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正社員
次世代パワー半導体である窒化ガリウム（GaN）の気相法による結晶成長技術開発をご担当いただきます。
中長期的な視点に立ち、特に次世代製品（大口径基板・低欠陥密度基板・低抵抗品基板 等）の新製品開発に重きを置いた、挑戦的かつ自由度の高い開発業務をお任せします。
＜担当業務項目＞
GaNの結晶成長技術の開発業務を中心に、ご経験やご希望などを踏まえて以下に例示する担当業務をご提案いたします。
本ポジションは中長期の技術開発・新製品創出を担う"攻めの研究開発"を行うポジションです。
1）新製品の結晶成長技術開発：大口径・低欠陥密度・低抵抗品など、次世代基板の結晶成長技術を創り上げる開発業務を行います。
2）既存製品の歩留り改善や、品質安定化：結晶成長起因の歩留り低下や品質不良に関する不良に対し、原因解析からプロセス改善まで一気通貫で歩留まり向上を図ります。
| 募集職種 |
技術職系（素材、食品、メディカル、バイオ） > 素材、半導体素材、化成品、バイオ関連 > 基礎・応用研究（素材・半導体素材・化成品・バイオ） 技術職系（素材、食品、メディカル、バイオ） > 素材、半導体素材、化成品、バイオ関連 > 素材、半導体素材、化成品、バイオ関連職（その他） 技術職系（素材、食品、メディカル、バイオ） > 化粧品、食品、香料関連 > 化粧品、食品、香料関連（その他） 技術職系（素材、食品、メディカル、バイオ） > 医薬品関連 > 医薬品関連職（その他） |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員 |
| 勤務時間 | - |
| 勤務地 | 茨城県牛久市 |
| 交通 | - |
| 給与 | 年収 750万円～1400万円 |
| 待遇・福利厚生 | 当社規定による |
| 休日・休暇 | 当社規定による |
| 応募資格 | 【必須条件】 ・化合物半導体の結晶成長技術開発、もしくは結晶成長・薄膜成長に関連する技術開発の経験 【歓迎要件】 ・物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学（特に化合物半導体の結晶成長を専攻していた方） ・GaN（窒化ガリウム）の結晶成長技術開発、ウエハ加工等の経験（即戦力として特に歓迎） ・語学力：英語 |
|---|---|
| 応募方法 | このページ内の「応募」ボタンよりご応募ください。
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| 選考プロセス | - |
| 会社名称 | 機能商品から素材まで多岐にわたる化学製品を手がける日本最大級の総合化学メーカー |
|---|---|
| 所在地 | - |
| 事業内容 | 気候変動の増大や水資源の不足、人口増加や高齢化、食料・農業問題など課題が多様化する中で、関連する事業部門が連携しながら、新しい価値を創造し総合的なソリューションを提供していきます。 |
| 代表者 | - |
| URL | |
| 設立 | 1933年8月31日 |
| 資本金 | 532億2900万円 |
| 売上 | - |
| 従業員数 | - |
| 平均年齢 | - |
| 主要取引先 | - |
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