市磯子区新杉田町8-1 勤務地最寄駅:JR京浜東北根岸線/新杉田駅 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 変更の範囲:海外現地法人を含む、当社各拠点 |
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仕事内容 | 【兵庫/三木】化学卒◎電気化学式ガスセンサの開発<基礎・応用実験~評価・学会発表等>転勤無/土日祝休 |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学卒以上 <応募資格/応募条件> <職種未経験歓迎> ■必須条件: ・化学系卒、あるいは化学系の開発業務経験のある方 ■歓迎条件: ・電気化学に関する業務経験、知識 ・日常会話レベルの英語力(海外展示会への参加・海外国際会議での発表などで使用する場... |
給与 | <予定年収> 400万円~500万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本給)... |
勤務地 | <勤務地詳細> コスモスセンサセンター 住所:兵庫県三木市吉川町上荒川748-7 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 変更の範囲:無 |
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仕事内容 | 【兵庫】プロセス開発(半導体検査部品)/半導体業界経験者の方へ/年休121日/世界トップシェアクラス |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・プロセス開発のご経験をお持ちの方 ★5GやAIの進展により半導体は日々微細化しています。 その微細化に日々対応し続ける事で、材料開発・微細加工等の希少なスキルを身に付ける... |
給与 | <予定年収> 500万円~700万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本給)... |
勤務地 | <勤務地詳細1> 本社 住所:兵庫県尼崎市西長洲町2-5-13 勤務地最寄駅:阪神線/尼崎駅 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 <勤務地詳細2> 三田工場 住所:兵庫県三田市大原1-8 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 変更の範囲:会社の定める事業所(リモートワーク含む) |
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仕事内容 | 【宮城/仙台】プロセスエンジニア(先端開発/半導体製造装置)東京エレクトロンG/年収800万円~ |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校、高等学校卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・組織やプロジェクト単位でのリーダー以上のご経験(現在、エキスパートとしてキャリア形成されている方も歓迎いたします) ▼いずれか必須 ・化学、鉄鋼業界といった化学系や理工系、物... |
給与 | <予定年収> 800万円~1,400万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本... |
勤務地 | <勤務地詳細> 本社 住所:宮城県黒川郡大和町テクノヒルズ1 勤務地最寄駅:仙台市地下鉄南北線/泉中央駅 受動喫煙対策:屋内喫煙可能場所あり 変更の範囲:会社の定める事業所(リモートワーク含む) |
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仕事内容 | 【宮城/仙台】プロセスエンジニア(製品開発/半導体製造装置)東京エレクトロンG/年収800万円~ |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校、高等学校卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・半導体製造装置もしくは半導体メーカーにて、「ドライエッチング」プロセス開発経験(5年以上)をお持ちの方 ・組織やプロジェクト単位でのリーダー以上のご経験をお持ちの方(現在、エキ... |
給与 | <予定年収> 800万円~1,400万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本... |
勤務地 | <勤務地詳細> 本社 住所:宮城県黒川郡大和町テクノヒルズ1 勤務地最寄駅:仙台市地下鉄南北線/泉中央駅 受動喫煙対策:屋内喫煙可能場所あり 変更の範囲:会社の定める事業所(リモートワーク含む) |
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仕事内容 | 【山形/東置賜郡】半導体製品/生産計画・管理(リーダー候補)◆働き方◎残業月平均10時間/休暇制度◎ |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・工場で生産計画/生産管理業務に従事した経験 ・部門調整、交渉を建設的に推進できる方 ・改善・効率化に繋がる活動を率先して進められる方 ・普通自動車運転... |
給与 | <予定年収> 330万円~812万円 <賃金形態> 月給制 補足事項なし <賃金内訳> ... |
勤務地 | <勤務地詳細> 本社 住所:山形県東置賜郡高畠町入生田1863 勤務地最寄駅:JR各線/高畠駅 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 変更の範囲:会社の定める事業所 |
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仕事内容 | 【山梨】半導体製造装置の機械設計◇賞与年2回/福利厚生充実/経験者歓迎◇ |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・機械設計の実務経験 ・コミュニケーション能力 ■歓迎条件: ・半導体製造装置、工作機械、産業機械、ロボット、自動車関連などの設計・開発経験 ・英語スキル |
給与 | <予定年収> 350万円~800万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本給)... |
勤務地 | <勤務地詳細> 顧客先(山梨) 住所:山梨県韮崎市 藤井町北下條2381-1 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 変更の範囲:会社の定める事業所 |
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仕事内容 | リチウムイオンバッテリー生産技術支援 |
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応募資格 | 学歴不問 <応募資格/応募条件> 【必須】 ・開発した製品の製造工法・検査治具の設計 ・ファンクションテストの仕様書作成 【あれば尚可】 ・電線・板金加工工具の取扱いやはんだ作業の経験 ・量産品の機器設計経験 |
給与 | <予定年収> 390万円~650万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本給)... |
