正社員
掲載予定期間：2024/3/11(月)〜2024/6/9(日)
【京都/西院】パワーデバイス・プロセス開発エンジニア（GaN）※WEB面接可／
■募集背景：GaNデバイス量産体制構築、開発体制強化量産化に向けて、工場への技術移管を進めていくリーダー人財を求めております。
■仕事内容：GaNパワーデバイス・プロセスエンジニアとして下記業務をご担当いただきます。
・GaNデバイス・プロセスの設計・開発業務（信頼性/歩留まり改善業務）
・Foundry開発
■GaNパワーデバイスとは
GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっている。例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。既に量産化が始まっているSiC（シリコン・カーバイド）を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。
※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討させていただきます。
※勤務地についてはご希望をお伺いの上、決定いたします。
■就業環境
全社月平均残業23.1時間・週一ノー残業推奨／有給消化率72.9(平均取得日数14日）とワークライフバランスの整った就業環境です。また、中途採用比率42％と中途入社でもハンデなく活躍できる環境です。
■当社事業について：
電子機器の低消費電力性能を左右し、脱炭素のカギとなるキーデバイスである、炭化ケイ素（SiC）を使ったワー半導体を製造しており、世界で初めてSiCの量産化に成功しています。SiC半導体は電気自動車（EV）を中心に需要が急増しており、世界シェア30%を目指しております。
【チーム／組織構成】
【その他製品・プロジェクト事例】
【利用するツール・ソフト等】
| 募集職種 |
技術職（電気、電子、機械） > 生産技術、製造技術、プロセス開発 > 生産技術、製造技術、プロセス開発（半導体・電子部品関連） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員
＜雇用形態補足＞ 期間の定め：無 ＜試用期間＞ 3ヶ月 試用期間中は休職制度の適用不可。 |
| 勤務時間 | ＜勤務時間＞ 8:15～17:15 （所定労働時間：8時間0分） 休憩時間：60分 時間外労働有無：有 |
| 勤務地 | ＜勤務地詳細＞ 本社 住所：京都府京都市右京区西院溝崎町21 勤務地最寄駅：阪急京都線／西京極駅 受動喫煙対策：敷地内全面禁煙 |
| 交通 | ＜転勤＞ 当面なし 将来的に転勤の可能性はあります。 ＜在宅勤務・リモートワーク＞ 相談可 ＜オンライン面接＞ 可 |
| 給与 | ＜予定年収＞ 500万円～850万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）：210,000円～450,000円 ＜月給＞ 210,000円～450,000円 ＜昇給有無＞ 有 ＜残業手当＞ 有 ＜給与補足＞ ■賞与：年2回 ※2022年度実績平均年間6.05ヶ月 ■手当：技術手当、家族手当、通勤手当など ■年収モデル（手当付）： ・28歳 550万円（月給30万円） ・35歳 780万円（月給42万円） 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。 |
| 待遇・福利厚生 | 通勤手当、家族手当、住宅手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度 ＜各手当・制度補足＞ 通勤手当：会社の規定により支給 家族手当：18歳未満の子ども1人につき2,000円を支給 住宅手当：月45,000円（要件満たす方のみ/120か月迄） 社会保険：補足事項なし 厚生年金基金：補足事項なし 退職金制度：在籍1年以上 ＜教育制度・資格補助補足＞ ＜研修制度＞キャリア入社者研修、グレード別研修、役職別研修、その他資格取得案内や個人に合わせた自己啓発支援 ＜その他補足＞ ■休暇制度：結婚休暇、忌引休暇、罹災休暇、配偶者出産休暇、転勤休暇、出向休暇、公務休暇、伝染病隔離休暇、子の看護休暇、介護休暇、産前・産後休暇、生理休暇、育児休業、介護休業、ボランティア休暇 ■保険：健康保険、雇用保険、厚生年金保険、労災保険 ■福利厚生：コーポレートカード発行、社員食堂有、財形貯蓄、持株会、確定拠出年金制度 ■福利厚生パッケージ：「自己啓発」、「育児・介護」、「映画やゴルフなどのレジャー」、「ホテル・宿泊施設のご利用」、「様々な飲食店のクーポン」など、その他多数 |
| 休日・休暇 | 【休日・休暇】 完全週休2日制（休日は土日祝日） 年間有給休暇10日～20日（下限日数は、入社直後の付与日数となります） 年間休日日数130日 ■原則：土曜、日曜、国民の休日、夏季休暇、年末年始等 ■有給：入社時に10日間付与、2年目は15日付与（以降1年経過毎に1日ずつ加算） ■その他休暇：福利厚生欄に記載有 |
| 応募資格 | ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須経験： ・半導体材料物性、半導体プロセスの知識 ■歓迎要件： ・GaNデバイス、プロセス設計のご経験がある方 ・GaNデバイスの製造、量産化のご経験がある方 ・英語での技術ディスカッションが可能な方 |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。 |
| 選考プロセス | - |
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