勤務地 | <勤務地詳細> 本社 住所:東京都文京区春日2-12-12 勤務地最寄駅:後楽園駅 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 変更の範囲:本文参照 |
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仕事内容 | 【商品企画】モバイル向けCMOSイメージセンサー商品企画/ビジネス推進※在宅可#DS2118 |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・ 半導体製品 (大規模LSI、アナログデバイス等問いません)の商品企画経験 (3年以上) ■歓迎条件: ・ 複数の部署に跨ったプロジェクトのリーディング経験 (3年以上) ・ B2Bビ... |
給与 | <予定年収> 750万円~1,150万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本... |
勤務地 | <勤務地詳細1> 本社 住所:神奈川県厚木市旭町4-14-1 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 <勤務地詳細2> 品川オフィス 住所:東京都港区港南1-7-1 勤務地最寄駅:JR線/品川駅 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 変更の範囲:本文参照 |
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仕事内容 | 【光学設計】外資大手子会社/年休124日/有給取得率100%/残業少 |
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応募資格 | 学歴不問 <応募資格/応募条件> ■必須条件 ・光学設計に携わったことがある方 ・商材例:プロジェクタ/PC関連、TVなどディスプレイ関連製品/デジタルカメラなど光学機器など ※語学スキルは問いません。 |
給与 | <予定年収> 400万円~800万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本給)... |
勤務地 | <勤務地詳細> 本社 住所:東京都港区芝大門2-11-16 ・YSビル1F 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 |
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仕事内容 | 【京橋】【GX本部】Non-FIT_事業開発(PPA)※プライム上場/再エネ発電開発の安定性◎ |
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応募資格 | 学歴不問 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・電力に関する一定レベルの知見 ・対外折衝経験 ・再生可能エネルギーに関する一定レベルの知見 ■歓迎条件: ・電力小売事業において相対卸業務に携わった経験 ・電力小売事業において需給管理業務に携わった経験 ・エネルギー調達... |
給与 | <予定年収> 500万円~800万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本給)... |
勤務地 | <勤務地詳細> 本社 住所:東京都中央区京橋2-2-1 京橋エドグラン18F 勤務地最寄駅:東京メトロ東西/丸ノ内/千代田線/東京駅 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 |
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仕事内容 | 【豊洲/在宅可】プロセス開発(半導体リソグラフィ・レジスト)◆製紙業界リーディングカンパニー |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・半導体前工程リソグラフィプロセス開発の経験(3年以上) ■歓迎条件: ・半導体リソグラフィ材料(レジスト、下層膜材料など)の知識・経験 ・コーター・デベロッパーの取扱い経験 ・SEM観察や真空装置(... |
給与 | <予定年収> 500万円~1,000万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本... |
勤務地 | <勤務地詳細> 王子ホールディングス株式会社(東雲) 住所:東京都江東区東雲1-10-6 勤務地最寄駅:東京メトロ有楽町線/豊洲駅 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 |
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仕事内容 | 【大阪/東京】TFTデバイス、バックプレーン、プロセス開発※開発費は2兆円超 |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・材料、化学、物理学、半導体技術の専門知識、学士号以上 ・酸化物TFTデバイス、その他TFTデバイス開発の10年以上の実務経験 ・TFTデバイスの構造とその物理的・電気的振る舞いに精通していること ・薄... |
給与 | <予定年収> 600万円~1,500万円 <賃金形態> 年俸制 <賃金内訳> 年額(基本... |
勤務地 | <勤務地詳細1> 大阪研究所 住所:大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 <勤務地詳細2> 東京研究所 住所:東京都港区港南2-16-4 品川グランドセントラルタワー 勤務地最寄駅:各線/品川駅 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 |
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仕事内容 | 【横浜】IMU/ジャイロスコープの設計開発 ◆HUAWEIの日本法人/研究開発の投資額世界トップ級 |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学卒以上 <応募資格/応募条件> ◆必須要件: 1、産業または学術経験ので長年の経験を持ち、MEMS IMU/ジャイロチップの主要なアーキテクチャ設計に精通している。市場のニーズと産業発展の傾向を深く理解している方。 2、少なくとも一つの業界主流ME... |
給与 | <予定年収> 600万円~1,500万円 <賃金形態> 年俸制 <賃金内訳> 年額(基本... |
勤務地 | <勤務地詳細1> 日本研究所 (横浜) 住所:神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 <勤務地詳細2> 大阪研究所 住所:大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 <勤務地詳細3> 東京研... |
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仕事内容 | 【横浜】パワーモジュールのパッケージング開発 ◆HUAWEI日本法人/研究開発の投資額世界トップ級 |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学卒以上 <応募資格/応募条件> ◆必須要件: 1. パワーモジュールのパッケージング技術に関する優れた知識と、パワーモジュールのパッケージ設計および設計ソフトウェアとツールに関する豊富な経験 2. パワーモジュールの熱および電気設計とシミュレーショ... |
給与 | <予定年収> 700万円~1,500万円 <賃金形態> 年俸制 <賃金内訳> 年額(基本... |
勤務地 | <勤務地詳細> 日本研究所 (横浜) 住所:神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 |
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仕事内容 | 【横浜/大阪】圧電セラミックスデバイスの研究開発 ◆HUAWEIの日本法人/開発費2兆円超 |
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応募資格 | <最終学歴>大学院卒以上 <応募資格/応募条件> ◆必須要件: ・材料、化学、その他の理工学関連専攻で修士号以上 ・圧電材料の特性、エネルギー変換メカニズム及び圧電トランスデューサの設計スキームに精通し、圧電材料の研究または圧電デバイスの設計スキームの経験を有し、産業チェ... |
給与 | <予定年収> 600万円~1,500万円 <賃金形態> 年俸制 <賃金内訳> 年額(基本... |
勤務地 | <勤務地詳細1> 日本研究所 (横浜) 住所:神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 <勤務地詳細2> 大阪研究所 住所:大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 |
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仕事内容 | 【品川】システムLSI・FPGA開発エンジニア(リーダー候補)◆在宅勤務可・年休130日 |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須要件:下記1,2のいずれかと3についての実務経験をお持ちの方 1. VerilogHDLまたはVHDLを用いたRTレベルの論理回路の設計経験(BusIF系、演算回路系につ... |
給与 | <予定年収> 720万円~800万円 <賃金形態> 月給制 補足事項なし <賃金内訳> ... |
勤務地 | <勤務地詳細> 本社 住所:東京都品川区西五反田2丁目18番2号 Cocoro Gotanda Bldg. 勤務地最寄駅:JR山手線/五反田駅 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 変更の範囲:会社の定める事業所(リモートワーク含む) |
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仕事内容 | 【横浜・大阪】インクジェットヘッド開発(MEMS)※HUAWEIの日本法人/年休125日/就業環境◎ |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・インクジェット技術およびMEMSデバイスの基礎的知識 ・MEMSインクジェットヘッド、MEMS振動デバイス、MEMSセンサ等の設計開発の専門知識 ・等価回路シミュレーションやFEMシミュレーションを用... |
給与 | <予定年収> 600万円~1,500万円 <賃金形態> 年俸制 <賃金内訳> 年額(基本... |
勤務地 | <勤務地詳細1> 大阪研究所 住所:大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 <勤務地詳細2> 横浜研究所 住所:神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜19F 受動喫煙対策:敷地内全面禁煙 |
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仕事内容 | 【横浜・大阪】プロセスインテグレーション(SiC・IGBT/パワーデバイス)※HUAWEIの日本法人 |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学卒以上 <応募資格/応募条件> ・半導体またはそのプロセス技術の研究、開発、製造における経験(目安20年以上) ・SiC/IGBTプロセスインテグレーション開発業務の知見 ・プロセスシミュレータの知見および高性能SiC/IGBTパワー半導体プロセス... |
給与 | <予定年収> 600万円~1,500万円 <賃金形態> 年俸制 <賃金内訳> 年額(基本... |
勤務地 | <勤務地詳細1> 大阪研究所 住所:大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 <勤務地詳細2> 日本研究所 (横浜) 住所:神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 |
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仕事内容 | 【横浜・大阪】RFデバイス設計開発(GaN・SiC)HUAWEIの日本法人/年休125日/就業環境◎ |
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応募資格 | <最終学歴>大学院、大学卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・半導体、物理、材料、電子等の関連分野の専攻および半導体デバイスデザイン関連の経験(8年以上) ・GaN/SiC RFデバイスの開発経験を持ち、半導体デバイスの原理およびRFにおける半導体デバイスのアプ... |
給与 | <予定年収> 600万円~1,500万円 <賃金形態> 年俸制 <賃金内訳> 年額(基本... |
勤務地 | <勤務地詳細1> 大阪研究所 住所:大阪府大阪市北区中之島3-3-23 中之島ダイビル6階/6 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 <勤務地詳細2> 日本研究所 (横浜) 住所:神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 |
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北海道・東北 | 北海道(45)| 青森県(32)| 岩手県(51)| 宮城県(88)| 秋田県(31)| 山形県(65)| 福島県(48)| |
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関東 | 茨城県(101)| 栃木県(77)| 群馬県(79)| 埼玉県(97)| 千葉県(104)| 東京都(217)| 神奈川県(236)| |
北陸・北信越 | 新潟県(67)| 山梨県(45)| 長野県(80)| 富山県(62)| 石川県(42)| 福井県(29)| |
東海 | 岐阜県(69)| 静岡県(143)| 愛知県(273)| 三重県(77)| |
関西 | 滋賀県(91)| 京都府(84)| 大阪府(133)| 兵庫県(118)| 奈良県(15)| 和歌山県(28)| |
中国・四国 | 鳥取県(9)| 島根県(13)| 岡山県(89)| 広島県(83)| 山口県(34)| 徳島県(18)| 香川県(17)| 愛媛県(14)| 高知県(8)| |
九州 | 福岡県(85)| 佐賀県(22)| 長崎県(64)| 熊本県(85)| 大分県(40)| 宮崎県(34)| 鹿児島県(34)| 沖縄県(6)| |
海外 | アジア(0)| 中近東・アフリカ(0)| ヨーロッパ(0)| 北米(0)| 中南米(0)| オセアニア(0)| 海外(13)| |